李斌生
- 作品数：5 被引量：1H指数：1
- 供职机构：兰州大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术更多>>
- FeCoSiO/SiO2纳米多层颗粒膜的高频软磁特性
- 随着半导体元件大规模集成化,电子元器件趋于微型化,电子设备趋于小型化,需要磁性器件向小型、薄膜方向发展,具有高饱和磁化强度、高电阻率、高磁导率和低矫顽力的软磁薄膜成为磁性材料发展的必然方向。由金属一绝缘介质组成的纳米多层...
- 李斌生
- 文献传递
- 不连续Fe25Ni75/SiO2多层膜的微结构和隧道磁电阻效应
- 用射频磁控溅射技术制备了[SiO(t)/FeNi(t)]多层膜系列(其中t和t分别代表SiO层和FeNi层的厚度,N代表层数)。研究发现,对[SiO(3.3 nm)/FeNi(t)]系统,当FeNi层厚度小于2.4 nm...
- 刘春明葛世慧姜丽仙寇晓明李斌生池俊红王新伟李成贤
- 文献传递
- 用于高频的纳米磁性颗粒膜的制备及研究
- ＜正＞由尺寸在纳米量级的磁性金属颗粒弥散分布在绝缘介质中而形成的纳米颗粒膜,是一种新型的高频软磁材料。它兼备了铁磁性金属的高饱和磁感应强度（Bs）和绝缘介质的高电阻率（ρ）。如果颗粒间存在交换偶合,则颗粒的各项异性将被平...
- 葛世慧杨啸林席力李斌生寇晓明姚东升王新伟李成贤
- 关键词：颗粒膜软磁材料高频
- 不连续Co/SiO_2多层膜的结构及其输运性质的研究被引量：1
- 2004年
- 用射频磁控溅射方法制备了系列Co SiO_2 不连续磁性金属绝缘体多层膜 (DMIM) .经研究发现 :对 [SiO_2 (2 4nm) Co(t) ]2 0 体系 ,在Co层厚度小于 2 5nm时 ,Co层由连续变为不连续 ;Co层不连续时 ,其导电机理为热激发的电子隧穿导电 ,lnR与T- 1 2 接近正比关系 ;隧道磁电阻 (TMR)在Co层厚度为 1 4nm时出现极大值 - 3% .DMIM的性质不仅与磁性金属层厚度密切相关 ,而且与绝缘层厚度有密切的关系 .在固定Co层厚度为 1 9nm的情况下 ,研究了TMR随SiO_2 层厚度的变化关系 ,并给出定性的解释 .对 [SiO_2 (2 4nm) Co(2 0nm) ]2 0 的样品研究了TMR随温度的变化关系 ,发现TMR随温度的变化有一极大值 ,结合Helman的理论 (Phys.Rev .Lett,37,14 2 9(1976 ) ) 。
- 葛世慧刘春明寇晓明姜丽仙李斌生李成贤
- 关键词：极大值多层膜SIO2输运性质TMR
- 不连续Fe_(25)Ni_(75)/SiO_2多层膜的微结构和隧道磁电阻效应
- 2005年
- 用射频磁控溅射技术制备了[SiO2(t1)/Fe25Ni75(t2)]N多层膜系列(其中t1和t2分别代SiO2层和Fe25Ni75层的厚度,N代表层数).研究发现,对[SiO2(3.3nm)/Fe25Ni75(t2)]10系统,当Fe25Ni75层厚度小于2.4nm时,Fe25Ni75层从连续变为不连续;当Fe25Ni75层不连续时,InR基本上正比于T-1/2,表明导电机制为热激发的隧穿导电;在t2=2.1nm时,隧道磁电阻(TMR)有极大值,为-0.64%.对[SiO2(1.8nm)/Fe25Ni75(1.6nm)]N系统,发现磁电阻先随着层数的增加而增加,然后趋于饱和.
- 刘春明葛世慧姜丽仙寇晓明李斌生池俊红王新伟李成贤
- 关键词：微结构
