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黄启圣

作品数：26 被引量：21H指数：3
供职机构：厦门大学物理与机电工程学院物理学系更多>>
发文基金：福建省自然科学基金国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信理学机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 23篇期刊文章
  • 3篇会议论文

领域

  • 17篇电子电信
  • 12篇理学
  • 1篇机械工程

主题

  • 10篇半导体
  • 8篇混晶
  • 5篇砷化镓
  • 4篇应变量子阱
  • 4篇深能级
  • 4篇能级
  • 4篇晶体
  • 4篇GAASP
  • 3篇深中心
  • 3篇晶体生长
  • 3篇化合物
  • 3篇ALGAAS
  • 2篇单晶
  • 2篇砷化合物
  • 2篇施主
  • 2篇铟镓砷
  • 2篇镓化合物
  • 2篇外延层
  • 2篇量子
  • 2篇化合物半导体

机构

  • 26篇厦门大学
  • 1篇东北大学
  • 1篇昆明物理研究...

作者

  • 26篇黄启圣
  • 15篇康俊勇
  • 9篇吴正云
  • 5篇余辛
  • 3篇詹华瀚
  • 3篇王小军
  • 2篇林虹
  • 1篇陈主荣
  • 1篇吴河浚
  • 1篇张元常
  • 1篇张文清
  • 1篇陈朝
  • 1篇王家库
  • 1篇小川智哉
  • 1篇洪雁

传媒

  • 5篇Journa...
  • 5篇物理学报
  • 4篇厦门大学学报...
  • 3篇第四届全国发...
  • 2篇发光学报
  • 2篇人工晶体学报
  • 1篇光电子．激光
  • 1篇红外与毫米波...
  • 1篇红外技术
  • 1篇半导体光电
  • 1篇量子电子学

年份

  • 2篇2001
  • 1篇2000
  • 3篇1999
  • 2篇1998
  • 5篇1997
  • 2篇1996
  • 3篇1995
  • 1篇1994
  • 1篇1992
  • 2篇1991
  • 1篇1989
  • 3篇1986
共 26 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
GaN外延层中的缺陷对光学性质的影响被引量：1
1999年
用金属有机化合物气相外延（ＭＯＶＥＰ）方法生长具有不同表面形貌的非掺杂ＧａＮ，并对部分样品的外延层表面进行镜面加工．用阴极射线发光、光散射和拉曼散射方法观察ＧａＮ中深能级发光、缺陷散射光分布和拉曼散射光频移．结果表明，缺陷不但影响ＧａＮ的发光和光散射。
康俊勇黄启圣小川智哉
关键词：光学性质外延层氧化镓
半导体激光器激活区中一维量子线的研制
1995年
采用一维量子线阵列结构作为激活区的半导体激光器与采用二维量子阱结构激活区的常用激光器相比，具有许多优越的性能。利用能量为４０ＫｅＶ的Ｇａ＋离子注人到Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ／ＧａＡｓ二维量子阱，再经白光快速退火，制备了线宽５００～４０ｎｍ的一维量子线并研究其光电特性。
吴正云吴河浚黄启圣
关键词：半导体激光器量子尺寸效应离子注入
InGaAs/GaAs应变单量子阱的表面光伏谱被引量：1
1998年
采用表面光伏谱方法，测量了应变ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ单量子阱在不同温度下光伏效应．结合理论计算对样品表面光伏谱的谱峰进行了指认，分析了量子阱内子能级间的跃迁能量。
余辛吴正云黄启圣
关键词：应变量子阱砷化镓INGAAS
InGaAs/GaAs应变量子阱的低温光伏谱被引量：1
1997年
用光伏谱方法研究了ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ应变量子阱结构中各子能级间的光跃迁，并与理论计算的结果进行了比较．分析了光伏谱峰能量随阱宽与温度的变化，并讨论了光伏谱峰强度的温度关系．
吴正云王小军余辛黄启圣
关键词：应变量子阱
AlGaAs混晶中的Sn施主深能级
1991年
用DLTS(深能级瞬态谱)及光照DLTS方法研究了不同组分(x=0.26、0.40、0.53)的 Al_xGa_(1-x)As:Sn材料。所有实验样品的DLTS谱都出现两个多子谱峰A和B。在光照下,低温处的A峰更为明显。实验分别测量了A、B能级的发射及俘获的瞬态过程,用混晶无序引起能级展宽模型拟合了实验数据,得到它们的发射激活能,俘获势垒及其组分关系。分析表明,A 及B能级同属于Sn替位施主杂质,并证明DX中心深能级的复杂性。
康俊勇林虹黄启圣
关键词：ALGAASSN深能级
Laplace缺陷谱方法研究被引量：1
1997年
本文讨论了研究半导体缺陷深能级瞬态谱中遇到的多指数分解问题，并使用共轭梯度计算法对瞬态谱进行数值Laplace逆变换处理来实现多指数瞬态的分解．结果表明，此方法具有较高的分辨率，而且存储和计算量较小，适用于进行常规的深能级瞬态精细结构测量．
詹华瀚康俊勇黄启圣
关键词：深能级
用共轭梯度法分解多指数瞬态
1997年
采用共轭梯度法处理半导体深能级研究中遇到的多指数瞬态分解问题，数值计算表明这种方法具有较高的分辨率，可应用于多指数函数分解和电子发射过程的精细结构研究．
詹华瀚康俊勇黄启圣
关键词：共轭梯度法半导体
用光伏谱方法研究InGaAs/GaAs应变量子阱的性质被引量：2
1997年
采用低温光伏谱方法，研究了应变Ｉｎ０１８Ｇａ０８２／ＧａＡｓ单量子阱结构中各子能级之间的光跃迁，并与理论计算的结果进行比较，对光伏谱的谱峰跃迁能量随温度变化的分析，表明量子阱中的应变与温度基本无关．研究了光伏谱的谱峰半高宽度随温度的变化关系．讨论了声子关联。
吴正云王小军余辛黄启圣
关键词：铟镓砷砷化镓应变量子阱
Ⅲ-V化合物及混晶中的深中心
黄启圣
关键词：辐照驰豫
液封坩埚下降法生长非掺杂InP单晶的特性研究
1997年
用液封坩埚下降（ＬＥ－ＶＢ）法沿〈１００〉晶向成功地生长了非掺杂ＩｎＰ单晶．ＬＥ－ＶＢ晶体的４．２Ｋ光致发光谱包含束缚于中性浅受主上的激子发光、与Ｚｎ受主相关的施主－受主（ＤＡ）对发光及其声子伴线、以及与本征缺陷等有关的深能级发光三部分．通过与液封直拉（ＬＥＣ）生长的籽晶的光致发光谱比较表明，在ＬＥ－ＶＢ晶体中，束缚于中性浅受主上的激子发光与籽晶中的相差不大；ＤＡ对发光的晶格弛豫比籽晶中的小；与本征缺陷等有关的深能级发光强度比籽晶中的弱．晶体的室温光致发光谱仅包含带—带发光，其发光强度形貌测试结果表明，ＬＥ－ＶＢ晶体的带—带发光强度比ＬＥＣ籽晶的强．用Ｈｕｂｅｒ法对晶片腐蚀的结果表明，在ＬＥ－ＢＶ晶体中，位错密度仅为ＬＥＣ籽晶中的三分之一．分析认为，在ＬＥ－ＶＢ晶体中，本征缺陷和位错等浓度较低，可能是其带—带发光强度比在ＬＥＣ籽晶中强的物理起因．
康俊勇黄启圣松本文夫福田承生
关键词：化合物半导体光致发光晶体生长
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