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刘瑞喜
作品数:
17
被引量:17
H指数:3
供职机构:
兰州大学
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发文基金:
国家重点基础研究发展计划
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相关领域:
电子电信
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合作作者
李思渊
兰州大学物理系
杨建红
兰州大学物理系
刘肃
兰州大学物理系
何山虎
兰州大学
黄仕琴
兰州大学物理科学与技术学院
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静电感应晶闸...
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静电感应器件
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SIT
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刘瑞喜
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电力电子技术
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应用科学学报
年份
1篇
2004
2篇
2003
1篇
2001
1篇
2000
2篇
1999
4篇
1998
3篇
1996
3篇
1995
共
17
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相关度排序
被引量排序
时效排序
100A/1200V静电感应晶闸管参数设计的探讨
被引量:1
1999年
讨论了电力静电感应晶闸管的主要电参数与器件结构的关系,以及电参数的工艺调节。设计了100A/1200V的器件并给出了研制结果。
薛传明
李思渊
刘瑞喜
黄仕琴
关键词:
晶闸管
静电感应晶闸管
电参数
参数设计
FP腔半导体激光器的腔内损耗和准费米能级差的测量(英文)
2003年
利用一种拟合方法测量FP腔半导体激光器的腔内损耗和准费米能级差 .从放大的自发发射谱 ,利用Cassidy方法得到用于拟合过程的增益谱和单程放大的自发发射谱 .利用上述方法 ,测出的 15 5 0nmInGaAsP量子阱脊型波导结构激光器的腔内损耗大约为 2 4cm-1.
韩春林
刘瑞喜
国伟华
于丽娟
黄永箴
关键词:
半导体激光器
测量技术
腔内损耗
静电感应晶体管(SIT)电性能参数的研究
被引量:2
2000年
讨论了 SIT(静电感应晶体管 )的基本电性能参数以及它们之间的关系 .通过这些电参数对器件 I- V特性的影响 ,系统地研究了为改善器件电性能应对各参数进行怎样的调控 ,以便为在SIT的制造中调整好器件的结构。
孟雄晖
李思渊
刘瑞喜
关键词:
静电感应晶体管
电性能参数
电流-电压特性
复合结构的静电感应器件
被引量:6
1996年
复合结构的静电感应器件李思渊,刘肃,刘瑞喜,杨建红(兰州大学)关键词静电感应器件,复合结构,I~V特性表面栅结构(S--8)和埋栅结构(HS)作为静电感应器件的基本结构已由若干作者进行过研究”-”.近几年我们采用了一种介于上述两种结构之间的结构(用0...
李思渊
刘肃
刘瑞喜
杨建红
关键词:
静电感应器件
复合结构
BSIT开启特性的研究
被引量:1
1996年
双极型静电感应晶体管(BSIT)以其高电流增益,低饱和压降以及高的开关速度等优异性能受到人们的广泛关注.但对其作用机制,特别是正栅压下的开启特性还需进一步深入研究.在实验观测的基础上,对BSIT开通过程进行了理论分析和二维数值模拟.结果表明,BSIT的完全开通须经过不同作用机制的两个阶段的转变,即由正向小栅压(VG≤0.5V)下的势垒控制机制转变为大栅压(VG≥0.5V)下的少子注入电流控制机制.数值计算给出的结果有:小栅压下沿沟道中心线的电势分布;沿沟道的少子和电场分布;开态的I-V特性;通态压降与饱和电流随正栅压的变化;通态电阻随栅压和材料参数的变化;特别是电流增益随栅压。
李思渊
刘瑞喜
李成
刘肃
杨建红
韩永召
关键词:
双极型
静电感应晶体管
静电感应晶闸管(SITH)沟道势垒的分析
被引量:3
1995年
首先对SITH通态和阻断态的I-V特性给出了物理考察和解释,然后在解析方法所得沟道电势分布表达的基础上,用有限差分法和迭代法精确地求解了沟道电势,得到了马鞍状的势分布,进而研究了沟道势垒随偏压的变化。
李思渊
刘瑞喜
李成
席传裕
刘肃
杨建红
关键词:
静电感应晶闸管
沟道
势垒
晶闸管
全文增补中
复合结构的晶体管制造方法及晶体管
本发明涉及一种固体器件,特别是双极型静电感应器件的制造方法和用这种方法制造的晶体管,以及一种新结构的双极型静电感应器件。本发明的目的通过下述方式实现:首先在衬底材料表面形成绝缘层,然后在绝缘层上刻出第一扩散的窗口,用扩散...
李思渊
杨建红
何山虎
刘肃
刘瑞喜
桑保生
毕祥林
卓肇龙
马淑萍
卢小莹
马中华
杨利成
任立
文献传递
静电感应晶闸管(SITH)的理论分析(续)
1995年
静电感应晶闸管(SITH)的理论分析(续)兰州大学(兰州730001)李思渊,刘瑞喜,刘肃,杨建红,李成3沟道电势的解析理论3.1 模型SITH的开通与关断,从根本上说来决定于沟道势垒的存在及其随偏压的变化。因此,对沟道势垒的分析成为研究问题的核心。...
李思渊
刘瑞喜
刘肃
杨建红
李成
关键词:
静电感应晶闸管
SITH
静电感应晶体管(SIT)电性能的控制
被引量:2
1998年
静电感应晶体管(SIT)的I-V特性(包括类三极管、类五极管以及三一五极管的混合特性)与器件的结构密切相关.沟道长度lc、沟道宽度dc、比值lc/dc以及沟道掺杂浓度ND等均为确定SIT运用方式的重要参数.如何控制这些参数并达到最佳匹配进而实现优良的I-V特性,是个关键而且困难的问题.本文给出了上述参数控制的一般原则、方法,还给出了控制的判据,引人了一个控制因子β,特别是对混合特性的控制问题进行了详细的讨论.由于混合特性低的通态电阻和高的AC功率效率,它更为适于低阻负载直接驱动电路.
李思渊
刘瑞喜
李海蓉
关键词:
静电感应晶体管
电性能
SIT
沟道长度
静电感应晶体管I-V特性的控制
被引量:3
1998年
静电感应晶体管(SIT)的I-V特性(包括类三极管、类五极管以及三-五极管的混合特性)与器件的结构及参数密切相关。沟道长度lc、沟道厚度dc、比值lc/dc以及沟道掺杂浓度ND等均为确定SIT工作方式的重要参数。给出了上述参数控制的一般原则、方法,引入了一个控制因子β,特别是对混合特性的控制进行了讨论。
刘瑞喜
李思渊
关键词:
静电感应晶体管
I-V特性
SIT
晶体管
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