基于TSMC 0.13μm CMOS工艺设计了一款适用于无线传感网络、工作频率为300~400 MHz的两级功率放大器。功率放大器驱动级采用共源共栅结构,输出级采用了3-stack FET结构,采用线性化技术改进传统偏置电路,提高了功率放大器线性度。电源电压为3.6 V,芯片面积为0.31 mm×0.35 mm。利用Cadence Spectre RF软件工具对所设计的功率放大器电路进行仿真,结果表明,工作频率为350 MHz时,功率放大器的饱和输出功率为24.2 d Bm,最大功率附加效率为52.5%,小信号增益达到38.15 d B。在300~400 MHz频带内功率放大器的饱和输出功率大于23.9 d Bm,1 d B压缩点输出功率大于22.9 d Bm,最大功率附加效率大于47%,小信号增益大于37 d B,增益平坦度小于±0.7 d B。
应用光学显微镜(OM)、扫描电子显微镜(SEM)、电子背散射衍射(Electron Back Scatter Diffraction,EBSD)研究了316SS(Stainless Steel,SS)晶界特征分布(grain boundary character distribution,GBCD)的优化工艺;低温长时间和高温短时间的退火工艺(退火温度,退火时间和冷变形量)对316SS低ΣCSL晶界比例的影响。冷变形5%的固溶316SS经40min再结晶退火后低ΣCSL晶界比例达到80%,其中Σ3晶界比例占80%,退火时间大于40min后低ΣCSL晶界比例下降。
