梁蓓
- 作品数:40 被引量:66H指数:4
- 供职机构:贵州大学更多>>
- 发文基金:贵州省科学技术基金贵州科学技术基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域:电子电信自动化与计算机技术文化科学理学更多>>
- 基于SoC FPGA的MIPS处理器验证平台设计
- 2017年
- 随着集成电路制程工艺的迅猛发展,数字集成电路复杂度越来越高,这对集成电路的验证带来了严峻挑战。相比软件仿真,数字芯片采用FPGA进行逻辑验证,可以大大提高验证的速度。近年来,So CFPGA的出现对于验证平台的设计提供了一种新的启发。本文提出一种基于So CFPGA的MIPS处理器验证平台的设计。采用ZYNQ芯片中的ARM主处理器实时控制监测MIPS从处理器的运行状态,来达到验证MIPS处理器的目的。同时ARM主处理器运行Linux操作系统,在不需要断电重新配置的情况下,通过执行不同的C程序实现不同功能的验证,大大提高了MIPS处理器的验证效率。
- 张伟梁蓓
- 关键词:MIPSARM
- 高性能低功耗逻辑电路—MOS电流模逻辑
- 2012年
- 本文介绍了一种高速低功耗逻辑电路:MOS电流模逻辑电路(MCML),该电路以其独特的差分结构及恒流源偏置方式,在高频电路及数模混合电路中表现出了低电压低功耗及高抗噪的特性,可作为高频应用中新一代高性能低功耗集成电路芯片。
- 梁蓓傅兴华
- MCML单元电路晶体管尺寸设计
- 2012年
- 通过建立数学模型得出功耗延时积最优化时对应的MCML电路工作的电流,在matlab环境下得出晶体管大小的最优化算法,由电流和约束条件确定电流源、逻辑运算、有源负载晶体管尺寸大小。
- 廖安平张夏梁蓓
- 基于MCML的鉴相器设计
- 2017年
- 论文设计了MCML反相器和带复位端的锁存器逻辑电路,基于SMIC 0.18标准CMOS工艺库,用HSpice对所设计的逻辑电路进行了仿真。用所设计的MCML逻辑单元设计了鉴相器模块,并进行了仿真。结果表明,与传统的CMOS鉴相器相比,所设计的鉴相器在1GB/s时钟信号、电源电压为1.8V的条件下功耗为1.648m W,有较小的死区和较高的精度。所设计的鉴相器可以用于高速全数字锁相环的设计。
- 王光杨健梁蓓
- 关键词:鉴相器低功耗
- MOS电流模逻辑标准单元设计方法
- 2007年
- 分析了一种基于二叉判定图算法的MCML标准单元的设计方法。仿真分析采用SMIC0.18 CMOS标准工艺对电路进行晶体管级仿真。
- 黄健声梁蓓
- 关键词:二叉判定图
- 低杂散DDS的分析与仿真被引量:4
- 2009年
- 采用时域波形分析的方法,分析了相位截断对DDS输出频谱的影响,给出了相位截断频谱的分布规律,用Matlab进行编程仿真,验证了结论。利用相位抖动技术来抑制DDS相位截断误差,最终达到改善DDS输出频谱特性的目的。
- 袁玉群梁蓓叶显阳谭亚军
- 关键词:DDS杂散抑制相位截断相位抖动MATLAB仿真
- 热电材料的研究进展被引量:6
- 2015年
- 随着热电材料与薄膜制备技术和性能研究手段的发展,具有高热电性能的热电薄膜和低维结构受到人们关注。目前,国内外研究主要集中在如何提高热电材料的能量转换率等核心技术问题上。介绍了热电材料的理论背景、材料分类、制备手段和热电性质的表征,其中,制备手段及热电性质表征主要以Bi2Te3基热电材料展开论述。最后,对热电材料的发展和未来研究方向进行总结。
- 周强梁蓓邹四凤何元英
- 关键词:热电材料热电性质
- 混沌信号的多分辨率分形滤波
- 本文分析了混沌信号与白噪声在小波变换中不同尺度下分解的方差随分尺度的变化规律,提出了基于分形维数的多分辨率分形滤波的重构计算方法,在满足最小均方误差的条件下重构信号。计算结果表明该方法滤波效果良好,可用于混沌信号的滤波。
- 陈琢梁蓓郭军
- 关键词:多分辨率分析混沌
- 文献传递
- 显示驱动芯片中MPU写SRAM时序电路设计
- 2011年
- 分析了SRAM cell设计的特点,以及MPU接口写SRAM所需要的控制信号。MPU接口写SRAM时,这些信号必须要保证在严格的时序控制下产生与撤消,否则,可能在SRAM cell电压并未建立稳定的情况下就撤消数据信号,或者,在写入时,因为充放电电流的瞬态过程引发错误的逻辑操作。该文在此基础上给出了控制信号时序,总结了这些时序电路产生的方法并设计了一款MPU写SRAM时序电路并验证了其功能正确。
- 陈唯一梁蓓
- 一种高性能CMOS带隙基准电压源的设计被引量:3
- 2014年
- 基于CSMC的0.5μm CMOS工艺库模型,设计了一种具有良好性能的CMOS带隙基准电压源电路,并且利用Cadence公司的Spectre仿真工具对电路进行了仿真。所设计电路产生的基准电压约为1.14 V,在-40℃到100℃的温度范围内所得到的温度系数为4.6 ppm/℃,电源抑制比在低频时为-107 dB。
- 杨毅梁蓓
- 关键词:带隙基准电压源温度系数电源抑制比