颜廷静
- 作品数：6 被引量：7H指数：1
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划中国科学院知识创新工程重要方向项目更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 紫外-红外双波段探测器及其制作方法
- 本发明提供一种紫外-红外双波段探测器及其制作方法，其中紫外-红外双波段探测器，包括：一紫外波段探测器；一红外波段探测器，该红外波段探测器通过金属键合工艺与紫外波段探测器倒装互连在一起，该紫外波段探测器与红外波段探测器的一...
- 颜廷静种明苏艳梅林孟喆王晓勇
- GaN基日盲型紫外探测器面阵及其制作方法
- 一种GaN基日盲型紫外探测器面阵，包括：一衬底；一成核层，该成核层生长在衬底上；一N型欧姆接触层，该N型欧姆接触层生长在成核层上；一有源层，该有源层生长在N型欧姆接触层上；一P型欧姆接触层，该P型欧姆接触层生长在有源层上...
- 颜廷静苏艳梅王国东种明
- 文献传递
- 246nm p-i-n型背照AlGaN太阳盲紫外探测器的研制被引量：6
- 2011年
- 设计并制备出短波长p-i-n型背照AlGaN太阳盲紫外探测器,响应波段为225～255 nm,峰值波长为246nm。材料为在蓝宝石衬底上生长的背照式p-i-n型异质结结构,n型窗口层的AlxGa1-xN中的Al组分为71%,非故意掺杂吸收层中的Al组分为52%。零偏压下测得的暗电流为27 pA,光电流为2.7 nA,峰值响应度为23 mA/W。并在此基础上制备出大面阵太阳盲紫外探测器芯片,其像元数为128×128,光敏元直径为44μm,像元间距为50μm。
- 颜廷静种明赵德刚张爽陈良惠
- 关键词：ALGAN紫外探测器面阵
- Ni基电极淀积前后表面处理对p-GaN欧姆接触的影响被引量：1
- 2009年
- 在p-GaN上蒸发Ni/Au电极前,采用王水、HCl、缓冲HF进行前表面处理,O2气氛下退火后,比较各电极样品的I-V特性和表面形貌。结果显示无表面处理时接触电阻最小,且溶剂处理后残留的电解质会影响电极的电流特性和稳定性。用俄歇电子能谱(AES)测试不同元素随深度分布情况,发现高温退火过程中NiO的形成有自动清洁p-GaN表面的作用,因此对于Ni基电极前表面处理不是必需的。再将样品用10%草酸溶液处理,其I-V特性显示接触电阻率明显下降;X射线光电子能谱(XPS)测试显示草酸溶液处理后电极表面Ni含量显著减少,而Au元素信号峰增强,说明表面高阻p型NiO被有效除去,对改善接触性能具有实际意义。
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- 关键词：接触电阻率表面处理
- 紫外-红外双波段探测器及其制作方法
- 本发明提供一种紫外-红外双波段探测器及其制作方法，其中紫外-红外双波段探测器，包括：一紫外波段探测器；一红外波段探测器，该红外波段探测器通过金属键合工艺与紫外波段探测器倒装互连在一起，该紫外波段探测器与红外波段探测器的一...
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- 文献传递
- GaN基日盲型紫外探测器面阵及其制作方法
- 一种GaN基日盲型紫外探测器面阵，包括：一衬底；一成核层，该成核层生长在衬底上；一N型欧姆接触层，该N型欧姆接触层生长在成核层上；一有源层，该有源层生长在N型欧姆接触层上；一P型欧姆接触层，该P型欧姆接触层生长在有源层上...
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