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李勇

作品数:23 被引量:33H指数:4
供职机构:中国科学院金属研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家攀登计划更多>>
相关领域:金属学及工艺一般工业技术理学更多>>

文献类型

  • 9篇期刊文章
  • 8篇专利
  • 5篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 11篇金属学及工艺
  • 10篇一般工业技术
  • 8篇理学

主题

  • 10篇位错
  • 7篇单晶
  • 7篇铜单晶
  • 7篇纳米
  • 6篇形变
  • 5篇驻留滑移带
  • 5篇位错结构
  • 5篇滑移带
  • 4篇循环形变
  • 4篇生物功能
  • 4篇位错组态
  • 3篇电子背散射衍...
  • 3篇电子背散射衍...
  • 3篇形变带
  • 3篇纳米片
  • 3篇磁性
  • 2篇导电
  • 2篇导体
  • 2篇永磁
  • 2篇有机胺

机构

  • 23篇中国科学院金...
  • 3篇东北大学
  • 1篇沈阳大学
  • 1篇沈阳师范大学

作者

  • 23篇李勇
  • 12篇李守新
  • 9篇李达
  • 9篇张志东
  • 8篇刘伟
  • 6篇杨继红
  • 5篇李广义
  • 3篇苏会和
  • 3篇高薇
  • 3篇柯伟
  • 3篇韩拯
  • 2篇马常祥
  • 2篇耿殿禹
  • 2篇李少杰
  • 1篇王刚
  • 1篇晁月盛
  • 1篇朱自勇
  • 1篇王振华
  • 1篇李明扬
  • 1篇韩恩厚

传媒

  • 6篇金属学报
  • 2篇第十一届全国...
  • 1篇自然科学进展
  • 1篇电子显微学报
  • 1篇自然科学进展...
  • 1篇第二届全国扫...
  • 1篇第三届全国扫...

年份

  • 2篇2021
  • 3篇2020
  • 2篇2019
  • 1篇2018
  • 1篇2016
  • 1篇2005
  • 2篇2004
  • 4篇2003
  • 4篇2002
  • 2篇2001
  • 1篇2000
23 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种制备铁氮化物纳米棒材料的方法
本发明的目的是提供一种制备铁氮化物纳米棒材料的方法,采用化学液相法制备,所述碳包裹Fe<Sub>16</Sub>N<Sub>2</Sub>纳米棒材料,其外壳层为碳,内核组成为Fe<Sub>16</Sub>N<Sub>2<...
李达李勇潘德胜刘伟崔哲镇张志东
电子背散射衍射技术对疲劳铜单晶中的不同位错结构的取向变化的分析
李勇高薇苏会和李守新
文献传递
一种制备铁氮化物纳米棒材料的方法
本发明的目的是提供一种制备铁氮化物纳米棒材料的方法,采用化学液相法制备,所述碳包裹Fe<Sub>16</Sub>N<Sub>2</Sub>纳米棒材料,其外壳层为碳,内核组成为Fe<Sub>16</Sub>N<Sub>2<...
李达李勇潘德胜刘伟崔哲镇张志东
晶粒组元沿晶界旋转的铜双晶在循环变形中的滑移形貌与位错组态被引量:5
2002年
对晶粒组元因晶体生长时沿晶界发生旋转的铜双晶体进行了恒定塑性应变幅下的循环形变研究,塑性应变幅为1.5X10-3通过扫描电子显微镜-电子通道衬度技术(SEM-ECC)对滑移形貌和位错组态的演化进行了观察,发现由于晶粒内部的几何效应使沿晶界的位错组态随着晶粒的旋转方向的变化也相应发生变化,逐渐表现为由滑移带与晶界的相互作用过渡到形变带与晶界的相互作用.形变带Ⅱ(DB Ⅱ)对于主滑移有着明显的阻碍作用.晶界无位错区(DFZ)伴随着形变带Ⅱ在晶界的出现而产生.胞状结构的形成是由于次滑移系的开动使形变带Ⅱ中的位错墙结构先破坏而后形成.
李勇李守新李广义
关键词:晶界位错组态
溶剂热法合成PbO-型β-FeSe纳米片
李达潘德胜李勇韩拯王振华张志东
循环形变单晶体驻留滑移带的演化
采用三维离散位错静力学方法,利用扫描电镜电子通道衬度(SEM-ECC)技术对单滑移取向疲劳Cu单晶驻留滑移带(PSBs)形成位错结构的演化进行观察的结果,对这个演化过程中典型的位错结构进行了模拟计算,给出了PSBs演化过...
杨继红李守新李勇柯伟
关键词:驻留滑移带
文献传递
Cu单晶体驻留滑移带的形成与消失被引量:9
2004年
在循环加载条件下,单滑移取向的Cu单晶体首先出现驻留滑移线(PSL),然后随着循环周次的增加转变为驻留滑移带(PSB),在不同温度、不同时间条件下对疲劳Cu单晶进行真空退火处理,观察PSB结构在热激活条件下的变化情况,结果表明,退火处理过程中由于空位浓度差异所产生的渗透力促使位错运动,并使PSB的某些部位逐步细化,以至消失,实现了PSB的分段相消,在退火过程中由于应变能的逐步释放,未观察到再结晶现象。
朱荣李守新李勇李明扬晁月盛
关键词:驻留滑移带渗透力
铜单晶驻留滑移带演化的实验观察与形成机制被引量:3
2001年
在室温下采取恒塑性应变幅控制研究了单滑移取向[123]铜单晶体的循环形变过程.塑性应变幅为1×10_(-3).通过扫描电子显微镜-电子通道村度(SEM-ECC)技术对同一试样在不同循环周次进行疲劳过程位错组态演化,以及驻留滑移带(PSB)的形成和它的表面形貌观察.对比了不同周次的位错组态,从而把疲劳过程的早期位错演化分为主滑移平面上的主刀型位错和基体位错墙间的螺型位错段起主要作用的两个阶段.同时也提出了一个关于PSB形成的可能机制:当基体位错墙的间距与墙的宽度都达到一临界值时,由于基体位错墙两边的螺型位错段对基体位错墙施加不平衡的作用力,当此力达到临界值时导致基体位错墙的连锁性破坏,从而形成驻留滑移线(PSL).随着循环周次的增加,与PSL相邻的螺型位错段继续作用而最终导致PSB的形成.
李勇李守新李广义杨继红
关键词:铜单晶体循环形变驻留滑移带位错表面形貌
具有室温亚铁磁性的有序无机-有机杂化纳米材料及制备
本发明的目的是提供一种具有室温亚铁磁性的有序无机‑有机杂化纳米材料及其制备方法,采用化学液相法制备,所述无机‑有机杂化纳米材料具有二维纳米片或纳米颗粒状微观结构,其无机结构单元为具有四方晶体结构的β‑Fe<Sub>3‑<...
李达潘德胜李勇冯阳刘伟张志东
文献传递
Cu单晶中疲劳早期位错花样演化的观察与模拟被引量:7
2000年
采用离散的位错动力学方法,用计算机模拟循环形变单滑移取向Cu单晶中疲劳早期位错花样的形成和演化过程,并利用扫描电镜电子通道衬度(SEM—ECC)技术对其进行了观察.计算机模拟结果与实验观察较好地吻合.提出了在循环形变早期位错脉络的形成和演化是从同号的基体位错墙开始的,基体偶极子位错墙是两个异号基体位错墙合并的结果,在偶极子位错墙破碎并演化为基体脉络的过程中螺型位错段起到了重要作用等观点。
杨继红李勇李守新马常祥李广义
关键词:铜单晶
共3页<123>
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