- 溅射沉积HfON:Tb薄膜的光致发光
- 2006年
- 用直流溅射法沉积了HfON:Tb薄膜.对样品在空气中进行了不同温度的退火处理.用荧光光谱仪测试了样品的光致发光,在可见光区域观测到了强的发光峰.发现随着样品退火温度的变化,不同位置发光峰的强度有明显不同变化,并有微弱的蓝移.分析了发光机理,得出可见光区的发光是由于Tb离子产生的.发光峰的强度和Tb离子的浓度有关系,在达到一定值以后会发生浓度淬灭效应.
- 蒋然谢二庆贾昌文林洪峰潘孝军李晖
- 关键词：光致发光能量转换溅射
- HfOxNy栅介质薄膜的电学特性
- 2006年
- 用直流溅射方法制备了HfOxNy薄膜,对其电学特性和导电机理进行了研究.实验结果表明,引入铪缓冲层并在氮气中退火有助于改善电学性能.研究了薄膜在电场下的漏电机理,发现在负向低电场下I-V特性遵从欧姆规律,在中强电场下导电机制遵从空间电荷限制电流理论.
- 蒋然谢二庆
- 关键词：溅射
- Hf基高k材料的物性表征
- 国际半导体技术蓝图/(ITRS/)预言了先进Complementary Metal-Oxide-Semiconductor/(CMOS/)器件尺寸缩减的趋势。当栅层的等效氧化厚度小于1.5nm时，传统的SiO/_2材料已...
- 蒋然
- 关键词：高介电常数材料介电常数栅介质材料电学性质半导体材料
- 文献传递
- 稀土掺杂多孔硅的蓝光发射被引量：11
- 2004年
- 用电化学方法对多孔硅薄膜进行了稀土 (Pr,Dy ,Sc)离子的化学掺杂 .用扫描电镜研究了多孔硅薄膜的表面形貌 ,用卢瑟福背散射谱研究了稀土离子在多孔硅薄膜中的分布情况 .利用荧光分光光度计分析了样品的光致发光特性 ,发现稀土掺杂增强了多孔硅的蓝光发射 ,尤其是Dy的掺杂可产生较强的蓝光发射 ,其强度可与多孔硅的红光强度相比较 ,适当的Pr和Sc的掺杂也可一定程度地增强多孔硅的蓝光发射 .稀土掺杂多孔硅后产生蓝光发射的可能机理为 :稀土掺杂引入新的表面态 ,形成硅、氧、稀土间新的键合方式O—Si—O—Re—O ,从而在多孔硅表面形成新的发光中心 ;稀土离子丰富的能态在多孔硅发光过程中起到了能量传递作用 ,从而增强了多孔硅的蓝光发射 .
- 彭爱华谢二庆贾昌文蒋然林洪峰贺德衍
- 关键词：稀土掺杂光致发光电化学蓝光发射
- HfOxNy的场发射特性被引量：1
- 2006年
- 用直流溅射和高温退火相结合的方法制备了HfOxNy薄膜并测试了其场发射性能,发现其具有较低的开启电场、较大的发射电流密度以及很好的发射稳定性.高压"锻炼"对提高HfOxNy场发射性能起着关键作用,这与高压"锻炼"下薄膜内部结构和表面性质的改变有关.对场发射机理的研究表明,HfOxNy的场发射符合经典的FN隧穿理论.
- 段辉高谢二庆叶凡蒋然王晓明
- 关键词：场发射
