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杨志远

作品数:20 被引量:0H指数:0
供职机构:山东大学更多>>
相关领域:一般工业技术医药卫生电子电信动力工程及工程热物理更多>>

文献类型

  • 19篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇一般工业技术
  • 1篇动力工程及工...
  • 1篇电子电信
  • 1篇医药卫生

主题

  • 13篇石墨
  • 13篇石墨烯
  • 5篇金属薄膜
  • 5篇高温加热
  • 4篇单晶
  • 4篇铜镍合金
  • 4篇镍合金
  • 4篇合金
  • 3篇机器人
  • 3篇大尺寸
  • 2篇单晶生长
  • 2篇氮化
  • 2篇氮化硼
  • 2篇电催化
  • 2篇电催化剂
  • 2篇镀金属
  • 2篇旋涂
  • 2篇压电
  • 2篇压电材料
  • 2篇掩模

机构

  • 20篇山东大学

作者

  • 20篇杨志远
  • 15篇赵显
  • 11篇程秀凤
  • 9篇于法鹏
  • 9篇赵莉莉
  • 6篇孙丽
  • 6篇张飒飒
  • 5篇陈秀芳
  • 4篇李志强
  • 3篇张晶
  • 2篇李妍璐
  • 2篇徐现刚
  • 2篇刘松
  • 2篇樊唯镏
  • 2篇周伟家
  • 2篇左致远
  • 2篇许士才
  • 1篇李岳炀
  • 1篇李贻斌
  • 1篇宋锐

年份

  • 1篇2024
  • 3篇2023
  • 3篇2022
  • 1篇2021
  • 2篇2020
  • 2篇2019
  • 2篇2018
  • 3篇2017
  • 2篇2015
  • 1篇2007
20 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
面向楼宇内的多场景建模和路径规划方法及系统
本发明提出了面向楼宇内的多场景建模和路径规划方法及系统,包括:创建基于拓扑语义地图的全局地图;基于创建的全局地图,进行全局路径规划,包括路径的起点和终点,以及起点和终点之间所需要途径的典型场景;基于规划的全局路径,计算相...
柴汇袁铭郭佳旻张国璇杨志远
一种大尺寸石墨烯/二维碲化物异质结红外光电探测器的制备方法
本发明涉及一种大尺寸石墨烯/二维碲化物异质结红外光电探测器的制备方法,该方法在半导体衬底上镀复合金属,然后合金化,通入碳源气体,通过复合金属薄膜的金属通道引入外部碳源生长石墨烯,制备出大尺寸高品质石墨烯,再利用CVD法制...
杨志远赵莉莉张飒飒赵显左致远李志强程秀凤
文献传递
一种以六方氮化硼为点籽晶生长大晶畴石墨烯的方法
本发明涉及一种以六方氮化硼为点籽晶在衬底上生长大尺寸石墨烯晶畴的方法,该方法以氮化硼作为点籽晶生长石墨烯,有利于与石墨烯形成异质结,石墨烯沿着氮化硼籽晶的外沿继续原位生长,控制六方氮化硼溶液的浓度,确保石墨烯的成核密度,...
于法鹏张晶杨志远孙丽李妍璐程秀凤赵显
一种大尺寸石墨烯/二维碲化物异质结红外光电探测器的制备方法
本发明涉及一种大尺寸石墨烯/二维碲化物异质结红外光电探测器的制备方法,该方法在半导体衬底上镀复合金属,然后合金化,通入碳源气体,通过复合金属薄膜的金属通道引入外部碳源生长石墨烯,制备出大尺寸高品质石墨烯,再利用CVD法制...
杨志远赵莉莉张飒飒赵显左致远李志强程秀凤
文献传递
一种在大直径6H/4H-SiC硅面和碳面双面同时生长石墨烯的方法
本发明涉及一种在大直径6H/4H-SiC硅面和碳面双面同时生长石墨烯的方法。该方法包括:将6H/4H-SiC晶片硅面和碳面进行抛光、清洗,将加工好的6H/4H-SiC晶片平放在单晶生长炉坩埚中的石墨托架上,碳面朝下;升温...
陈秀芳杨志远孙丽徐现刚赵显
一种利用复合金属模板制备大面积3D石墨烯的方法
本发明涉及一种利用复合金属模板制备大面积3D石墨烯的方法,该方法在泡沫镍上镀一层铜(或在泡沫铜上镀一层镍),然后高温加热使其表面变成铜镍合金,然后在CVD工艺的生长温度下,通入碳源,降温时在智能复合金属薄膜表面生长出石墨...
杨志远樊唯镏赵莉莉于法鹏程秀凤赵显
腿臂协作机器人跳舞的轨迹生成与跟踪控制方法及系统
本发明涉及腿臂协作机器人技术领域,提供了腿臂协作机器人跳舞的轨迹生成与跟踪控制方法及系统,包括:获取动画软件中腿臂协作机器人动画模型的舞蹈动作;对舞蹈动进行轨迹提取和轨迹优化,得到符合机器人动力学的躯干、机械臂、机械腿足...
柴汇杨志远刘松罗闯袁铭张国璇
一种在大直径6H/4H‑SiC硅面和碳面双面同时生长石墨烯的方法
本发明涉及一种在大直径6H/4H‑SiC硅面和碳面双面同时生长石墨烯的方法。该方法包括:将6H/4H‑SiC晶片硅面和碳面进行抛光、清洗,将加工好的6H/4H‑SiC晶片平放在单晶生长炉坩埚中的石墨托架上,碳面朝下;升温...
陈秀芳杨志远孙丽徐现刚赵显
文献传递
一种利用复合金属模板制备大面积3D石墨烯的方法
本发明涉及一种利用复合金属模板制备大面积3D石墨烯的方法,该方法在泡沫镍上镀一层铜(或在泡沫铜上镀一层镍),然后高温加热使其表面变成铜镍合金,然后在CVD工艺的生长温度下,通入碳源,降温时在智能复合金属薄膜表面生长出石墨...
杨志远樊唯镏赵莉莉于法鹏程秀凤赵显
文献传递
一种在6H/4H-SiC硅面上利用复合金属辅助生长石墨烯的方法
本发明涉及一种在6H/4H‑SiC硅面上利用复合金属辅助生长石墨烯的方法,该方法通过高温加热将SiC晶片表面的Si‑C键部分裂解,生成极少量的以C原子为中心的成核位点,然后急剧降温至CVD工艺的生长温度,通过复合金属薄膜...
杨志远于法鹏赵莉莉张晶李清波程秀凤陈秀芳赵显
文献传递
共2页<12>
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