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何旭

作品数:5 被引量:23H指数:3
供职机构:大连大学更多>>
发文基金:中国石油科技创新基金更多>>
相关领域:化学工程机械工程金属学及工艺理学更多>>

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 1篇专利

领域

  • 2篇化学工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇机械工程
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 3篇镀层
  • 3篇复合镀
  • 3篇复合镀层
  • 2篇多晶
  • 2篇多晶硅
  • 2篇多晶硅薄膜
  • 2篇真空蒸镀
  • 2篇稀土
  • 2篇稀土铈
  • 2篇晶化率
  • 2篇硅薄膜
  • 1篇电池
  • 1篇太阳能
  • 1篇太阳能电池
  • 1篇摩擦学
  • 1篇摩擦学行为
  • 1篇耐蚀
  • 1篇耐蚀性
  • 1篇耐蚀性能
  • 1篇化学沉积

机构

  • 5篇大连大学

作者

  • 5篇王宙
  • 5篇付传起
  • 5篇何旭
  • 2篇室谷贵之
  • 2篇张庆乐
  • 2篇曹健
  • 2篇杨萍
  • 1篇李斌

传媒

  • 1篇润滑与密封
  • 1篇表面技术
  • 1篇功能材料
  • 1篇真空科学与技...

年份

  • 3篇2013
  • 1篇2012
  • 1篇2011
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
稀土铈对化学镀复合镀Ni-P-PTFE镀层耐蚀性能的影响被引量:10
2013年
为了进一步提高化学镀Ni-P-PTFE复合镀层的耐蚀性能,采用在化学镀液中添加稀土铈的方法在45号碳钢试片表面制备了稀土铈Ni-P-PTFE复合镀层。用扫描电镜观察了镀层的表面形貌,并研究了稀土铈浓度对镀层中PTFE含量的影响,通过浸泡失重法分别研究了在3.5%NaCl和3.5%NaOH溶液中稀土铈浓度对镀层耐蚀性能的影响。结果表明:适量稀土铈的加入提高了镀层中PTFE的含量,降低了镀层的腐蚀速率,提高了复合镀层的耐蚀性能,在铈质量浓度为0.02 g/L时,在3.5%NaCl和3.5%NaOH溶液中镀层的腐蚀速率分别为0.402 mg/cm2和0.235 mg/cm2。
何旭付传起王宙张庆乐
关键词:稀土铈腐蚀速率耐蚀性能
Ni-P-PTFE复合镀层工艺及摩擦学行为研究被引量:8
2011年
在化学沉积N i-P镀层的工艺基础上,制备N i-P-PTFE复合镀层,利用SEM和XRD分析镀层的表面形貌和组织结构,探讨镀液中活性剂和PTFE含量对复合镀层结合力、硬度、摩擦因数、磨损率以及复合镀层PTFE粒子含量的影响,采用MRH-3摩擦磨损试验机研究复合镀层摩擦学行为,分析复合镀层的磨损机制,确定最佳工艺条件。结果表明在最佳工艺条件下制备的N i-P-PTFE复合镀层具有良好的摩擦学性能,其磨损机制为黏着和轻微磨粒磨损。
付传起王宙何旭
关键词:化学沉积复合镀层摩擦学行为
稀土铈对化学镀Ni-P-PTFE复合镀层防垢性能的影响被引量:4
2013年
采用化学镀的方法在45号碳钢试样表面制备了稀土铈促进共沉积的Ni-P-PTFE复合镀层,利用扫描电子显微镜观察和分析了镀层的表面形貌,研究了稀土铈浓度对复合镀层的表面形貌、镀层的沉积速率、镀层中PTFE含量以及镀层防垢性能的影响。结果表明,适量稀土铈的加入使得镀层表面黑色粒子更加密集,即PTFE在镀层中的含量增加,在铈浓度为0.04g/L时达到最大;镀层的沉积速率与镀层中PTFE含量均随铈浓度的增加而呈现先升后降的趋势,在铈浓度为0.04g/L时分别达到最大值28.25μm/h和40.43%,而镀层中PTFE含量也随着沉积速率的增加而升高;铈的加入提高了镀层的防垢性能,镀层的结垢率随着铈对镀层中PTFE含量的影响而发生变化,当铈浓度为0.04g/L时,结垢率最低,仅为9.026g/m2,防垢效果最佳。
何旭付传起杨萍张庆乐王宙
关键词:稀土铈
真空蒸镀太阳能电池用多晶硅薄膜及制备工艺
本发明公开一种真空蒸镀太阳能电池用多晶硅薄膜及制备工艺,目的是解决现有多晶硅薄膜及制备工艺存在的问题。本发明在玻璃衬底上通过铝诱导晶化法得到多晶硅薄膜,薄膜由表面向衬底依次由多晶硅薄膜和铝层组成,薄膜厚度为5μm-10μ...
王宙付传起曹健室谷贵之李斌何旭
文献传递
真空蒸镀锗掺杂多晶硅薄膜的研究被引量:3
2013年
为了进一步提高多晶硅薄膜的晶化率,采用真空蒸镀的方法在玻璃衬底上制备了掺杂稀土锗的多晶硅薄膜。用扫描电子显微镜(KYKY-1000B)和显微激光拉曼光谱仪(JY Labram HR 800)分析研究了不同掺杂分数的锗成分对掺锗多晶硅薄膜的表面形貌、组织结构及薄膜晶化率的影响。结果表明:随着锗掺杂分数的增加薄膜表面更加平整、晶粒粒径变大分布更加均匀,晶化率升高;当掺杂分数为1%时,薄膜表面晶粒尺寸可达1μm、晶化率达到87.37%;但当掺杂分数超过1%,镀层表面又变得粗糙、部分晶粒发生变形、晶化率降低。这说明适量锗的掺入可以改善多晶硅薄膜表面平整度,促进薄膜表面晶粒的形成和长大,提高薄膜晶化率。
王宙何旭付传起室谷贵之杨萍曹健
关键词:真空蒸镀多晶硅薄膜晶化率
共1页<1>
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