郭钰
- 作品数：7 被引量：14H指数：1
- 供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 宽禁带半导体碳化硅单晶生长和物性研究进展被引量：14
- 2012年
- 本文介绍了最近几年在SiC单晶生长和晶片加工技术产业化进程中的系列进展。研究出SiC单晶生长的扩径技术,4英寸SiC晶体单晶直径达105 mm。晶体质量逐步提高,至2011年,大部分晶片微管密度小于1个/cm2,反映晶体结晶质量的X射线摇摆曲线半高宽小于20″;生长的导电型SiC晶体电阻率小于0.02Ω.cm,半绝缘型SiC晶体电阻率大于108Ω.cm,电阻率分布均匀性良好。研究出即开即用SiC晶片批量加工技术,晶片表面粗糙度低于0.2 nm,翘曲度和总厚度变化满足工业化批量生产要求。与此同时,在基础物性研究方面也取得了系列研究成果。首次在实验上给出了直接证据证明SiC晶体中的双空位能够诱导出磁性,并从理论上予以证明。利用多种方法在SiC衬底上成功制备出大面积、高质量、性能优异的石墨烯。
- 彭同华刘春俊王波王锡铭郭钰赵宁李龙远刘宇黄青松贾玉萍王刚郭丽伟陈小龙
- 关键词：SIC晶体单晶生长晶片加工磁性
- 一种硼掺杂石墨烯的制备方法
- 本发明提供一种硼掺杂石墨烯的制备方法，利用碳化硅高温热分解法制备石墨烯，其中所述碳化硅中掺杂有硼。本发明提供的制备方法简单、安全、可控，所制备的石墨烯结构完整性高，硼掺杂均匀性好。
- 陈小龙郭丽伟李治林芦伟贾玉萍陈莲莲郭钰王刚王文军
- 文献传递
- 六方晶型碳化硅硅面台阶高度对外延石墨烯性能的影响
- 因为石墨烯在电学、力学、光学、热性能等方面的优异性质,自2004年被发现以来即引起了广泛的关注,其超高的载流子迁移率(理论值达到107cm2.V-1.s-1)在制备高频器件方面更是拥有广阔的应用前景[1]。碳化硅外延法制...
- 郭钰郭丽伟陈小龙贾玉萍芦伟
- 文献传递
- 一种硼掺杂石墨烯的制备方法
- 本发明提供一种硼掺杂石墨烯的制备方法，利用碳化硅高温热分解法制备石墨烯，其中所述碳化硅中掺杂有硼。本发明提供的制备方法简单、安全、可控，所制备的石墨烯结构完整性高，硼掺杂均匀性好。
- 陈小龙郭丽伟李治林芦伟贾玉萍陈莲莲郭钰王刚王文军
- 文献传递
- 一种碳化硅表面处理方法
- 本发明提供一种用于碳化硅的表面处理方法，一种用于碳化硅的表面处理方法，包括：将碳化硅粉末以及具有待处理表面的碳化硅晶体放置在真空腔中；使所述碳化硅粉末被加热至第一温度以使其分解从而形成富Si气氛，至少使所述碳化硅晶体的所...
- 郭丽伟芦伟贾玉萍郭钰李治林陈小龙
- 文献传递
- 一种碳化硅表面处理方法
- 本发明提供一种用于碳化硅的表面处理方法，一种用于碳化硅的表面处理方法，包括：将碳化硅粉末以及具有待处理表面的碳化硅晶体放置在真空腔中；使所述碳化硅粉末被加热至第一温度以使其分解从而形成富Si气氛，至少使所述碳化硅晶体的所...
- 郭丽伟芦伟贾玉萍郭钰李治林陈小龙
- 文献传递
- X射线在SiC晶体质量表征中的应用
- SiC单晶是非常重要的第三代半导体材料,其独特的物理性质决定了在大功率、微波电子器件中的地位,还可以应用到光电子领域,在半导体固体白光照明中也担当了不凡的角色[1]。SiC结晶质量的好坏,直接影响到后续的外延膜及器件质量...
- 张玮郭钰娄艳芳彭同华刘春俊张贺王锡明陈小龙
- 关键词：半导体材料残余应力晶体质量X射线衍射
