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杨学昌

作品数:5 被引量:19H指数:2
供职机构:辽宁大学物理系更多>>
相关领域:自动化与计算机技术电子电信更多>>

文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 4篇自动化与计算...
  • 1篇电子电信

主题

  • 4篇感器
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  • 3篇微压
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  • 1篇金属
  • 1篇晶向
  • 1篇计算机

机构

  • 5篇辽宁大学

作者

  • 5篇杨学昌
  • 4篇沈桂芬
  • 2篇张久惠
  • 1篇张九惠
  • 1篇吴春瑜
  • 1篇吕品
  • 1篇杨松
  • 1篇高嵩
  • 1篇马利
  • 1篇姚朋军
  • 1篇刘兴辉

传媒

  • 3篇辽宁大学学报...
  • 1篇传感器技术
  • 1篇传感技术学报

年份

  • 1篇2003
  • 1篇2001
  • 1篇1989
  • 2篇1988
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
各向异性腐蚀技术研究与分析被引量:16
2001年
本文详细分析了用各向异性腐蚀技术形成的压阻式压力传感器硅杯的几种腐蚀方法 ,根据实验提出了它们的优缺点 ,介绍了几种各向异性蚀的自致停止法和腐蚀中削角的补偿方法 ,对制造微量程、高灵敏度的压力传感器有一定的指导意义 .
沈桂芬吴春瑜姚朋军杨学昌刘兴辉吕品高嵩
关键词:各向异性腐蚀压力传感器
微压传感器的设计分析
1988年
本文分析了压阻式扩散硅压力传感器的设计原理:对微压传感器的关键问题提出了各向异性腐蚀,掺高浓度硼停止腐蚀;用E型杯代替C型杯的设计,初步研制了量程小于1000mm水柱高,精度小于0.5%的微压传感器。
张久惠沈桂芬杨学昌
关键词:微压传感器压阻式压力传感器设计原理线性度晶向
微压传感器制造中的硅杯腐蚀被引量:2
1989年
<正> 一、前言 对于杯式扩散硅压力传感器来讲,硅杯是决定其性能优劣的关键部件。我们知道,工作压力P与硅杯的几何尺寸应满足下式要求: 其中,r为硅杯半径;h为膜片厚度;σ_c为硅的弹性极限,σ_c=8×10~7Pa。(1)
杨学昌张九惠沈桂芬
关键词:微压传感器传感器
微压传感器膜片的设计与研制中的关键技术
1988年
本文介绍了正方形膜片微压传感器的结构,分析了其设计思想。并就利用正方形膜片开发的微量程力敏器件的灵敏度作了分析。最后较详细地讨论了微压传感器研制中的关键技术——各向异性腐蚀技术。
沈桂芬杨学昌张久惠
关键词:微压传感器力敏电阻压阻力敏元件变分法线性度
一种高性能CMOS运算放大器的原理分析被引量:1
2003年
通过对ELANTEC公司的EL5X20 CMOS Rail-to-Rail运算放大器的版图结构、电路原理进行分析,利用 UMC公司的 hspice leve149(sim3.3)0.6um N阱双多晶双金属高压工艺 MODEL进行运算放大器参数仿真拟合,研究了国外的先进放大器设计方法,为高性能放大器研制奠定了基础。
杨松尹光马利杨学昌
关键词:运算放大器CMOS电路原理RAIL-TO-RAIL计算机仿真
共1页<1>
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