陆晟
- 作品数：33 被引量：45H指数：5
- 供职机构：中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划中国科学院知识创新工程青年人才领域前沿项目更多>>
- 相关领域：理学化学工程核科学技术更多>>
- Lu_2Si_2O_)7∶Ce晶体的闪烁性能被引量：2
- 2006年
- 用提拉法生长了Lu2Si2O7∶Ce晶体,对该晶体的闪烁性能进行了研究。透射光谱表明,Lu2Si2O7∶Ce晶体的吸收边比Lu2SiO5∶Ce晶体向短波方向移动了25nm,使透光范围进一步拓宽。X射线发射光谱和UV激发发射光谱均具有典型的双峰特征,主峰在378nm。UV激发发射谱具有温度效应,即375K以上时,发光效率迅速降低;425K以上时,发光主峰位明显红移。衰减曲线符合单指数式衰减规律,常温下经UV激发后的衰减时间约为34ns。从曲线形态看,375K以下的衰减谱与室温下的几乎完全相同,拟合的结果在32.8～34ns之间;衰减时间的温度效应从375K开始显现,即随温度的升高,衰减时间有加速变短的趋势,到500K时缩短为6.72ns。热释光谱在488,553K处有两个热释光峰,但室温附近几乎观察不到热释光峰。
- 李焕英秦来顺姚冬敏陆晟任国浩
- 关键词：透射光谱
- Lu_2Si_2O_7:Ce闪烁晶体的生长与宏观缺陷研究被引量：5
- 2006年
- 用提拉法生长了Lu2Si2O7:Ce晶体,讨论了晶体生长过程中的几个问题: (1)熔体挥发;(2)晶体开裂; (3)层状包裹．生长过程中LPS和SiO2均存在挥发,其中后者占主导; LPS挥发不会造成组分偏析,因此对生长过程没有负面的影响．接种温度偏低导致晶体出现多晶化和晶体中较大的热应力是促使开裂发生的主要原因．层状包裹现象的出现主要是由于该晶体的结晶温度范围狭窄,熔体容易出现组分过冷,以及生长设备的温控系统精度不高等造成的．
- 李焕英秦来顺陆晟任国浩
- 关键词：闪烁晶体包裹物
- 掺铈硅酸镥(Lu_2SiO_5:Ce)晶体的生长与闪烁性能被引量：13
- 2003年
- 用Czochralsky方法和铱坩埚感应加热技术生长出了尺寸为φ35mm×40mm的掺铈硅酸镥(LSO:Ce)闪烁晶体.透射光谱表明,由于铈离子的掺入,使晶体的吸收边由纯LSO晶体的195nm红移至380nm.LSO:Ce晶体的紫外激发波长按强度递减的顺序依次为380、333、319和216nm,其光发射为带状谱,波长覆盖范围从390nm至560nm.X射线激发的发射谱具有典型的双峰特征,峰值波长为393nm和.426nm.这些特征与Ce3+离子基态能级4f1因自旋-轨道耦合而产生的两个分裂能级和Ce+离子在LSO晶体中占据两个不同的结晶学格位有关.
- 任国浩王绍华李焕英陆晟
- 氟离子掺杂氯化镧铈闪烁材料
- 本发明涉及氟离子掺杂氯化镧铈闪烁材料及其应用，属于闪烁材料领域。本发明组成为Ce<Sub>x</Sub>LaCl<Sub>3(1－x)</Sub>F<Sub>3x</Sub>或M<Sub>x</Sub>Ce<Sub>y<...
- 任国浩裴钰陈晓峰沈勇李中波陆晟
- 文献传递
- Lu2SiO5:Ce晶体生长中存在的主要问题
- LSO晶体是90年代发现的一种新型闪烁材料,该晶体因密度大,光输出高和衰减时间短而成为闪烁晶体中的佼佼者。本实验采用质量比为m(LuO):m(SiO)=1:1的配料,以CeO中的Ce离子为激活剂,掺杂浓度为0.2%～0....
