冯嘉恒
- 作品数：11 被引量：14H指数：2
- 供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
- 发文基金：教育部科学技术研究重点项目中国科学院知识创新工程重要方向项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电气工程化学工程一般工业技术更多>>
- PEALD原位掺杂制备纳米TiO2-xNx光催化剂被引量：3
- 2013年
- 采用等离子体增强型原子层沉积(PEALD)系统原位掺杂制备了TiO2-xNx光催化剂。利用光电子能谱(XPS)、高分辨率透射电镜(HRTEM)、光致发光(PL)光谱和紫外–可见光(UV-Vis)光谱对催化剂进行了表征,并研究了TiO2-xNx纳米薄膜在可见光照射下水接触角的变化和催化降解亚甲基橙(MO)溶液的性能。结果表明,等离子体功率变化可以改变掺入氮原子的结构,在功率为50 W时主要形成替换式氮原子,含量约为1.22at%,晶体为锐钛矿(101)型。结构无明显缺陷,且掺杂后TiO2-xNx薄膜光生电子–空穴对复合率低,有利于光催化效率的提高。该方法解决了传统ALD工艺制备TiO2-xNx光催化剂时容易形成氧空位的问题,实现了TiO2-xNx纳米材料的可见光(λ<800 nm)吸收和可见光光催化性能。
- 饶志鹏万军冯嘉恒李超波夏洋
- 关键词：原位光催化剂
- 一种原位监测原子层沉积设备
- 本实用新型公开了一种原位监测原子层沉积设备，包括：前驱体供应单元；沉积腔室，与所述前驱体供应单元连通，所述沉积腔室内部设置有样品台；第一电子束发射单元，与所述沉积腔室连通并向所述样品台发射第一电子束；第二电子束接收单元，...
- 范天庆屈芙蓉冯嘉恒夏洋高圣明帅强
- 文献传递
- 原子层沉积低温制备AZO薄膜被引量：1
- 2015年
- 采用原子层沉积技术与改进的Al掺杂模式在石英玻璃基体上低温制备AZO薄膜,利用椭圆偏振仪、原子力显微镜、X射线衍射仪、X射线光电子能谱仪、Hall效应测试仪系统地对样品的生长速率、表面形貌、晶体结构、薄膜成分与电学性能进行了表征和分析。结果表明,采用原子层沉积在150℃下制备AZO薄膜,其为六方纤锌矿结构,Al掺杂对Zn O的(002)有明显的抑制作用,Al在基体中弥散分布,其部分替换Zn O晶格中的Zn,以Al—O的形式存在于晶体中,晶体中存在大量的氧空位,最佳铝锌循环比为1∶19,此条件下AZO薄膜电阻率为4.61×10-4Ω·cm。
- 唐立丹梅海林冯嘉恒王冰
- 关键词：原子层沉积晶态薄膜
- 一种晶硅太阳能电池钝化材料Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>浓度梯度掺杂ZnO薄膜及制备方法
- 一种晶硅太阳能电池钝化材料Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>浓度梯度掺杂ZnO薄膜及制备方法，通过原子沉积在硅片表面进行Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>沉积以形成厚度为1nm～1...
- 唐立丹王冰冯嘉恒王建中
- 文献传递
- 原子层沉积系统的开发与应用
- 夏洋李超波孙清清陈波万军李楠卢维尔解婧李勇滔张庆钊石莎莉屈芙蓉郭晓龙张柏诚冯嘉恒
- 研究目的：伴随集成电路（IC）的不断发展，器件尺寸发展到亚10nm，电子行为的量子力学特点越来越突出。这对于IC制造技术而言，不仅是传统意义上CMOS晶体管特征尺寸的持续缩小，更为重要的是新材料、新器件结构和新工艺的引入...
- 关键词：
- 关键词：量子力学半导体器件
- 钙钛矿型太阳能电池的研究进展被引量：2
- 2016年
- 简要介绍了钙钛矿型太阳能电池的结构与机理,着重阐述了国际上钙钛矿型太阳能电池研究的最新进展和存在问题,提出解决方法,展望了钙钛矿型太阳能电池未来的研究方向。
- 梅海林唐立丹王冰冯嘉恒
- 关键词：钙钛矿太阳能电池固态电解质
- 一种晶硅太阳能电池钝化材料Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>浓度梯度掺杂ZnO薄膜及制备方法
- 一种晶硅太阳能电池钝化材料Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>浓度梯度掺杂ZnO薄膜及制备方法，通过原子沉积在硅片表面进行Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>沉积以形成厚度为1nm～1...
- 唐立丹王冰冯嘉恒王建中
- 文献传递
- 一种原位监测原子层沉积设备
- 本发明公开了一种原位监测原子层沉积设备，包括：前驱体供应单元；沉积腔室，与所述前驱体供应单元连通，所述沉积腔室内部设置有样品台；第一电子束发射单元，与所述沉积腔室连通并向所述样品台发射第一电子束；第二电子束接收单元，与所...
- 范天庆屈芙蓉冯嘉恒夏洋高圣明帅强
- 文献传递
- 原子层沉积AZO薄膜及晶硅表面钝化研究
- AZO薄膜是在ZnO中掺入Ⅲ族元素Al后而形成的，该薄膜不仅具有较高的载流子浓度和低电阻率，而且具有较好的光透过性，是一种优秀的透明导电薄膜。AZO薄膜成本低廉、接近氧化铟锡薄膜的电阻率，是目前最有可能替代ITO薄膜，在...
- 冯嘉恒
- 关键词：原子层沉积晶态薄膜
- 文献传递
- 等离子增强原子层沉积低温生长AlN薄膜被引量：8
- 2013年
- 采用等离子增强原子层沉积技术在单晶硅基体上成功制备了AlN晶态薄膜,利用椭圆偏振仪、原子力显微镜、小角掠射X射线衍射仪、高分辨透射电子显微镜、X射线光电子能谱仪对样品的生长速率、表面形貌、晶体结构、薄膜成分进行了表征和分析,结果表明,采用等离子增强原子层沉积制备AlN晶态薄膜的最低温度为200C,薄膜表面平整光滑,具有六方纤锌矿结构与(100)择优取向,Al2p与N1S的特征峰分别为74.1eV与397.0eV,薄膜中Al元素与N元素以Al-N键相结合,且成分均匀性良好.
- 冯嘉恒唐立丹刘邦武夏洋王冰
- 关键词：氮化铝晶态薄膜
