张光沉
- 作品数：10 被引量：44H指数：3
- 供职机构：北京工业大学电子信息与控制工程学院更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划北京市自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- GaN基大功率白光LED的高温老化特性被引量：19
- 2011年
- 对大功率GaN基白光LED在85℃下进行了高温加速老化实验。经6 500 h的老化,样品光通量退化幅度为28%～33%。样品的I-V特性变化表明其串联电阻和反向漏电流不断增大,原因可归结为芯片欧姆接触的退化及芯片材料中缺陷密度的提高。样品的热特性变化显示出各结构层热阻均明显增大,这是由散热通道上各层材料的老化及焊料层出现大面积空洞引起的。分析表明,高温老化过程中芯片和封装材料的退化共同导致了LED的缓变失效。
- 周舟冯士维张光沉郭春生李静婉
- 关键词：大功率白光LED热阻
- AlGaInP大功率发光二极管发光效率与结温的关系被引量：7
- 2011年
- 目前,AlGaInP大功率发光二极管(LED)存在的主要问题是大电流工作时发热严重,主要是由于电流扩展不均匀、出光面电极对光子的阻挡和吸收以及器件材料与空气折射率之间的差距引起的全反射现象,这些因素造成大功率LED出光受到限制、发光效率低、亮度不高.提出了一种复合电流扩展层和复合分布式布拉格反射层(DBR)的新型结构LED,使得注入电流在有源区充分地扩散,同时提高了常规单DBR对光子的反射率.结果显示,这种新型结构LED比常规结构LED的性能得到了很大的提升,350mA注入电流下两者的输出光功率分别为49.48和17mW(未封装).同时,对器件发热进行了量化测试,分析了LED发光效率与结温的关系,在350mA注入电流下新型结构LED与常规结构LED的流明效率的比值与结温升的比值保持一致,通过减少内部发热,控制结温可以大大提高LED的发光效率.
- 陈依新沈光地高志远郭伟玲张光沉韩军朱彦旭
- 关键词：出光效率结温
- 功率型白光LED光学特性退化分析被引量：3
- 2012年
- 将GaN基蓝光芯片涂敷YAG荧光粉和透明硅胶制成额定功率为1 W的白光发光二极管(LED),对其施加900mA的电流应力,在老化过程中测量白光LED的主要光学参数,考察其光学特性的退化情况。经过4 200h的老化,样品光通量退化为初始值的15%～18%。样品的漏电流明显增大,表明芯片有源区缺陷密度提高,但光谱分布图中蓝光部分的辐射量未减少,仅观察到黄光部分辐射量的减少,推断出YAG荧光粉的转换效率降低。同时,从原理上分析了样品色温逐渐增大,显色指数基本不变的原因,对大功率白光LED在照明领域的应用有一定的借鉴意义。
- 周舟冯士维郭春生张光沉吴艳艳
- 关键词：发光二极管光谱荧光粉显色指数
- Y波导调制器耦合处在低温冲击下的ANSYS模拟
- 2008年
- 使用ANSYS有限元分析软件,对Y波导调制器在受到从室温降至-55℃的低温冲击时,光纤与波导耦合处的应力分布和弹性位移进行了模拟。将计算结果与实验数据进行了对比。分析表明,由于材料性质的差异导致耦合处的受温形变是其低温下工作参数退化的主要原因之一,为器件温度特性的研究提供了有效参考。
- 王羽张小玲吕长志张光沉王同庆
- 关键词：ANSYS模拟
- 基于有限元分析的集成电路瞬态热模拟被引量：2
- 2010年
- 结合EDA软件Cadence及目前常用的有限元分析软件ANSYS模拟了芯片的瞬态热效应.将从电路仿真软件中得到的电学参数作为ANSYS软件的载荷,加载到从ANSYS中建立的热模型上,对芯片的瞬态工作状态进行了热仿真,模拟芯片工作时的瞬态温度分布.针对一个简单集成电路进行芯片级的瞬态热分析,通过调整热载荷脉冲时间得到了此电路的热时间常数;模拟了同一频率不同占空比下电路的热响应情况;模拟了相同时间、相同占空比、不同频率下电路的热响应情况.