- 任国浩李焕英陆晟秦来顺
- 文献传递
- LuxY1-xAlO3：Ce晶体中伴生(Lu，Y)3Al5O12：Ce相成因研究被引量：1
- 2008年
- 采用提拉法制备了Lu_xY_(1-x)AlO_3:Ce晶体样品,通过XRD物相分析和成分分析,并结合Lu_2O_3- Al_2O_3二元体系相图以及Lu_xY_(1-x)AlO_3:Ce结构稳定性方面的分析与讨论,结果表明:随着熔体中Lu元素含量的增加,熔体分层加剧,析晶Lu_xY_(1-x)AlO_3:Ce相的熔体组成区间将向富Lu一侧偏移,这使得晶体上部易伴生(Lu,Y)_3Al_5O_(12):Ce相;而随着Lu元素含量的提高,Lu_xY_(1-x)AlO_3:Ce晶体的热稳定性降低,氧空位的存在则使晶体的热稳定性进一步降低,在接种过程中籽晶表面易发生相分解反应生成(Lu,Y)_3Al_5O_(12):Ce和(Lu,Y)_4Al_2O_9:Ce,籽晶表面相分解产物(Lu,Y)_3Al_5O_(12):Ce提供了诱导析晶(Lu,Y)_3Al_5O_(12):Ce相所需的晶核,这使得晶体的外表面处易伴生(Lu,Y)_3Al_5O_(12):Ce相.调整配料组成使n((Lu,Y)_2O_3):n(Al_2O_3)=1.17～1.00,加大熔体内部和固液界面处的温度梯度以改善熔体对流,抑制熔体分层以及籽晶表面处的相分解等有助于高Lu元素含量Lu_xY_(1-x)AlO_3:Ce晶体的获得.
- 丁栋舟陆晟潘尚可张卫东王广东任国浩
- 关键词：钙钛矿石榴石伴生
- 中子探测闪烁晶体Ce:Li6Gd(BO3)3的提拉法生长研究
- Ce:Li6Gd(BO3)3晶体是一种新型中子探测闪烁晶体,该晶体因同时含有Li、B和Gd等三种元素且探测效率高引起了研究者的广泛兴趣[1,2]。
- 潘尚可杨帆丁栋舟陆晟张卫东任国浩
- 文献传递
- 硅酸镥闪烁晶体的生长与缺陷研究被引量：7
- 2004年
- 本文采用提拉法生长出了硅酸镥闪烁晶体 ,讨论了晶体生长中遇到的问题 ,所生长的硅酸镥晶体有开裂、解理、多晶、回熔现象等宏观生长缺陷和包裹物、位错等微观缺陷。开裂是由热应力和晶体解理两种因素引起的 ,其中热应力是导致开裂的主要因素 ,优化生长工艺条件可完全避免开裂。晶体中存在两种包裹物 ,成份分别为氧化镥和坩埚材料铱 ,氧化镥很可能是未参加反应的原料 。
- 秦来顺陆晟李焕英史宏声任国浩
- 关键词：闪烁晶体包裹物提拉法解理位错硅酸
- 硅酸镥闪烁晶体的生长与缺陷研究
- 90年代初Melcher等首次使用提拉法生长出硅酸镥(LuSiO:Ce)晶体,发现其闪烁性能极其优秀,非常适合用于高性能核医学正电子湮没断层扫描成像技术(PET)探测器材料,引起了闪烁晶体界高度重视,对其闪烁性能和发光机...
- 秦来顺任国浩史宏声李焕英陆晟
- 文献传递
- 非真空坩埚下降法生长CsI(Tl)晶体的闪烁性能被引量：1
- 2006年
- 研究了用非真空铂坩埚下降法生长的CsI(Tl)晶体的在紫外和γ射线激发下的光致发光和光衰减特征,探索了CsI(Tl)晶体的发光强度和发光不均匀性与Tl离子含量和分布之间的关系以及改善晶体发光均匀性的措施。并对CsI(Tl)晶体在γ射线辐照下光输出随积分时间和辐照剂量的变化做了分析和讨论。实验表明,用这种方法所生长的CsI(Tl)晶体的发射波长、衰减时间和辐照硬度与其他方法生长的同类晶体相同。
- 任国浩陈晓峰薛炫萍李中波沈勇陆晟
- 关键词：CSI(TL)晶体光输出非均匀性
