曾其勇
- 作品数：37 被引量：113H指数：7
- 供职机构：中国计量学院质量与安全工程学院更多>>
- 发文基金：中国工程物理研究院科技基金国家自然科学基金国家公益性行业科研专项更多>>
- 相关领域：自动化与计算机技术机械工程金属学及工艺文化科学更多>>
- 基于PPP协议实现GPRS模块无线接入Internet方式被引量：11
- 2009年
- 通过对PPP协议的分析,介绍了一种单片机通过GPRS无线方式接入互联网的方案。该方案将单片机与GPRS模块结合起来,在单片机上实现PPP协议和简化的TCP/IP协议,并用单片机驱动GPRS模块实现上网。重点讨论了硬件和软件主体框架、PPP协议在摩托罗拉单片机上的实现过程。该方案已成功应用于电网抄表项目。
- 周娟蒋登峰曾其勇
- 关键词：点对点协议通用分组无线业务
- 化爆材料动态切削温度的薄膜热电偶测量原理及传感器研制
- 本文主要研究其中化爆材料(炸药件)动态切削温度与切削力测试系统部分.研制的分刀片式半人工热电偶及薄膜热电偶两套动态测温测力系统均已经通过使用单位的验收并投入使用.切削化爆材料过程中,由于化爆材料的不均匀性,其内部随机分布...
- 曾其勇
- 关键词：切削温度薄膜热电偶磁控溅射离子镀
- 新型半人工热电偶动态测温方法被引量：2
- 2003年
- 为快速直接测量某化爆材料瞬时切削温度,在高速钢W18Cr4V刀头内镶嵌一镍铬薄片,且在最接近工件的刀尖处形成一微小接点,研制出时间常数在1ms以内的半人工热电偶。当该热电偶用于现场模拟工件的切削试验时,传感器能快速响应瞬态切削温度,取得满意结果。
- 卢俊孙宝元曾其勇
- 关键词：金属切削
- SiO_2薄膜制备的现行方法综述被引量：13
- 2009年
- 在导电基体上制作薄膜传感器的过程中,需要在基体与薄膜电极之间沉积一层绝缘膜。二氧化硅薄膜具有良好的绝缘性能,并且稳定性好,膜层牢固,长期使用温度可达1000℃以上,应用十分广泛。通常制备SiO2薄膜的现行方法主要有磁控溅射、离子束溅射、化学气相沉积、热氧化法、凝胶-溶胶法等。本文系统阐述了各种方法的基本原理、特点及适用场合,并对这些方法做了比较。
- 曾其勇郑晓峰
- 关键词：二氧化硅
- 基于设计性实验的产品质量工程专业学生实践能力培养
- 2012年
- 本文从"产品质量工程"的一个设计性实验出发,把培养学生"质量分析与判断能力"、"标准选择与应用能力"、"量具使用与检测能力"贯穿到整个实验过程中,完成了学生理论学习同实际应用之间的结合。对"产品质量工程"的人才培养具有一定借鉴意义。
- 张维刚洪涛曾其勇
- 关键词：设计性实验
- 一种新型测温刀具的研制
- 2016年
- 采用磁控溅射法在PCBN刀具的前刀面上镀制NiCr和NiSi薄膜,形成一种新型的NiCr-NiSi薄膜热电偶测温刀具。详细阐述了薄膜热电偶的制作过程,结合WS-2005涂层附着力自动划痕仪和Jsm-5610扫描电子显微镜分别测试分析了NiCr和NiSi薄膜的附着力和成分。通过现场切削试验表明,制备的NiCr-NiSi薄膜热电偶测温刀具能够实时、快速、准确地测量切削温度。
- 郑晓峰曾其勇李柱陈锋蒋立正
- 关键词：薄膜热电偶附着力
- 提高质量工程综合课程设计教学质量研究
- 质量工程综合课程设计是培养产品质量工程专业学生质量分析与改进实践能力的综合性实践教学环节。本文分析了影响质量工程综合课程设计教学质量的原因,提出理论教学与课程设计相结合、感知先行、基于QC（Quality Control...
- 曾其勇徐豪洪涛
- 关键词：课程设计实践教学
- 文献传递
- 一种新型快速响应半人工热电偶
- 提出一种将切削与测温功能集成于一体的新型半人工热电偶快速温度传感器.该传感器的最大特点是响应速度快,时间常数τ约为1ms.论述了传感器的结构设计,静态标定,动态标定以及测量电路.并将该传感器用于现场切削试验,取得了良好的...
- 曾其勇孙宝元卢俊
- 关键词：超前校正切削温度温度传感器温度测量
- 文献传递
- 新型薄膜式热电偶切削温度测量传感器被引量：14
- 2005年
- 研制了一种集成在刀头内的新型薄膜式热电偶。在切削的同时,能快速直接地测量切削温度。镀膜工艺采用了先进的磁控溅射和离子镀技术,成功地解决了绝缘、镀膜牢固性等问题。该热电偶测温接点位于刀尖,响应迅速,时间常数约为0 8ms;并且在0～600℃的测温范围内具有良好的线性和热稳定性。详细论述了传感器的结构设计、薄膜热电偶的制作、静态标定、动态标定以及检测电路。当应用于现场切削试验时,传感器能快速响应瞬态切削温度。
- 徐静孙宝元曾其勇贾颖
- 关键词：薄膜热电偶溅射离子镀
- NiCr-NiSi传感器薄膜附着力测试与分析被引量：1
- 2012年
- 采用磁控溅射法制备NiCr-NiSi薄膜,以溅射功率、溅射时间、溅射气压及基片负偏压作为四因素进行正交试验,制备了9种性能不同的NiCr-NiSi薄膜热电偶测温刀头,对每片测温刀头上薄膜与刀体之间的附着力进行了测试,并对测试结果进行了极差分析。分析结果表明:在4个溅射因素当中,基片负偏压是影响薄膜附着力大小的最主要因素,在一定范围内,增大基片的负偏压值可提高薄膜的附着力。验证试验表明,NiCr薄膜溅射参数为溅射功率90W、溅射时间30min、溅射气压0.45Pa、基片偏压-110V,NiSi薄膜溅射参数为溅射功率100W、溅射时间40min、溅射气压0.4Pa、基片偏压-110V,可使NiCr和NiSi薄膜的附着力值分别约增大3.2N和1.5N。
- 郑晓峰曾其勇李柱吴凯朱明
- 关键词：薄膜热电偶正交试验
