您的位置: 专家智库 > >

王坤

作品数:15 被引量:11H指数:2
供职机构:贵州大学更多>>
发文基金:留学人员科技活动项目择优资助经费国家自然科学基金更多>>
相关领域:建筑科学电气工程理学化学工程更多>>

文献类型

  • 8篇专利
  • 4篇学位论文
  • 3篇期刊文章

领域

  • 3篇建筑科学
  • 2篇电气工程
  • 1篇化学工程
  • 1篇理学

主题

  • 3篇电磁铁
  • 3篇研磨
  • 3篇碳化硅
  • 3篇碳化硅微粉
  • 3篇铁粉
  • 3篇铁料
  • 3篇微粉
  • 3篇硅微粉
  • 2篇电极
  • 2篇电极片
  • 2篇约束混凝土
  • 2篇栓塞
  • 2篇区域约束混凝...
  • 2篇连接套
  • 2篇紧固
  • 2篇绝缘
  • 2篇混凝土
  • 2篇极片
  • 2篇极区
  • 2篇感器

机构

  • 15篇贵州大学

作者

  • 15篇王坤
  • 8篇肖清泉
  • 8篇张晋敏
  • 5篇谢泉
  • 5篇马家君
  • 2篇王晓斌
  • 2篇王媛
  • 2篇罗霄溢
  • 2篇廖杨芳
  • 1篇张云黔
  • 1篇李爽
  • 1篇马静

传媒

  • 1篇原子与分子物...
  • 1篇福建建筑
  • 1篇山西建筑

年份

  • 1篇2024
  • 1篇2021
  • 3篇2020
  • 7篇2019
  • 2篇2008
  • 1篇2007
15 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种便携式会议记录本笔筒
本发明公开了一种便携式会议记录本笔筒。包括有卷筒,卷筒上活动卷有卷纸,卷筒上设有两端设有卡口,卷筒为空心结构;所述卷筒的一端上活动设有笔梢,笔梢的一端连接有笔,笔位于卷筒内,卷筒的另一端经螺纹活动连接有旋扭;所述卷纸的一...
聂玉梅张云黔王坤夏文杨瑞瑜李爽
文献传递
一种基于Mg2Si半导体材料的存储器结构
本发明公开了一种基于Mg<Sub>2</Sub>Si半导体材料的存储器结构,它包括:Mg<Sub>2</Sub>Si衬底,Mg<Sub>2</Sub>Si衬底上设置有设置有第一存储单元,所述第一存储单元包括分区沟槽,分区...
王坤肖清泉张晋敏王立贺腾王媛
文献传递
区域约束混凝土在梁上的应用被引量:1
2008年
介绍了混凝土结构的优缺点,指出了对混凝土施加约束可以极大地改善混凝土的力学性能,研究了区域约束混凝土梁的受力性能、极限承载力及抗弯承载力的计算,以推广区域约束混凝土的应用。
王坤王晓斌罗霄溢
关键词:混凝土箍筋承载力
用于薄膜太阳能电池Mg2Si异质结光电性质研究
本文主要研究了基于半导体材料硅化镁(Magnesium Silicide,Mg2Si)异质结的制备及其光电特性。分析了沉积的Si、Mg薄膜厚度对Mg2Si薄膜异质结结构、表面形貌、光学性质和电学性质的影响。  首先,利用...
王坤
关键词:薄膜太阳能电池光电性质
文献传递
一种从研磨铁料中深度提取碳化硅微粉的装置
本发明公开了一种从研磨铁料中深度提取碳化硅微粉的装置,它包括传送带机构和位于传送带机构上侧的下料斗,所述传送带机构和下料斗均通过支架支撑在地面上,所述下料斗的侧壁上螺接有滚筒架,所述滚筒架的底端通过支撑轴安装有细分离电磁...
王坤谢泉肖清泉张晋敏马家君王立贺腾施建磊王新悦
一种基于Mg<Sub>2</Sub>Si半导体材料的存储器
本实用新型公开了一种基于Mg2Si半导体材料的存储器,它包括:Mg<Sub>2</Sub>Si衬底,Mg<Sub>2</Sub>Si衬底上设置有设置有第一存储单元,所述第一存储单元包括分区沟槽,分区沟槽边缘处设置有Mg<...
王坤肖清泉张晋敏王立贺腾王媛
文献传递
含氟光敏型表面活性剂的合成及界面性质的研究
碳氟表面活性剂具有“三高”,“两憎”的特性,在消防、工业、医药方面等领域得到应用;具有偶氮苯结构的功能化合物在生物医药、环境修复、纳米材料的制备等领域具有重要价值。我们合成了碳氟光敏型表面活性剂(FAS),探讨了光照条件...
王坤
关键词:光照条件润湿性石英晶体微天平
文献传递
一种基于硅化镁薄膜的传感器
本实用新型公开了一种基于硅化镁薄膜的传感器,它包括:连接套(1)和紧固套(9),紧固套(9)固定连接套(1)底端,紧固套(9)底部开有检测孔(8),其特征在于:连接套(1)内设置有上压环(4)和下压环(7),上压环(4)...
王坤谢泉肖清泉张晋敏马家君廖杨芳王立贺腾施建磊王新悦
文献传递
稀土元素(La,Y)掺杂GaN的第一性原理计算被引量:6
2020年
采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法,对稀土元素La,Y单掺杂和La和Y共掺杂GaN的晶格常数、电子结构及光学性质进行了计算与分析.计算结果表明:掺杂改变了GaN的能带结构,未掺杂和Y掺杂形成导带底和价带顶位于G点的直接带隙半导体,而La掺杂和La和Y共掺杂形成导带底位于G点,价带顶位于Q点的间接带隙半导体.可以通过掺杂元素来调制GaN的禁带宽度和带隙类型,掺杂均提高GaN在低能区的静态介电常数、反射率、折射率,使光子的跃迁强度增大,说明稀土元素La,Y掺杂可有效调制GaN的光电性质.
王坤王坤张晋敏肖清泉贺腾
关键词:GAN掺杂电子结构光学性质第一性原理
风力发电机的转子绕组匝间短路故障预测研究
转子绕组的匝间短路故障是较多发于风电机的一种电气故障,虽故障初期对风电系统的影响较小,但若未进行或未及时维修,则会使得故障进一步发展恶化,从而影响系统的稳定运行。因此,对风力发电机的转子绕组故障开展预测研究,实现从传统的...
王坤
关键词:风力发电机转子绕组匝间短路故障极限学习机
文献传递
共2页<12>
聚类工具0