杨集
- 作品数：23 被引量：78H指数：5
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- AlGaN/GaN HEMT低温直流特性研究
- 2005年
- 研究了20℃￣-70℃栅宽为100μm、栅长为1μm的AlGaN/GaNHEMT的直流特性。随温度降低,电子迁移率增大,而二维电子气密度基本不变,HEMT饱和漏电流IDsat增大;阈值电压低温时有所下降,在一定温度范围内变化不明显,其原因除栅肖特基势垒高度、AlGaN/GaN导带差发生变化外,还可能与器件制备工艺和源极串联电阻有关。
- 张浩吕长志朱修殿徐立国杨集
- 关键词：ALGAN/GANHEMT阈值电压
- 双探针式星载电场测量仪
- 2009年
- 该文在概述双探针式、天线式和电子漂移式三种星载电场测量仪的基础上，重点论述了适合于地震电磁探测试验卫星的双探针式星载电场测量仪。对双探针式星载电场测量仪的工作原理，电场测量仪探头、卫星平台与等离子体之间的相互作用，电场测量仪的标定方法及其星上和地面数据处理方法等进行了论述。
- 陈贤祥杨集任仁周杰夏善红
- 关键词：仿真数据处理
- 星载电场探测仪及卫星充电特性研究
- 杨集
- 伸杆对星载电场探测仪的影响研究被引量：3
- 2009年
- 通过一定长度的伸杆使电场探头与卫星本体保持一定的距离,可以减小卫星本体鞘层对电场测量的影响。但卫星在运行时伸杆与电场探头之间可能存在电位差,从而为电场测量引入误差。该文利用卫星与等离子体相互作用模拟软件(SPIS)并结合法国DEMETER卫星的伸杆和电场探头模型,模拟了伸杆与探头之间不同电位差对电场探头收集电子流的影响,模拟表明当伸杆电位低于探头电位时,对电场测量影响较小,当伸杆电位高于探头电位时,对电场测量影响较大,且电位差越大,影响越显著。当等离子体浓度增大即德拜长度减小时,伸杆电位形成的鞘层减小,因此伸杆对电场测量的影响比低浓度时有所减小。
- 杨集陈贤祥周杰任仁夏善红
- 关键词：电场传感器
- 一种提高双探针式星载电场传感器探测精度的方法
- 一种提高双探针式星载电场传感器探测精度的方法，该方法通过对支撑星载电场传感器球形探头的伸杆进行主动电位控制，确切地说就是使伸杆相对于卫星平台或者球形探头带一定的负电位。计算机模拟结果表明，这种对伸杆进行主动电位控制的方法...
- 陈贤祥夏善红杨集任仁周杰
- 文献传递
- ZnO单晶薄膜光电响应特性被引量：5
- 2006年
- 对采用MOCVD方法沉积的ZnO单晶薄膜的欧姆接触特性、光电特性进行了研究,并对比研究了射频溅射沉积Si O2抗反射膜对ZnO薄膜I-V、光电特性的影响.实验结果表明,非合金Al/ZnO金属体系与n型ZnO形成了良好的欧姆接触,溅射沉积Si O2在ZnO表面引入了载流子陷阱,影响I-V特性,延长了光响应下降时间.ZnO单晶薄膜光电导也具有时间退化现象.
- 李瑛冯士维杨集张跃宗谢雪松吕长志卢毅成
- 电学法测量结型半导体发光管或激光器热阻前遮光方法
- 电学法测量结型半导体发光管或激光器热阻前遮光方法属半导体光电子学器件参数的测量领域。它包括以下步骤：将被测器件即结型半导体发光管或激光器，其管座面均匀涂上导热脂粘在恒温平台上；将被测器件的导线引出以备测量；将反光材料(6...
- 冯士维谢雪松吕长志张小玲杨集李瑛
- 文献传递
- InP/InGaAs PIN红外探测器增透膜的研究被引量：3
- 2006年
- 简单介绍了单层增透膜的基本工作原理,并理论计算了增透膜为SiO2和Si3N4时InP/InGaAsPIN探测器的透射率。计算结果表明Si3N4的增透效果要优于SiO2,通过测试淀积有Si3N4增透膜的探测器的响应度,并和理论计算的透射率进行比较,研究了不同的淀积工艺对响应度的影响和探测器在不同应用时膜厚的设计方法。
- 杨集冯士维王承栋张跃宗李瑛孙静莹
- 关键词：探测器增透膜淀积
- InP/InGaAs探测器光响应度与波长关系的研究被引量：4
- 2007年
- 对于正面光入射的InP/InGaAs探测器,入射光会在空气、增透膜、InP盖层和InGaAs层之间发生多次反射。为了研究其对光响应度的影响,我们测量发现:探测器的光响应度会随探测波长出现非平坦的峰谷曲线,并且通过对该曲线上峰谷波长的简单数学处理,可以提取出已封装器件的结构参数和材料参数,而且这些参数与实验曲线符合得很好。利用该方法可以简单方便地提取出已封装器件的实际结构参数和材料参数。
- 冯士维王承栋杨集张弓长卢毅成
- 关键词：探测器光响应度
- 尾迹对卫星周围等离子体扰动特性分析被引量：10
- 2010年
- 卫星充电和尾迹效应会对周围的等离子体造成扰动,进而影响星上电磁和等离子测量载荷的测量精度。利用卫星与等离子体相互作用模拟软件SPIS,并采用DEMETER卫星的一组在轨测试的等离子参数,采用粒子分室法模拟了低轨道卫星的尾迹效应特性。结果显示,卫星的表面充电电位为-0.72V,负的充电电位一定程度上减小了尾迹效应的影响,尾迹效应对等离子体的扰动在尾迹一侧约为2.5m,离子撞击侧约为0.7m,其余两个侧面约为1.1m,即等离子鞘层呈桃形分布,且在尾迹区存在离子浓度为零的空白区和浓度较小的稀薄区,而在尾迹区也是电子浓度的稀薄区,但不存在电子浓度为零的空白区。
- 杨集陈贤祥周杰夏善红
- 关键词：低轨道鞘层
