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李盼盼

作品数：7 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇中文专利

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 5篇氮化镓
  • 3篇氮化
  • 3篇应力
  • 3篇再结晶
  • 3篇高温
  • 3篇高温处理
  • 3篇成核
  • 2篇氮化物
  • 2篇多量子阱
  • 2篇应力释放
  • 2篇图形衬底
  • 2篇缺陷密度
  • 2篇外延片
  • 2篇量子
  • 2篇金属有机物
  • 2篇金属有机物化...
  • 2篇晶格
  • 2篇晶格失配
  • 2篇蓝宝
  • 2篇蓝宝石

机构

  • 7篇中国科学院

作者

  • 7篇李志聪
  • 7篇王国宏
  • 7篇李璟
  • 7篇李鸿渐
  • 7篇李盼盼
  • 7篇梁萌
  • 5篇李晋闽
  • 5篇王兵
  • 5篇姚然
  • 4篇王军喜
  • 4篇伊晓燕
  • 2篇张逸韵

年份

  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 4篇2012
  • 1篇2011
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
在图形衬底上生长氮化镓外延结构的方法
一种在图形衬底上生长氮化镓外延结构的方法，包括以下步骤：步骤1：采用MOCVD技术，对图形衬底进行高温处理后，降温；步骤2：在图形衬底上生长一氮化物成核层；步骤3：退火，实现成核层再结晶；步骤4：在结晶后的氮化物成核层上...
梁萌李鸿渐姚然李志聪李盼盼王兵李璟伊晓燕王军喜王国宏李晋闽
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利用双成核层生长高质量氮化镓外延结构的方法
一种利用双成核层生长高质量氮化镓外延结构的方法，该方法包括以下步骤：步骤1：采用MOCVD技术，对图形衬底进行高温处理后，降温；步骤2：在图形衬底上生长一氮化物成核层；步骤3：退火，实现成核层再结晶；步骤4：在结晶后的氮...
梁萌李鸿渐姚然李志聪李盼盼王兵李璟伊晓燕王军喜王国宏李晋闽
文献传递
一种无间断生长高质量InGaN/GaN多量子阱的方法
本发明公开了一种无间断生长高质量InGaN/GaN多量子阱的方法，包括：在蓝宝石图形衬底上外延生长uGaN，在uGaN上生长nGaN，然后在nGaN上生长MQW应力释放层；在MQW应力释放层上外延生长InGaN/GaN多...
李盼盼李鸿渐张逸韵李志聪梁萌李璟王国宏
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在图形衬底上生长氮化镓外延结构的方法
一种在图形衬底上生长氮化镓外延结构的方法，包括以下步骤：步骤1：采用MOCVD技术，对图形衬底进行高温处理后，降温；步骤2：在图形衬底上生长一氮化物成核层；步骤3：退火，实现成核层再结晶；步骤4：在结晶后的氮化物成核层上...
梁萌李鸿渐姚然李志聪李盼盼王兵李璟伊晓燕王军喜王国宏李晋闽
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氮化物LED外延结构的生长方法
一种氮化物LED外延结构的生长方法，包括以下步骤：步骤1：采用MOCVD技术，在MOCVD反应室里将衬底进行热处理后，降温；步骤2：在衬底生长一层氮化物成核层；步骤3：退火，使衬底表面形成成核层的结晶；步骤4：在结晶的氮...
梁萌李鸿渐姚然李志聪李盼盼王兵李璟伊晓燕王军喜王国宏李晋闽
文献传递
一种无间断生长高质量InGaN/GaN多量子阱的方法
本发明公开了一种无间断生长高质量InGaN/GaN多量子阱的方法，包括：在蓝宝石图形衬底上外延生长uGaN，在uGaN上生长nGaN，然后在nGaN上生长MQW应力释放层；在MQW应力释放层上外延生长InGaN/GaN多...
李盼盼李鸿渐张逸韵李志聪梁萌李璟王国宏
一种提高氮化镓基发光二极管抗静电能力的方法
本发明公开了一种提高氮化镓基发光二极管抗静电能力的方法，包括：选择一衬底；在该衬底上生长一氮化镓成核层；在该氮化镓成核层上生长非故意掺杂氮化镓层；在该非故意掺杂氮化镓层上生长一氮化铝镓/氮化镓超晶格插入层；在该氮化铝镓/...
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