您的位置： 专家智库 > >

马平

作品数：55 被引量：14H指数：2
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信理学金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 49篇专利
  • 4篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 12篇电子电信
  • 2篇理学
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 19篇氮化镓
  • 19篇发光
  • 17篇二极管
  • 17篇发光二极管
  • 14篇电子阻挡层
  • 14篇阻挡层
  • 9篇衬底
  • 8篇成核
  • 7篇势垒
  • 7篇铟镓氮
  • 6篇氮化
  • 6篇气相外延
  • 6篇氢化物气相外...
  • 6篇铝镓氮
  • 6篇晶体
  • 6篇化物
  • 6篇HVPE
  • 5篇氮化物
  • 5篇倒装
  • 5篇倒装结构

机构

  • 55篇中国科学院

作者

  • 55篇李晋闽
  • 55篇马平
  • 54篇王军喜
  • 31篇曾一平
  • 19篇王国宏
  • 15篇魏同波
  • 12篇纪攀峰
  • 9篇段瑞飞
  • 9篇刘喆
  • 8篇伊晓燕
  • 8篇孔庆峰
  • 8篇吴冬雪
  • 8篇张烁
  • 7篇甄爱功
  • 6篇刘志强
  • 6篇郭金霞
  • 5篇胡强
  • 5篇刘乃鑫
  • 5篇魏学成
  • 4篇王文军

传媒

  • 4篇Journa...
  • 2篇第十四届全国...

年份

  • 3篇2018
  • 6篇2017
  • 4篇2016
  • 9篇2015
  • 9篇2014
  • 4篇2013
  • 3篇2012
  • 5篇2011
  • 3篇2010
  • 3篇2008
  • 3篇2007
  • 3篇2006
共 55 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
一种增强型氮化物场效应晶体管及其制备方法
本发明公开了一种增强型氮化物场效应晶体管及其制备方法，该方法在衬底上依次生长成核层、铟镓氮高阻缓冲层、铝铟镓氮势垒层；在铝铟镓氮势垒层上制备源极和漏极；源漏之间刻蚀有单条或多条沟槽，沟槽的深度大于铝铟镓氮势垒层的厚度，沟...
马平姬小利李喜林刘波亭王军喜李晋闽
文献传递
竖直式HVPE反应系统的理论模拟与GaN厚膜生长
根据流体动力学模型,研究了反应气体在反应室内的浓度分布,以及反应室的温场分布.NH3浓度在衬底附近分布均匀,而GaCl浓度在衬底中心区域分布较大,周边较小.实验结果表明,外延层在中心区生长速率为260 μm/h,周边为1...
马平段垚魏同波段瑞飞王军喜曾一平李晋闽
关键词：氢化物气相外延流体动力学
文献传递
转移衬底的氮化镓基高电子迁移率晶体管制作的方法
一种转移衬底的氮化镓基高电子迁移率晶体管的制作方法，包括：在衬底上依次生长低温成核层、氮化镓高阻层、高迁移率氮化镓层、氮化铝插入层、铝镓氮势垒层和氮化镓帽层；在氮化镓帽层的表面制备硅、铜或氮化铝的第一导电衬底；将衬底与低...
纪攀峰谢海忠郭恩卿马平张韵王军喜李晋闽
文献传递
提高电子注入效率的氮化镓基发光二极管
一种提高电子注入效率的氮化镓系发光二极管，其包括：一衬底；一氮化镓成核层制作在衬底上；一缓冲层制作在氮化镓成核层上；一n型接触层制作在缓冲层上，在该n型接触层的上面的一侧形成一台面；一下多周期n型电子耦合层制作在n型接触...
马平王军喜魏学成曾一平李晋闽
文献传递
氮化镓系发光二极管及制备方法
一种氮化镓系发光二极管及制备方法，其中氮化镓系发光二极管包括：一衬底：一氮化镓成核层，该氮化镓成核层制作在衬底上；一缓冲层，该缓冲层制作在成核层上；一n型接触层，该n型接触层制作在缓冲层上，该n型接触层上面的一侧有一台面...
马平刘波亭甄爱功郭仕宽纪攀峰王军喜李晋闽
文献传递
一种倒装结构发光二极管及其制作方法
本发明公开了一种倒装结构发光二极管及其制作方法。所述发光二极管包括：衬底、缓冲层、n型接触层、活性发光层、电子阻挡层和p型接触层；其中，所述衬底与活性发光层之间具有多孔状或者柱状的纳米结构层。本发明中所述发光二极管用于倒...
马平吴冬雪王军喜李晋闽
文献传递
一种MOCVD设备中的石墨盘
本发明公开了一种MOCVD设备的石墨盘，其包括至少一个片坑，所述片坑面积大于衬底面积，且为衬底面积的整数倍，所述至少一个片坑边缘具有与衬底的角相吻合的凸角，且一定数量的衬底紧密排列后正好覆盖住所述至少一个片坑。本发明提出...
胡强李晋闽王军喜曾一平路红喜伊晓燕马平魏同波闫建昌纪攀峰
文献传递
一种LED外延片的切裂方法
本发明提供了一种LED外延片的切裂方法。该方法包括：制备具有多颗管芯结构的方形或圆形LED外延片。对于圆形LED外延片，在其周边的四个对称位置切去四个弓形后分别切裂，或者将弓形部分丢弃。本发明简单可靠、易于实现，可保证管...
孔庆峰郭金霞纪攀峰马平王文军刘志强伊晓燕王军喜王国宏李晋闽
文献传递
氮化镓系发光二极管
一种氮化镓系发光二极管，包括：一衬底；一氮化镓成核层，该氮化镓成核层制作在衬底上；一缓冲层制作在成核层上；一n型接触层制作在缓冲层上，该n型接触层由n型氮化镓构成；一活性发光层制作在n型接触层上并覆盖所述n型接触层的部分...
马平李京波王军喜王国宏曾一平李晋闽
文献传递
具有波导结构光子晶体发光二极管的制作方法
一种具有波导结构光子晶体发光二极管的制作方法，包含：在衬底上依次外延形核层、非掺杂氮化镓层、n型氮化镓层、有源层、电子阻挡层和p型氮化镓层；在p型氮化镓层的表面旋涂第一光刻胶；在第一光刻胶上制作第一单层纳米球薄膜；光刻，...
甄爱功马平张勇辉田迎冬郭恩卿王军喜李晋闽
文献传递
全选 清除 导出
共6页<123456>
聚类工具0