您的位置： 专家智库 > >

何卫

作品数：5 被引量：90H指数：3
供职机构：清华大学材料科学与工程系更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 5篇电子电信
  • 1篇化学工程

主题

  • 4篇陶瓷
  • 3篇金属化
  • 2篇氮化
  • 2篇氮化铝
  • 2篇基片
  • 2篇封装
  • 1篇氮化铝陶瓷
  • 1篇电子封装
  • 1篇电子封装技术
  • 1篇多层基板
  • 1篇多层结构
  • 1篇多层陶瓷
  • 1篇陶瓷金属化
  • 1篇热力学
  • 1篇微电子
  • 1篇微电子技术
  • 1篇金属
  • 1篇金属化布线
  • 1篇化学反应
  • 1篇基板

机构

  • 5篇清华大学

作者

  • 5篇田民波
  • 5篇何卫
  • 4篇梁彤翔
  • 3篇李恒德
  • 1篇王英华

传媒

  • 2篇功能材料
  • 1篇硅酸盐通报
  • 1篇半导体情报
  • 1篇宇航材料工艺

年份

  • 1篇1997
  • 2篇1995
  • 2篇1994
共 5 条 记 录，以下是 1-5
全选 清除 导出
排序方式：
陶瓷金属化中的化学反应及热力学考虑被引量：3
1994年
微电子技术中基板的金属化是为了安装IC芯片和布线,应用较广泛的金属化方法是厚膜技术.厚膜金属化是一个复杂的物理化学过程,厚膜的附着主要通过玻璃结合和反应结合两种方法来实现.要提高厚膜的附着力和电性能等.必须考虑化学反应的热力学,选择合适的导体浆料,主要是玻璃料和活性粘合剂,有效地控制金属化层与陶瓷的界面.玻璃结合与反应结合的结合是提高厚膜质量的有效手段.
梁彤翔田民波何卫王英华李恒德
关键词：陶瓷金属化微电子技术
AlN-W多层共烧结基片的界面分析被引量：1
1994年
本文利用光学显微镜和扫描电镜对共烧结多层ＡｌＮ－Ｗ界面特征进行了观察与研究。光学显微镜观察表明：Ａｌ－Ｗ共烧界面为起伏交错的交联状，ＡｌＮ和Ｗ各自嵌入到对方基体中。ＳＥＭ进一步观察表明，内交联的界面实现了Ｗ层在ＡｌＮ基体上的附着。界面处无明显的次生相生成。ＳＥＭ的能谱（ＥＤＡＸ）对界面上的Ａｌ和Ｗ元素分布进行表明：在几微米的分辨率范围内，既没有Ｗ向ＡｌＮ层的扩散，也没有Ａｌ向Ｗ层的扩散。通过对剥离Ｗ膜界面侧Ｗ形貌与自由表面Ｗ形貌对比观察表明，共烧界面Ｗ的重结晶与晶粒长大受到ＡｌＮ的制约，晶粒呈小晶粒结构。
何卫田民波梁彤翔
关键词：氮化铝陶瓷钨多层结构
电子封装技术和封装材料被引量：75
1995年
本文介绍了电子封装的各种类型，综述了电子封装技术与封装材料的现状及发展趋势，重点讨论了高热导ＡＩＮ基片金属化及ＡＩＮ－Ｗ多层共烧工艺。
田民波梁彤翔何卫
关键词：电子封装ALN陶瓷金属表面安装技术
多层基板中的多层陶瓷共烧技术被引量：5
1995年
多层陶瓷共烧基板是一种成本低、性能可靠、布线层数多的基板制作技术，多层基板是实现高密度封装的关键技术之一。本文介绍了多层陶瓷共烧基板的制作技术、材料选择、应用和发展趋势，着重介绍了ＡＩＮ多层基板的烧结和金属化。
田民波梁彤翔何卫李恒德
关键词：封装陶瓷基板金属化
AlN基片金属化Ag-Pd厚膜导体研究被引量：6
1997年
在ＡｌＮ基片上采用Ａｇ－２０％Ｐｄ浆料实现了厚膜金属化布线。膜层的附着力、表面电阻、可焊性及耐焊料的腐蚀能力都不亚于Ａｌ２Ｏ３基片上的情况。在烧结过程中，熔化的玻璃料向基片表面流动富集，而导体粉料变成网状结构。结果，界面附近的玻璃与导体层之间形成“交联”结构，而与基极之间形成“镶嵌”结构。为了获得这种附着性能良好的界面结构，玻璃料应具有５００～６００℃合适的软化点，且能润湿金属及ＡｌＮ基片。
田民波何卫李恒德
关键词：氮化铝基片基片厚膜金属化布线
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0