宋经纬
- 作品数：4 被引量：1H指数：1
- 供职机构：西华师范大学物理与电子信息学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金浙江省科技厅新苗人才计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- Ⅱ-Ⅵ族半导体纳米晶体的掺杂研究进展被引量：1
- 2009年
- 介绍了Ⅱ-Ⅵ族半导体纳米晶体的掺杂技术和几种典型的掺杂工艺;综述了掺杂对半导体纳米晶体的光、电特性的影响;列举了近几年掺杂技术取得的研究成果;重点阐述了现阶段利用胶体法进行半导体纳米晶体掺杂的掺杂机理、以及掺杂效率所存在的问题。引进新型掺杂理论——动力学理论,该模型忽略了扩散作用的影响,重点讨论杂质在纳米晶体表面的驻留情况,可以有效解释Ⅱ-Ⅵ族纳米半导体的掺杂机理,提高掺杂浓度。最后,对其未来的发展方向进行了展望,指出开创新型掺杂理论、研发实用化掺杂工艺以及拓展应用领域是未来Ⅱ-Ⅵ族纳米半导体的主要研究方向。
- 王醉马锡英宋经纬陈中平杨爱国姚江宏
- 关键词：半导体纳米晶体掺杂光电特性
- Si纳米线及其器件研究进展
- 2009年
- Si纳米线是一种非常重要的一维半导体纳米材料,在纳米器件方面有很好的应用前景。综述了Si纳米线的一些重要制备方法:激光烧蚀法、模板法、化学气相生长法、热蒸发法,简要介绍了各种制备方法过程并分析各种方法制备纳米线的优缺点。还介绍了Si纳米线所制备纳米器件的电学、电子输运等特性,说明了掺硼、掺磷纳米线分别具有p型、n型半导体特征。最后介绍了Si纳米线在电子器件、纳米线电池、传感器方面的相关应用。
- 宋经纬周祥谌家军马锡英
- 关键词：SI纳米线电学特性
- 硅纳米线的PECVD生长研究
- 2010年
- 本文以硅烷(SiH4)为反应气体,利用等离子体化学气相沉积(PECVD)方法在硅(100)衬底上生长硅纳米晶体、纳米线。应用扫描电镜观察不同条件下生长的样品表面,发现衬底条件对硅纳米结构的影响十分显著。在温度、压强等其它条件相同的情况下,对硅衬底应用Fe3+催化剂处理后,呈纳米线状结构生长,而无Fe催化剂涂覆情况下,基本呈纳米晶体状生长,说明催化剂对Si纳米线的生成起了重要的促进生长作用。通过进一步研究硅纳米晶体、纳米线的等离子增强化学气相生长机理,发现它们以气-液-固(VLS)机制生长。
- 徐泓宋经纬周祥吴金姿陈忠平马锡英
- 关键词：硅纳米线PECVD催化剂
- La基高k栅介质的研究进展
- 2010年
- SiO2作为栅介质已无法满足MOSFET器件高集成度的需求,高k栅介质材料成为当前研究的热点。综述了高k栅介质材料应当满足的各项性能指标和研究意义,总结了La基高k栅介质材料的最新研究进展,以及在改正自身缺点时使用的一些实验方法,指出了有可能成为下一代MOSFET栅介质的几种La基高k材料。La基高k材料的研究为替代SiO2的芯片制造工艺提供优异的候选材料及理论指导,这是一项当务之急且浩大的工程。
- 陈伟方泽波马锡英谌家军宋经纬
- 关键词：高K栅介质二氧化硅金属氧化物半导体场效应晶体管
