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机构

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作者

  • 8篇王嵩宇
  • 3篇袁凯
  • 2篇林厚军
  • 2篇单成国
  • 2篇孙伯森
  • 2篇王丽华
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  • 1篇王丽华
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传媒

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  • 1篇第十二届全国...
  • 1篇2005年全...
  • 1篇第五届全国固...

年份

  • 1篇2012
  • 2篇2005
  • 1篇2004
  • 2篇2003
  • 1篇1997
  • 1篇1996
8 条 记 录,以下是 1-8
排序方式:
集成电路工艺问题的SEM诊断
王嵩宇单成国孙伯森
文献传递
IC SEM剖面分析技术研究
随着半导体工业的迅速发展,集成电路的生产已由大规模进入超大规模阶段,半导体工艺也发展到亚微米的水平.常规光学显微镜的放大倍数上限约为1200倍左右,在这样的放大倍数下,景深已非常小,于是扫描电子显微镜便得到日益广泛的应用...
王嵩宇王丽华袁凯张国俊林厚军
关键词:扫描电子显微镜集成电路
文献传递
LPCVDLTO的工艺研究
1997年
本文以热力学与统计物理的理论为基础,对LPCVDLTO(低温氧化)工艺出现的问题进行了数理分析,从而确定了分子热运动的平均自由程与流量比及淀积压力之间的关系,并用其指导实际工作,从根本上解决反应气流不稳定这一技术难题。
王嵩宇王丽华
关键词:集成电路
LPCVDLTO工艺研究
以热力学与统计物理的理论为基础,对LPCVDLTO(低温氧化)工艺出现的问题进行了数理分析,从而确定了分子热运动的平均自由程与流量比及淀积压力之间的关系,并用其指导实际工作,从根本上解决反应气流不稳定这一技术难题。
王嵩宇王丽华
关键词:二氧化硅膜生产工艺
SEM在半导体工艺研究中的应用实例被引量:1
2012年
根据半导体工艺的需要,介绍了利用SEM分析工艺问题的方法。主要包括样品的解理、缀饰及为提高导电性所采用的镀膜方法比对,其中高效、准确的解理定位是重要前提。三个典型案例中,埋层漂移是在问题刚显露时就得到及时分析、彻底解决;而MEMS器件悬臂梁断裂翘曲及减少鸟嘴工艺,则是在研制开发新工艺过程之初,就列为"定点清除"的主要问题。上述问题是发生在科研生产中的实例,且均已在工艺规范层面定型。在形成成品之前,特别是工艺设计及加工制造阶段的失效分析及可靠性研究,能够在隐患转变为大面积工艺问题及后期性能参数问题之前,就能够提早定位并彻底解决,更为今后产品大规模量产及产品升级换代提供客观准确的科学依据。SEM是其中的重要技术手段,尤其在线检测分析更是物尽其用。
王嵩宇刘剑宁润涛
关键词:解理微型机电系统
集成电路工艺问题的SEM诊断
2005年
王嵩宇单成国孙伯森
关键词:集成电路加固工艺抗辐射
扫描电子显微镜在半导体工艺中的应用技术研究被引量:1
2004年
针对半导体工艺的需要 ,本文提供了利用扫描电子显微镜进行分析的机理及采用的关键技术手段。
王嵩宇徐宁袁凯苏秀娣许仲德李宏林厚军
关键词:扫描电子显微镜解理
双层金属化工艺中绝缘介质的SEM研究
2003年
本文介绍了扫描电子显微镜 ( SEM)的器件剖面分析技术 ,并对双层金属化工艺中的技术难点进行了分析和研究。
王嵩宇路海林袁凯郭长厚
关键词:绝缘介质SEM集成电路扫描电子显微镜
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