马晓薇
- 作品数：11 被引量：4H指数：1
- 供职机构：河北工业大学更多>>
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- 相关领域：电子电信建筑科学一般工业技术交通运输工程更多>>
- 垂直式HVPE生长GaN材料的数值模拟
- 建立了HVPE的GaN流体动力学模型。基于CFD理论在三维空间内模拟了垂直式HVPE反应室生长GaN材料的流场、生成物的分布及沉积速率等重要物理参数。通过变化衬底距离出气口的距离、NH出气口尺寸、衬底旋转等模型,分别进行...
- 赵勇明陈贵锋陈雷英马晓薇白云娜李养贤
- 关键词：氮化镓氢化物气相外延
- 文献传递
- 垂直式HVPE反应器温场的数值模拟
- 基于CFD理论得出了不同条件下的温场分布,研究了流速变化对HVPE反应器温场的影响。在模拟计算中,流场数值模拟基于非交错网格系统的SIMPLE算法,用有限体积方法对控制方程进行离散,并采用改进的压力速度耦合方法进行求解温...
- 赵勇明陈贵锋陈雷英马晓薇白云娜李养贤
- 关键词：氢化物气相外延温场有限体积法流场
- 文献传递
- GaN薄膜材料TEM样品的制备
- 2008年
- 研究了采用机械研磨和离子减薄技术制备透射电镜用薄膜样品的方法,介绍了GaN截面TEM样品的制备,发展了供透射电子显微镜(TEM)分析用的"三明治"半导体样品制样技术,并利用扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜进行观测,获得了有关半导体GaN材料横截面的薄区图像,加以分析整理从而寻求到了一种透射电镜截面样品的最佳制备工艺。
- 陈雷英陈贵锋赵勇明白云娜马晓薇李养贤
- 关键词：氮化镓透射电子显微镜
- 快速热处理对电子辐照直拉硅氧沉淀的影响
- 研究了快速热处理（RTP，Rapid Thermal Processing）以及热处理气氛对电子辐照直拉硅（CZ-Si）中氧沉淀和清洁区（DZ，Denuded Zone）的影响。采用辐照能量为1.5 MeV、辐照剂量为1...
- 马晓薇陈贵锋郝秋艳白云娜薛晶晶李养贤
- 关键词：直拉硅电子辐照氧沉淀单晶硅
- 文献传递
- 电子辐照对硅单晶电学性能的影响
- 硅经电子辐照后,由于大量的辐照缺陷充当多数载流子的陷阱,使得电阻率增加,少子寿命下降.在随后的退火过程中,当退火温度不断升高,这些缺陷阱不断消失,晶体的导电能力也就不断恢复.实验表明750℃退火,少子寿命值出现一个低谷,...
- 陈贵锋马晓薇白云娜阎文博崔会英蔡莉莉郝建刚李养贤
- 关键词：电子辐照少子寿命辐照缺陷电阻率
- 快中子辐照直拉硅中的氧沉淀及诱生缺陷被引量：3
- 2010年
- 利用光学显微镜和透射电子显微镜,研究了1100℃退火后快中子辐照直拉硅中氧沉淀及诱生缺陷的产生及其随退火时间的演变情况。实验发现:在快中子辐照直拉硅中,氧沉淀过程中产生了氧沉淀诱生的体层错和结构复杂的位错环。延长退火时间,缺陷密度增加。当过饱和态的间隙氧基本沉淀之后,诱生缺陷密度不再变化。较高剂量辐照样品中的缺陷尺寸较大,但密度相对较低。经高温退火的快中子辐照直拉硅中生成了直径约为40nm的氧沉淀,其形貌为多面体氧沉淀。
- 马巧云陈贵锋马晓薇薛晶晶郝秋艳
- 关键词：快中子辐照直拉硅氧沉淀
- 快速热处理对高能粒子辐照硅中氧沉淀的影响被引量：1
- 2011年
- 研究快速热处理对快中子辐照掺氮直拉硅(NCZ-Si)和电子辐照直拉硅(CZ-Si)中氧沉淀和清洁区(DZ)的影响.样品经过不同温度、降温速率和退火气氛快速热处理(RTP)预处理后,再进行高温一步长时间退火,以形成氧沉淀.研究结果表明:对于快中子辐照NCZ-Si,RTP有助于后期退火中DZ的生成,且RTP温度越高,形成的DZ越宽;而高的降温速率会使得DZ宽度变窄;对于电子辐照CZ-Si,在N2气氛下高温RTP更能促进氧沉淀形成,体缺陷(bulk micro defects,BMDS)密度较大.
- 陈贵锋马晓薇吴建海马巧云薛晶晶郝秋艳
- 关键词：中子辐照电子辐照直拉硅氧沉淀
- 电子辐照对单晶硅性能影响的研究
- 现代微电子器件生产的发展离不开硅材料，集成电路技术的不断更新对单晶硅提出了非常严格的要求。研究单晶硅的电子辐照效应、开发新的辐照吸杂工艺具有重要的理论意义和实用价值。本文利用傅立叶变换红外光谱仪(FTIR，Fourier...
- 马晓薇
- 关键词：电子辐照单晶硅傅立叶变换红外光谱仪辐照缺陷电学性能
- 文献传递
- GaN薄膜材料TEM样品的制备
- 研究了采用机械研磨和离子减薄技术制备透射电镜用薄膜样品的方法,介绍了GaN截面EM样品的制备,发展了供透射电子显微镜(EM)分析用的"三明治"半导体样品制样技术,并利用扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜进行观测,获...
- 陈雷英陈贵锋赵勇明白云娜马晓薇李养贤
- 关键词：氮化镓透射电子显微镜
- 文献传递
- 垂直式HVPE反应器温场的数值模拟
- 2008年
- 基于CFD理论得出了不同条件下的温场分布,研究了流速变化对HVPE反应器温场的影响。在模拟计算中,流场数值模拟基于非交错网格系统的SIMPLE算法,用有限体积方法对控制方程进行离散,并采用改进的压力-速度耦合方法进行求解温场通过与具体实验结合选择合适的温度传输模型,分别改变石墨环几何尺寸、流量等条件,得到反应器流场、温场的相应变化。根据对模拟结果进行分析,流场对温场的影响是重要的影响因素,流量的大小直接关系到温场的分布,并把数值模拟结果与实验进行了对比验证。
- 赵勇明陈贵锋陈雷英马晓薇白云娜李养贤
- 关键词：氢化物气相外延温场有限体积法流场
