杭青岭
- 作品数：5 被引量：46H指数：3
- 供职机构：北京大学物理学院技术物理系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- 准一维硅基纳米材料研究
- 硅是半导体工业的基础,随着器件小型化的发展,必然要求对硅和硅基纳米线进行研究.该论文主要完成以下几方面的工作:利用高温脉冲激光蒸发法合成了非晶氧化硅纳米线,在VLS生长机制基础上,讨论了非晶氧化硅纳米线的生长.在激光激发...
- 杭青岭
- 文献传递
- 纳米硅量子线的平均直径和气压的依赖关系
- 1998年
- 近几年来，纳米半导体材料的研究吸引了材料及物理学家的浓厚兴趣。纳米硅量子线的成功合成［１，２］使得对低维纳米半导体材料的物理性质的研究成为可能。本文提供了一种控制纳米硅量子线平均直径的方法，同时研究了不同气压下得到的纳米硅量子线的一些特殊形态。在本实...
- 张洪洲白志刚丁埃杭青岭俞大鹏冯孙齐
- 关键词：纳米半导体气压硅量子线
- 准一维纳米结构的电子显微学研究被引量：11
- 1998年
- 自从１９９１年，Ｉｉｊｉｍａ发现纳米碳管［１］以来，一系列准一维纳米材料被相继用不同方法合成出来。由于其独特的结构特性和因此而具有的不同于体材料的新颖的物理性质，这些准一维纳米材料有着很大的基础研究价值和潜在的应用价值，因而受到人们的广泛研究和关注。...
- 白志刚张洪洲丁埃杭青岭俞大鹏冯孙齐
- 关键词：纳米材料电子显微学硅纳米线
- 一维硅纳米线的生长机制及其量子限制效应的研究被引量：26
- 1999年
- 介绍一维硅纳米线的合成及控制硅纳米线直径的方法、生长机制和不同硅纳米线形态的生成机理以及硅纳米线的量子限制效应 .
- 冯孙齐俞大鹏张洪洲白志刚丁彧杭青岭邹英华王晶晶
- 关键词：硅纳米线量子限制效应
- 硅纳米线的固-液-固热生长及升温特性研究被引量：11
- 2003年
- 该文报道一种直接在硅片上热生长硅纳米线的新方法.与传统的VLS生长机制不同,该方法在生长硅纳米线的过程中没有引入任何气态或液态硅源,是一种全新的固-液-固(SLS)生长机制.实验中使用了Ni,Au等金属作为催化剂,由Ar,H2等作为载流气体.系统压强为2 5×104Pa,生长温度为950-1000℃.生长出的硅纳米线表面光滑,呈纯非舳态,直径为10-40nm,长度可达数十微米.升温特性对硅纳米线SLS热生长起重要作用.研究了各项实验参数(包括气氛压强,加热温度及加热时间等)对硅纳米线生长的影响.
- 邢英杰奚中和俞大鹏杭青岭严涵斐冯孙齐薛增泉
- 关键词：硅纳米线一维纳米材料
