张金龙
- 作品数：37 被引量：174H指数：8
- 供职机构：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金吉林省科技发展计划基金吉林省科技厅重大项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程更多>>
- 1555nm宽带通滤光膜的设计和优化被引量：11
- 2013年
- 针对对空间通信的特殊需求,设计并制备了1 555 nm波段的高透过率、宽带通滤光膜,该滤光膜在高温高湿环境下能够稳定工作。根据薄膜设计理论,选取折射率差大的TiO2和SiO2作为镀膜材料,采用规整膜系进行膜系设计。借助Optilayer软件,采用针形优化和双面镀膜方法,得到优化的非规整膜系。采用直接与间接监控相结合的手段监控薄膜生长,并探讨了薄膜的生长条件。在电子束蒸发离子辅助沉积条件下,制备出中心波长处透过率达到97%,带宽为50 nm的滤光膜。在100℃高温和-30℃低温各保持3 h的条件下,波长漂移仅0.2 nm,具有高的稳定性和可靠性,满足空间通信的使用要求。
- 张金胜张金龙宁永强王立军
- 关键词：膜系设计
- 离子辅助沉积法制备SiO_2介质薄膜的应力研究被引量：5
- 2012年
- 在高功率垂直腔面发射激光器制作工艺中,生长出低应力、高质量、高稳定性的SiO2介质层非常关键。我们使用高效率LaB6离子源辅助,在低放电电流条件下,在GaAs衬底上沉积了SiO2,并对退火的应力影响进行了测试。在有离子辅助沉积时,对不同生长速率、不同厚度的应力影响进行了研究,对沉积过程进行了分析。结果表明:离子辅助沉积的SiO2薄膜的应力远小于常规工艺条件下沉积的薄膜的应力,且退火后应力变化小。
- 张金胜张金龙宁永强
- 关键词：离子辅助沉积SIO2薄膜应力
- 快速响应液晶显示器的设计、制备及特性研究
- 张金龙
- 关键词：响应速度
- 高功率垂直腔面发射激光器的光束准直特性被引量：4
- 2011年
- 基于高斯光束的准直原理,针对不同结构参数的大功率垂直腔面发射激光器光束特征,通过选用合适参数的透镜,研究了不同连续和脉冲电流条件激励下光束的准直特性。对于出光口径为200μm的器件,通过f=3.1 mm,NA=0.68的透镜,连续工作条件下,准直后的最小发散角达到1°;在电流为40 A、脉宽60 ns、重复频率1 kHz的脉冲工作条件下,准直后的最小发散角达到2°。实验还证明,在NA不变的条件下,准直后的最小发散角随透镜焦距的增大而线性减小。
- 田振华胡永生秦莉张金龙宁永强王立军刘云
- 关键词：面发射激光准直高功率
- 大功率半导体激光器抗腔面灾变性光学损伤技术综述被引量：8
- 2020年
- 激光器腔面灾变性光学损伤对大功率半导体激光器的最大输出功率和可靠性有很大的负面影响,是激光器突然失效的主要机制。如何克服腔面灾变性光学损伤,从而获得高性能的大功率半导体激光器成为重要的研究课题。文章首先对腔面灾变性光学损伤的研究历程进行了简要介绍,随后论述了腔面灾变损伤的物理机制及热动力学过程,最后从技术原理、方法、优缺点、改进方法、研究进展及应用现状的角度,逐一对各种抑制腔面灾变损伤的方法进行了归纳和总结。
- 宋悦宁永强秦莉秦莉张金龙陈泳屹王立军
- 关键词：大功率半导体激光器输出功率可靠性
- 表面等离子体激元纳米激光器技术及应用研究进展被引量：18
- 2012年
- 传统半导体激光器由于采用光学系统反馈而存在衍射极限,其腔长至少是其发射波长的一半,因此难以实现微小化。基于表面等离子体激元的纳米激光器可以实现深亚波长乃至纳米尺度的激光发射,而且现代微纳加工技术的逐步成熟,也为亚波长乃至纳米量级激光器的研制提供了成熟的技术条件。本文重点综述了国际上已成功实验验证的基于表面等离子体激元的纳米激光器的最新研究进展,综述了表面等离子体激元的基本原理,给出了若干种表面等离子体激元纳米激光器的结构和特点,指出该类激光器现存问题主要表现在激元损耗高及由此引起的制备工艺和电泵浦涉及的技术难题。文中最后展望了纳米激光器的应用和研究前景。
- 陈泳屹佟存柱秦莉王立军张金龙
- 关键词：纳米激光器表面等离子体激元
- 基于电感耦合等离子体的InP基半导体材料干法刻蚀的研究
- 2011年
- 研究了基于电感耦合等离子体(ICP)刻蚀系统的InP基半导体材料的干法刻蚀。采用Cl2/Ar/H2混合刻蚀气体,分别研究了氯气体积分数和ICP功率与刻蚀速率之间的关系,及镍、二氧化硅和二者结合型掩膜版的适用范围。获得有效的刻蚀速率为450～1 200 nm/min,InP对金属镍的选择性刻蚀比值为175～190。掩膜版的选择与制备方法适用于基于ICP系统的任何半导体材料的干法刻蚀工艺。
- 王琪张金龙王立军刘云
- 关键词：电感耦合等离子体INP干法刻蚀
- RAS在线监测AlGaAs的MOCVD生长(英文)被引量：1
- 2011年
- 通过瞬态反射各向异性谱和瞬态反射谱在线监测和研究了AlxGa1-xAs的生长过程,利用金属有机化合物汽相淀积技术在GaAs(001)衬底上生长了多层AlxGa1-xAs结构。选择最适合在线监测生长过程的探测光能量,在此探测光能量处所得到的反射各向异性谱和反射谱的信号在生长过程中有很明显的振荡行为产生。研究发现,通过瞬态反射各向异性谱可以很好地分辨出由表面引起的光学各向异性和由界面处引起的光学各向异性,能够得到界面处形成缺陷的信息,并且发现了反射各向异性谱和反射谱的信号随着铝组分的不同而发生有规律的变化。
- 徐华伟张金龙宁永强曾玉刚张星
- 高功率980nm VCSEL阵列输出特性研究
- 2010年
- 1引言
垂直腔面发射激光器（VCSELs）及阵列是一种垂直表面出光的半导体激光器，是光子学器件在集成化上的一个突破。输出光是圆光斑无像散、光束整形系统简单。VCSELs易于二维集成实现大功率输出，大面积、高密度集成的阵列可以通过微透镜阵列进行整形。激光腔面损伤阈值高，激光功率密度高。
- 秦莉宁永强张金龙刘云王立军
- 关键词：VCSELS垂直腔面发射激光器高功率激光功率密度光束整形
- 垂直腔面发射激光器侧面泵浦源及其制作方法
- 本发明涉及一种垂直腔面发射激光器侧面泵浦源及其制作方法，涉及半导体光电子学技术领域。本发明的垂直腔面发射激光器侧面泵浦源，包括内有制冷液体的大通道热沉，热沉的上端有水平安装面，绝缘的串接结构热沉，热沉表面的金属薄膜，金丝...
- 宁永强张金胜张金龙刘云王立军
- 文献传递
