刘梅苍
- 作品数：10 被引量：1H指数：1
- 供职机构：上海交通大学更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程更多>>
- 用离子束溅射反应沉积制备CN<,x>薄膜及其性质
- 采用真空离子束溅射反应沉积技术在不同N<,2>压强下制备了一组CN薄膜.研究这种薄膜的暗电导和在卤素光光源照射下的亮电导、响应时间等主要光电导性质与制备条件、掺杂以及氢化的关系.
- 刘梅苍丁尔峰周之斌崔容强
- 关键词：碳氮薄膜
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- 大面积均匀透明导电薄膜的喷嘴
- 喷涂沉积大面积均匀透明导电薄膜的喷嘴，属于半导体电子材料镀膜领域。包括用于储存雾化蒸汽的容器，容器内储存用于沉积透明导电薄膜的雾化蒸汽，该喷嘴的底部具有一定规律分布的小孔作为喷孔，喷孔有小圆孔喷孔或长条形狭缝喷孔两种，小...
- 周之斌崔容强蔡燕晖刘梅苍
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- 太阳电池中少数载流子的寿命测量
- 本文主要综述了四种测量少数载流子寿命的方法,详细介绍了测量原理和实验装置、适用范围,针对太阳电池的特点,分析比较了这些方法的优缺点。
- 陈凤翔崔容强徐林刘梅苍杨宏喜匡子光
- 关键词：少子寿命
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- 大面积均匀透明导电薄膜的喷嘴
- 喷涂沉积大面积均匀透明导电薄膜的喷嘴属于半导体电子材料镀膜领域。为具有一定规律分布的小圆孔的一维结构喷嘴，或为具有一定规律排列的阵列两维结构的两维喷嘴，或者是一维单狭缝喷嘴和多组长条型狭缝喷嘴平行排列的二维喷嘴，喷嘴的喷...
- 周之斌崔容强蔡燕晖刘梅苍
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- 超声雾化CVD制作SnO<,2>:F透明导电膜的工艺研究
- 我们采用超声雾化CVD工艺来制作二氧化锡薄膜,研究了各种工艺参数对SnO<,2>薄膜的性质的影响,摸索了最佳的工艺条件,研究了掺杂对膜的影响,分析了氟化氢和氟化氨掺杂的不同点,同时讨论以何种比例,何种条件,能使得沉积的膜...
- 丁尔峰刘梅苍蒋戈古丽娜周之斌崔容强
- 关键词：透明导电膜氟化氢二氧化锡薄膜
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- 高光电导增益氮化碳薄膜制备方法
- 一种高光电导增益氮化碳薄膜制备方法属于半导体材料领域。本发明方法采用离子束溅射工艺制备氮化碳薄膜，高纯石墨作为靶材，高纯氮气作为考夫曼离子束源的工作气体，工作气压为2～6×10<Sup>－2</Sup>Pa。本发明采用离...
- 周之斌崔容强蔡燕晖刘梅苍
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- 光伏新材料a-CN_x薄膜的光电响应性质被引量：1
- 2004年
- 采用离子束溅射反应沉积技术 ,以高纯 N2 为工作气体 ,利用在不同气压下产生的离子束轰击石墨靶 ,在石英基片上溅射出的碳原子与氮离子反应 ,沉积出 a- CNx 薄膜 .在室温下 ,研究薄膜的暗电导和在卤素光源照射下的光电导、光响应增益、响应时间等性质 ,以及制备工艺和掺杂、氢化对这些性质的影响及关系 .实验结果表明 :未掺杂的 a- CNx 薄膜的光响应增益达 1 8,磷掺杂薄膜的光响应增益为 3.0 ,经过氢化处理的未掺杂 a- CNx 薄膜的光响应增益为 30 ,光响应时间大约为 30 0 s.
- 刘梅苍周之斌丁正明崔容强
- 关键词：氮化碳薄膜离子束溅射光电响应
- 高光电导增益氮化碳薄膜制备方法
- 一种高光电导增益氮化碳薄膜制备方法属于半导体材料领域。本发明方法采用离子束溅射工艺制备氮化碳薄膜，高纯石墨作为靶材，高纯氮气作为考夫曼离子束源的工作气体，工作气压为2～6×10<Sup>-2</Sup>Pa。本发明采用离...
- 周之斌崔容强蔡燕晖刘梅苍
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- 基于虚拟仪器的太阳电池测试仪的开发
- 本文所论述单次闪光系列太阳电池测试设备，包括两种类型：JD-04和JD-06。该系列测试设备用脉冲氙灯作为模拟太阳的光源，不仅价格低廉，而且光强恒定，功耗低，光源光谱接近日光，能获得大面积均匀光强，以及不会使被测电池温度...
- 刘梅苍
- 关键词：太阳电池模拟器标准电池虚拟仪器
- Al/CN<,x>肖特基薄膜太阳电池能带结构
- 本文介绍了一种新型薄膜太阳电池Al/CN<,x>肖特基氮化碳薄膜太阳电池,采用离子束溅射,石墨靶,沉积氮化碳薄膜.用ITO为衬底的ITO/CN<,x>/Al结构,在100mW/cm<'2>光照下,开路电压达200mV.短...
- 周之斌刘梅苍陈凤祥赵占霞陈东徐秀琴崔容强
- 关键词：氮化碳薄膜
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