您的位置： 专家智库 > >

刘丕均

作品数：5 被引量：6H指数：1
供职机构：上海交通大学更多>>
发文基金：上海市科学技术发展基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 4篇纳米
  • 2篇杨氏模量
  • 2篇透射电子显微...
  • 2篇晶须
  • 2篇晶须材料
  • 2篇杆状
  • 1篇单晶
  • 1篇单晶硅
  • 1篇单晶硅片
  • 1篇电路
  • 1篇多势垒结构
  • 1篇载流子
  • 1篇势垒
  • 1篇自旋
  • 1篇自旋电子学
  • 1篇微细
  • 1篇微细加工
  • 1篇微细加工技术
  • 1篇量子
  • 1篇量子模型

机构

  • 5篇上海交通大学
  • 1篇兰州大学

作者

  • 5篇刘丕均
  • 4篇张亚非
  • 2篇徐东
  • 1篇王印月
  • 1篇蒲月皎
  • 1篇王洪梅

传媒

  • 2篇固体电子学研...

年份

  • 2篇2005
  • 2篇2004
  • 1篇2003
共 5 条 记 录，以下是 1-5
全选 清除 导出
排序方式：
测量纳米级晶须材料杨氏模量的方法
一种测量纳米级晶须材料杨氏模量的方法属于纳米技术领域。在单晶硅片上生长的纳米碳化硅晶须末端淀积悬挂单晶锗球，在透射电子显微镜下通过观察到的晶须弯曲程度统计的估算出晶须的杨氏模量。本发明具有实质性特点和显著进步，本发明提供...
张亚非刘丕均徐东
文献传递
测量纳米级晶须材料杨氏模量的方法
一种测量纳米级晶须材料杨氏模量的方法属于纳米技术领域。把生长好的样品放入一密闭的反应腔内，并通入惰性气体，在靠近载气源处往腔内放置一定量的单晶锗片；以氩气做载气通入反应腔内，并加热单晶锗片；对样品进行透射电子显微镜和高分...
张亚非刘丕均徐东
文献传递
纳米材料及功能器件的计算机模拟与设计
本报告通过构筑解析模型和计算机模拟的方法,结合实验探讨了纳米研究领域的几个倍受关注的课题:一、针对Ⅲ-V族化合物半导体的量子结构中的隧穿现象做了理论计算,给出了与隧穿有关的隧穿系数,共振隧穿寿命等参数.二、spintro...
刘丕均
关键词：自旋电子学计算机模拟
文献传递
电子在半导体多势垒结构中隧穿现象的研究与进展被引量：1
2005年
文中以探索多势垒结构的电子隧穿物理及其器件结构与性能为出发点,论述了多势垒结构隧穿现象的研究与进展。概述了一维半导体异质结构隧穿现象的解析解和数值计算。重点介绍了电子通过半导体双势垒结构产生隧穿现象的研究进展,即电子通过双势垒结构横纵波矢的耦合行为与共振准能级及共振准能级寿命的解析计算。
王洪梅刘丕均张亚非
关键词：势垒
纳米级MOSFET器件模拟的载流子输运模型被引量：5
2005年
随着半导体微细加工技术的发展,预计硅SOC的集成度可达万亿个晶体管,单个晶体管的尺寸将达到10nm范围内。因此从理论上研究纳米尺寸器件的性能和特性对发展超大规模集成电路尤为重要。综述了纳米级MOSFET器件数值模拟的量子模型,以及在该模型下用到的几种载流子输运模型,并结合模拟结果对这一模型作了评价。
蒲月皎刘丕均张亚非王印月
关键词：载流子超大规模集成电路MOSFET器件微细加工技术纳米尺寸量子模型
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0