陈南庭
- 作品数：2 被引量：6H指数：2
- 供职机构：湖南大学物理与微电子科学学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金湖南省自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学更多>>
- 含氮SW缺陷对单壁碳纳米管电子结构和光学性质的影响被引量：3
- 2011年
- 应用第一性原理密度泛函理论研究了单壁碳纳米管中Stone-Wales(SW)缺陷和氮掺杂情况下的电子结构和光学性质.研究发现,含氮SW缺陷单壁碳纳米管体系的总能降低,结合更稳定,且在费米能级附近出现一条半满的杂质带,并且随着氮掺杂位置的不同,掺杂能态出现显著差异.碳管的吸收和反射明显减弱且吸收峰和反射峰在低能区发生红移现象,在能量小于11eV附近均出现杂质特征峰.本文对计算结果进行了分析研究,可望为含氮SW缺陷碳管在光电材料中的应用提供理论依据.
- 张丽娟胡慧芳王志勇陈南庭谢能林冰冰
- 关键词：单壁碳纳米管氮掺杂光学性质
- 氮掺杂手性碳纳米管的电子结构和输运特性的理论研究被引量：4
- 2011年
- 运用第一性原理的密度泛函理论,结合非平衡格林函数,研究了氮原子取代掺杂手性单壁(6,3)碳纳米管的电子结构和输运特性.计算结果表明:不同构形和不同数目的氮原子取代掺杂对手性碳管的输运性质有很复杂的影响.研究发现,氮原子掺杂明显改变了碳管的电子结构,使金属型手性碳管的输运性能降低,电流-电压曲线呈非线性变化,而且输运性能随着杂质原子间间距的变化而发生显著改变.在一定条件下,金属型碳管向半导体型转变.
- 魏燕胡慧芳王志勇程彩萍陈南庭谢能
- 关键词：氮掺杂电子结构
