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吕业刚

作品数：72 被引量：7H指数：1
供职机构：宁波大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金宁波市自然科学基金浙江省自然科学基金更多>>
相关领域：理学电子电信一般工业技术金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 62篇专利
  • 8篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 7篇电子电信
  • 7篇理学
  • 5篇一般工业技术
  • 4篇金属学及工艺
  • 1篇经济管理
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇轻工技术与工...

主题

  • 45篇相变存储
  • 40篇存储器
  • 35篇相变存储器
  • 19篇相变
  • 17篇晶态
  • 15篇相变材料
  • 13篇纳米
  • 13篇溅射
  • 11篇功耗
  • 10篇SUB
  • 10篇衬底
  • 10篇衬底材料
  • 9篇低功耗
  • 9篇化学结构
  • 9篇化学结构式
  • 8篇纳米线
  • 7篇温度
  • 7篇结晶温度
  • 7篇工作气体
  • 6篇单质

机构

  • 50篇宁波大学
  • 18篇中国科学院
  • 4篇湖南科技学院
  • 3篇湘潭大学
  • 1篇广东石油化工...

作者

  • 72篇吕业刚
  • 38篇沈祥
  • 36篇王国祥
  • 26篇戴世勋
  • 17篇宋三年
  • 17篇宋志棠
  • 14篇聂秋华
  • 9篇陈益敏
  • 7篇吴良才
  • 7篇徐铁峰
  • 7篇王慧
  • 7篇饶峰
  • 7篇刘波
  • 6篇陈飞飞
  • 6篇张巍
  • 6篇李军建
  • 6篇王苗
  • 4篇王东明
  • 4篇李超
  • 4篇马亚东

传媒

  • 4篇物理学报
  • 2篇湖南科技学院...
  • 1篇功能材料
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇第16届全国...

年份

  • 4篇2023
  • 4篇2022
  • 2篇2021
  • 1篇2020
  • 7篇2019
  • 8篇2018
  • 8篇2017
  • 8篇2016
  • 8篇2015
  • 2篇2014
  • 4篇2013
  • 6篇2012
  • 5篇2011
  • 2篇2010
  • 2篇2009
  • 1篇2007
共 72 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种Ge‑Sb‑Se硫系纳米线的制备方法
本发明公开了一种Ge‑Sb‑Se硫系纳米线的制备方法，特点是采用高纯度的Ge<Sub>20</Sub>Sb<Sub>15</Sub>Se<Sub>65</Sub>玻璃粉末作为原料，采用水平管式炉装置，以高纯氩气作为工作气...
李增光吕业刚马亚东沈祥王国祥戴世勋
文献传递
一种用于高密度相变存储器的多层纳米复合薄膜材料及其制备方法
本发明公开了一种用于高密度相变存储器的多层纳米复合薄膜材料及其制备方法，特点是多层纳米复合薄膜材料为GaSb/Sb<Sub>4</Sub>Te多层复合薄膜，其结构符合下列通式：[GaSb/Sb<Sub>4</Sub>Te...
吕业刚王苗沈祥王国祥戴世勋
文献传递
一种相变存储材料及其制备方法
本发明涉及一种相变存储材料及其制备方法，其中所述相变存储材料为镓-锑-硒的化合物。化学组分为Ga<Sub>x</Sub>Sb<Sub>y</Sub>Se<Sub>z</Sub>，其中4&lt;x&lt;40, 25&lt...
吕业刚宋三年宋志棠刘波饶峰吴良才
文献传递
一种基于狭缝相变复合波导的全光相变多级存储器
本发明公开了一种基于狭缝相变复合波导的全光相变多级存储器，包括SiO<Sub>2</Sub>基底，特点是SiO<Sub>2</Sub>基底上设置有上下两条矩形直波导，两条矩形直波导之间设置有微环波导，微环波导与矩形直波导...
吕业刚蔡林莹徐培鹏
一种用于相变存储器的Sb-Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>薄膜材料及其制备方法
本发明公开了一种用于相变存储器的Sb‑Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>薄膜材料及其制备方法，特点是其化学结构是为Sb<Sub>x</Sub>(Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>)...
吕业刚汪子洋廖立波
一种纳米复合ZnO-ZnSb相变存储薄膜材料及其制备方法
本发明公开了一种纳米复合ZnO‑ZnSb相变存储薄膜材料及其制备方法，特点是其材料化学结构式为(ZnSb)<Sub>100‑x</Sub>(ZnO)<Sub>x</Sub>，0&lt;x&lt;20，其制备方法步骤如下：...
王国祥李超聂秋华沈祥吕业刚张亚文
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用于相变存储器的Sn-Ge-Te薄膜材料及其制备方法
本发明公开了一种用于相变存储器的Sn-Ge-Te薄膜材料及其制备方法。该薄膜材料是一种锡、锗、碲三种元素组成的材料，其通式为Sn<Sub>x</Sub>Ge<Sub>y</Sub>Te<Sub>z</Sub>，其中0＜x...
张中华宋三年宋志棠彭程吕业刚
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一种易失性至非易失性存储调控的二氧化钒-富Sb相变薄膜材料及其制备方法
本发明公开了一种易失性至非易失性存储调控的二氧化钒‑富Sb相变薄膜材料及其制备方法，特点是其化学结构式为(VO<Sub>2</Sub>)<Sub>x</Sub>(Sb<Sub>4</Sub>Te)<Sub>100‑x</...
吕业刚李洋
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一种基于相变纳米线的集成型全光存储器件及其制备方法
本发明公开了一种基于相变纳米线的集成型全光存储器件及其制备方法，特点是包括波导、与波导两端相连的布拉格光栅垂直耦合器以及、波导上且与波导平行的相变纳米线，其制备方法步骤包括在硅基底上利用曝光刻蚀工艺制备出波导及其两端的布...
吕业刚徐培鹏沈祥戴世勋
文献传递
相变存储材料及其制备方法、具有相变存储材料的存储器及其制备方法
本发明提供一种相变存储材料及其制备方法、具有所述相变存储材料的存储器及其制备方法，其中所述相变存储材料为镓-锑的化合物，化学计量为Ga<Sub>x</Sub>Sb<Sub>100-x</Sub>，其中，0&lt;x&lt...
吕业刚宋三年宋志棠
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