朱海荣
- 作品数：2 被引量：3H指数：1
- 供职机构：河北大学物理科学与技术学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术更多>>
- 氧化硅中纳米晶硅薄膜的低温沉积及其键合特性研究被引量：2
- 2013年
- 以Ar和H2为溅射气体,采用Si和SiO2双靶活性溅射技术实现了镶嵌纳米晶硅(nc-Si)的富硅氧化硅(SiOx)薄膜的300℃低温生长,并分析了氢气掺入对薄膜微观结构及键合特性的影响。结果表明,氢气流量比的增加导致纳米硅粒子尺寸增加,而生长速率逐渐减小。薄膜中Si-O键合结构以Si(O4)键为主,随H2流量比的增加,Si-O4-nSin(n=0,1)键密度减小,Si-O4-nSin(n=2,3)和SiH2键密度持续增加,而所对应Si-H键密度呈现先减小后增加趋势,该结果可解释为等离子体内氢原子对反应前驱物中氧的去除效应增强和氢原子与表面氧的解吸附反应几率的增加。
- 于威王建涛李云郭少刚朱海荣傅广生
- 关键词：富硅氧化硅微结构
- 初始晶硅多层薄膜光电响应及载流子输运特性被引量：1
- 2013年
- 采用等离子体化学气相沉积技术,通过交替改变H2流量,制备了多层结构的氢化初始晶硅薄膜,利用拉曼(Raman)散射、傅里叶变换红外(FTIR)透射光谱和光电流谱等技术研究了薄膜的微观结构和光电响应特性.微观结构分析揭示,薄膜呈现为由纳米晶硅和非晶硅两相组成的初始晶硅结构,薄膜光学带隙随晶化度提高逐渐降低.光电流谱的结果显示,纳米硅晶粒对薄膜内部光生载流子的空间分离可有效降低其非辐射复合几率,导致薄膜光电响应峰值随晶化度的提高向短波方向移动,然而纳米硅晶粒界面缺陷对载流子的空间限制使薄膜长波谱段的光电响应显著降低.外加偏压下,观察到350～1000nm范围的光电响应,表明外加偏压可促进光生载流子的有效收集.分析表明,纳米硅晶粒内部电子-空穴对的空间分离及界面载流子激发的共同作用,导致薄膜光电响应及外量子效率大幅增加和峰位的红移.实验结果为初始晶硅高效太阳电池的载流子输运控制提供了基础数据.
- 于威朱海荣赵一孙宇凯卢海江傅广生
- 关键词：光电响应