- 苏蓉郭春生冯士维张斌张光沉
- 关键词：集成电路
- 大电流密度下欧姆接触退化机理的研究被引量：1
- 2009年
- 对大电流密度下欧姆接触的结构进行了改进,采用只对接触区域老化而其它区域非破坏性的结构特点,保证测量数据的真实有效性。工艺制备中采取多次SiO2铺垫多次光刻技术解决了引线电极断裂的可能。通过施加达到或超过105A/cm2电流密度,利用文中结构测得比接触电阻早期快速失效,且随电流密度增加退化加剧,对样品老化前后进行能谱分析得知,大电流密度下接触层中Al离子发生了扩散从而破坏了良好接触。
- 张跃宗冯士维郭春生张光沉庄四祥苏蓉白云霞吕长志
- 关键词：大电流密度欧姆接触比接触电阻
- 序进应力在线加速退化模型研究被引量：1
- 2011年
- 针对线下参数退化模型由于温度冲击而引入误差的问题,基于在线序进应力加速退化实验,建立了在线参数退化模型,提高了以参数变化为计算基础的参数退化模型的准确性.并以3CG120型高频晶体管为例,在150—230℃范围内进行了在线序进应力加速实验.利用建立的在线参数退化模型,得到3CG120型高频晶体管的寿命误差为6.5%,比线下参数退化模型的误差(23.2%)要小.
- 郭春生万宁马卫东熊聪张光沉冯士维
- GaAs基半导体激光器热特性被引量：8
- 2011年
- 对GaAs基808 nm半导体激光器进行恒流老化试验,并利用电学法观察退化过程中激光器有源区温度变化和热阻,发现有源区温度随老化时间明显上升,而热阻没有明显变化,同时测试了老化过程中激光器的电学和光学特性,经分析,激光器失效的主要原因是有源区载流子非辐射复合增加,引起激光器有源区温度上升,从而说明电学法热特性测试是检测激光器退化的有效方法之一,为进一步提高激光器的热管理技术和改善其热特性奠定了一定的基础。
- 乔彦彬冯士维马骁宇王晓薇郭春生邓海涛张光沉
- 关键词：电学法热特性半导体激光器阈值电流
- 多发光区大功率激光器的热特性分析(英文)被引量：2
- 2012年
- 通过电学温敏参数法测得多发光区大功率激光器瞬态加热响应曲线,利用结构函数法给出了多发光区激光器热阻构成,分析了多发光区激光器热特性。通过串并联热阻网络模型刻画了单发光区、两发光区、四发光区激光器的热阻构成,给出了激光器芯片热阻与发光区个数之间的定量关系。实验结果表明,不同发光区激光器的芯片级热阻随着发光区数量的增加成比例减小,而封装级热阻不变,这对激光器热设计提供了重要的参考准则。
- 李静婉冯士维张光沉熊聪乔彦斌郭春生
- 关键词：激光器热阻结构函数
- 基于大电流密度下欧姆接触退化的新方法被引量：2
- 2008年
- 在大电流密度下对欧姆接触结果进行考核,对传统的传输线法测量接触电阻率的结构与方法进行了改进,充分考虑到了半导体材料受到的影响,可达到只对接触区域老化而不破坏其他区域.工艺制备中实现台面刻蚀斜坡效果,并采取多次SiO_2淀积多次光刻技术,有效降低了引线电极断裂的概率.通过大电流密度老化结果显示:接触电阻率早期快速失效,且随电流密度及老化时间的增加而退化加剧.对样品老化前后进行能谱分析得知:接触层中的Al是一种较低的抗电迁移能力的金属,由于电迁移被冲击出来从而破坏了良好接触层.改进后的结构对测量大电流密度下的欧姆接触是一种好方法.
- 冯士维张跃宗孟海杰郭春生张光沉吕长志
- 关键词：大电流密度欧姆接触接触电阻率电迁移
