李文漪
- 作品数：9 被引量：55H指数：4
- 供职机构：上海交通大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学环境科学与工程化学工程更多>>
- LPCVD水解法制备TiO_2薄膜被引量：10
- 2003年
- 本文利用LPCVD法水解四异丙醇钛 (TTIP)制备TiO2 薄膜 ,研究了制备过程中水解TTIP的反应动力学。通过对沉积温度和沉积率关系的研究 ,计算出TTIP水解反应表观活化能为 5 9 85kJ mol。沉积温度不仅影响反应速率 ,还对TiO2 薄膜结构、表面形貌有决定性的作用。XRD和Raman分析表明 :TTIP水解法制备TiO2 薄膜 ,薄膜结构主要依赖于沉积温度。 180℃～ 2 2 0℃沉积TiO2 薄膜为非晶态 ,2 40℃～ 3 0 0℃沉积为锐钛矿和非晶态混杂结构。在水分压对TTIP水解反应影响的研究中发现 ,水分压为零时 ,TTIP发生热解反应 ,TiO2 沉积率不为零 ,热解反应 2 40℃无锐钛矿特征峰出现。这说明水解反应制备TiO2 有利于降低锐钛矿的生长温度。氧分子的加入可以消除TiO2 薄膜表面的“针孔”。
- 李文漪李刚蔡峋孙彦平赵君芙
- 关键词：二氧化钛薄膜化学气相沉积
- 光伏半导体薄膜渡液及光伏半导体薄膜的制备方法
- 一种光伏半导体薄膜镀液及其制备方法，用于液相生长半导体薄膜技术领域。镀液为：CdCl<Sub>2</Sub>0.07-5%，NH<Sub>4</Sub>NO<Sub>3</Sub> 0.1-4%，KOH 1-6%，CS(...
- 蔡珣李文漪陈秋龙
- 文献传递
- 光伏半导体薄膜渡液及其制备方法
- 一种光伏半导体薄膜镀液及其制备方法，用于液相生长半导体薄膜技术领域。镀液为：CdCl<Sub>2</Sub> 0.07－5％，NH<Sub>4</Sub>NO<Sub>3</Sub> 0.1－4％，KOH 1－6％，CS...
- 蔡珣李文漪陈秋龙
- 文献传递
- TiO_2薄膜的光催化特性被引量：21
- 2002年
- 低压下利用四异丙醇钛水解法制备了 Ti O2 薄膜 ,将 Ti O2 固定化并尽可能保留其尺寸效应 .联系制膜条件和膜的表性 ,研究了 Ti O2 薄膜的光催化活性 .利用 Raman、XRD、AFM和 UV-vis等手段探讨了不同膜厚、晶型、衬底对膜催化活性的影响 .结果表明 ,随着衬底温度的升高 ,Ti O2由非晶型转变为锐钛矿 ,光催化活性提高 ;随着 Ti O2 薄膜厚度的增加 ,催化活性降低 .在玻片、Si、Sn O2 、Al为基片所制 Ti O2 薄膜中 ,以 Al为基片的 Ti O2
- 李文漪李文军武正簧赵君芙孙彦平蔡珣
- 关键词：TIO2光催化特性二氧化钛
- LPCVD法制备TiO<,2>薄膜及光催化特性研究
- 该文将二氧化钛催化剂固定化,并尽可能保留其尺寸效应.利用四异丙醇钛(TTIP)的水解反应,低压化学气相沉积(LPCVD)法制备二氧化钛薄膜.系统研究了制膜过程中各工艺条件参数(沉积温度、总压、物料配比)对薄膜物性的影响....
- 李文漪
- 关键词：二氧化钛LPCVD光催化
- 文献传递
- CBD-CdS薄膜过程暂态分析
- 本文通过原子力显微镜(AFM)和多重分形的分析方法对CBD制备CdS薄膜生长的研究，成功制各出结构紧密的CdS薄膜.研究了强制搅拌对薄膜生长行为的影响。研究表明：在反应初期，随着沉积时间的增加,CdS薄膜多重分形谱的宽度...
- 蔡珣李文漪陈秋龙于会生
- 关键词：金相分析
- 文献传递
- CIS光伏材料的发展被引量：13
- 2003年
- CuInSe2(CIS)是一种光伏特性仅次于单晶硅的材料。CIS薄膜太阳能电池多年来保持着薄膜太阳能电池的世界记录,受到世界各国科学家的关注。综述了近年来对CIS材料的理论与试验研究,系统总结了CIS材料制备方法、材料微观结构对光伏特性的影响以及今后的发展方向。
- 李文漪蔡珣陈秋龙
- 关键词：太阳能电池光电材料化合物半导体CIS
- 低压MOCVD法制备TiO_2薄膜的研究被引量：11
- 2000年
- 以四异丙醇钛为原料 ,氧气作反应气体 ,高纯氮气作载气 ,采用低压MOCVD法在单晶Si基片上制备出了TiO2 薄膜。研究了基片温度和氧气流量对TiO2 薄膜沉积速率的影响 ,以及基片温度和退火温度对TiO2 薄膜的结构的影响。采用X射线衍射和喇曼光谱对TiO2 薄膜的结构进行分析。实验表明 :基片温度在1 1 0℃～ 2 5 0℃时制备的TiO2 薄膜是非晶态的 ,在 35 0℃～ 5 0 0℃时制备的TiO2 薄膜为锐钛矿和非晶态混杂结构 ,当基片温度超过 6 0 0℃时开始生成金红石。
- 李文军李文漪赵君芙吴争鸣武正簧赵小林蔡炳初
- 关键词：MOCVD二氧化钛
- 蒸镀Cu-In合金硒化制CuInSe_2薄膜
- 2002年
- 利用两源蒸镀 Cu- In合金膜 ,在半封闭石墨盒中硒化 ,制备了具有单一黄铜矿结构的Cu In Se2 ( CIS)薄膜 .实验研究了合金膜组分与薄膜结构、形貌的关系 .探讨了不同硒化温度对 CIS薄膜组织结构、成分和晶粒尺寸的影响 .结果表明 ,单一结构有利于 Cu- In合金膜的均匀和平整 .硒化过程中 ,随着硒化温度的升高 Cu的损失量增加 ,In的损失量相对减少 ;在 30 0°C硒化时开始出现 CIS黄铜矿结构 ,35 0°C硒化所得薄膜绝大多数为 CIS结构 ,5 0 0°C制得单一结构的
- 李文漪蔡珣周之斌茅及放李刚许实
- 关键词：CUINSE2真空蒸镀光伏材料
