安振峰
- 作品数：70 被引量：155H指数：7
- 供职机构：中国电子科技集团公司第十三研究所更多>>
- 发文基金：河北省自然科学基金河北省科技攻关计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 941nm连续波高功率半导体激光器线阵列被引量：4
- 2004年
- 用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)技术生长了InGaAs/GaAs/AlGaAs分别限制应变单量子阱激光器材料。利用该材料制成了半导体激光器线阵列,连续波工作条件下的中心激射波长、为940.5nm,输出功率高达37.7W(45A、2.0V),斜率效率可达0.99W/A(外微分量子效率为77％),最高转换效率超过45％,阈值电流密度为117A/cm^2,该波长的半导体激光器是Yb:YAG固体激光器的理想泵浦源。
- 辛国锋花吉珍陈国鹰康志龙安振峰冯荣珠
- 关键词：高功率金属有机化合物气相淀积半导体激光器阵列单量子阱
- 大功率半导体光放大器的耦合工艺研究
- 2009年
- 针对高速大功率半导体激光器,设计了主振激光器与半导体光放大器分立集成的高速大功率半导体激光器组件,并对其中半导体光放大器(SOA)的光纤耦合技术进行了研究,采用单模光纤耦合技术以及光路可逆原理设计了SOA的注入端耦合光路,实现了主振激光器到SOA的高效注入,耦合效率大于50%,采用微透镜组技术设计了SOA输出端的耦合光路,实现了Φ62.5μm的光纤耦合输出238mW。同时针对光纤耦合工艺,利用Ansys软件对耦合结构进行了激光焊接耦合工艺的热应力分析,得到了优化的焊接工艺条件,并对耦合中存在的应力进行了释放处理,有效提高了输出功率的稳定性。
- 任浩王伟刘会民王晓燕安振峰
- 关键词：半导体光放大器光纤耦合激光器焊接应力
- 采用MOCVD生长方法制备量子级联激光器研究进展
- 量子级联激光器(QCL)是一种基于子带间电子跃迁的中、远红外波段单极光源。由于MOCVD较MBE具有更快的生长速率,高质量的磷化物生长、低缺陷密度等优势更适合工业化生产,越来越多的量子级联激光器采用这种方法制备,并实现了...
- 林琳陈宏泰杨红伟刘英斌安振峰
- 关键词：量子级联激光器MOCVD
- 文献传递
- 半导体侧泵模块激光晶体内吸收光场分析被引量：4
- 2014年
- 建立了半导体侧面泵浦模块中激光晶体的吸收光场分布模型,利用Matlab软件计算了吸收光场的归一化分布形貌,提出了两个重要参数：阵列切向位移量与径向角度偏离度。结果表明：当阵列切向位移量为0~0.5 mm时,晶体相对吸收强度、光场均匀性等参数基本不变;当该数值大于0.5 mm时,吸收强度急剧下降、光场不均匀性急剧增加;相比而言,径向角度偏移对晶体吸收光场分布的影响较小,总体上呈现随着该数值的增加,吸收强度减小、光场不均匀性增加。以上研究结论为目前半导体侧泵模块的研制生产提供了理论指导。
- 闫立华任浩刘小文袁春生王媛媛房玉锁任永学王英顺徐会武安振峰
- 关键词：侧面泵浦
- 实现大角度均匀照射的半导体激光器及光场拼接方法
- 本发明公开了一种实现大角度均匀照射的半导体激光器及其光场拼接的方法。所述半导体激光器包括上表面为弧面的底座和至少一组激光器阵列单元组；所述激光器阵列单元组至少包括一个激光器阵列单元。所述激光器阵列单元包括三角楔形管座、位...
- 王晓燕闫立华赵润常会增徐会武陈宏泰安振峰
- 半圆形半导体激光器阵列准直工艺方法研究
- 2008年
- 通过试验,分析并验证了半圆形半导体激光器阵列准直后光束指向发生偏移的原因,证明了烧结过程对准直光束指向性的影响。为避免烧结过程对准直工艺的影响,设计了一种的新的半圆形半导体激光器阵列的准直工艺方法,并设计了半圆形半导体激光器阵列准直工艺平台,实现了对半圆形半导体激光器在组装、烧结后进行阵列准直;同时采用两点一线的原理,设计了用于半圆形半导体激光器阵列准直的双屏监测方法,有效提高了准直的指向准确性和工作效率。通过一对半圆形器件对Ф3mm的固体棒进行泵浦试验,工艺改进后的泵浦增益有了明显提高,泵浦功率为2.3kW时,增益提高了大约15%。
- 任浩王伟刘会民徐会武王晓燕安振峰
- 关键词：半导体激光器准直光束质量
- 光发射模块的研究与发展
- 介绍了光发射模块的工作原理,发展现状;详细分析了光发射模块在电路设计,封装,及总体设计上的关键技术,给出了当前光发射模块的研究发展方向。
- 郭艳菊安振峰高丽艳陈国鹰
- 关键词：光发射模块封装
- 文献传递
- 4 mm腔长高功率单管半导体激光器封装应力的研究被引量：4
- 2014年
- 为了减小长腔长高功率单管半导体激光器在封装过程中引入的热应力,根据应力改变禁带宽度的原理,理论上推导了应力与波长漂移的关系,提出了一种通过测量激光器脉冲条件下的光谱来定量计算激光器应力的方法。利用这种方法得到的研究结果表明,焊接质量直接决定着应力的大小,由焊接质量的不同引起的应力差值超过了300MPa,提出了优化焊接回流曲线的方法,使激光器的应力由原来129.7 MPa降低到53.4MPa,该方法还有效的解决了封装应力随储存时间变化的问题。实验表明,激光器光谱图的测量分析是研究高功率单管半导体激光器封装应力的有效方法,也是检测分析烧结工艺的有效手段。
- 张勇杨瑞霞安振峰刘小文徐会武
- 关键词：光谱
- 10%占空比大功率半导体激光器线阵列被引量：5
- 2004年
- 利用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)技术生长了分别限制应变单量子阱激光器材料。利用该材料制成半导体激光(LD)线阵列的峰值波长为939.5nm,光谱的半高全宽(FWHM)为2.3nm,在400μs、250Hz的输入电流下,输出峰值功率达到65W(75A),斜率效率高达1W/A,阈值电流密度为185A/cm2,最高转换效率可达42%。
- 康志龙辛国锋陈国鹰花吉珍安振峰郭艳菊高丽艳
- 关键词：线阵列大功率半导体激光器峰值功率FWHM单量子阱激光器LD
- 高效封装结构的大功率半导体激光器线阵列
- 本实用新型公开了一种高效封装结构的大功率半导体激光器线阵列，它涉及半导体激光器件领域中高效散热激光器件的制作。它由无氧铜热沉、上电极转接焊片、上电极、绝缘垫片、线阵列二极管激光芯片等部件构成。它采用厚薄台阶形结构上电极转...
- 安振峰赵卫清
- 文献传递
