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向昱任

作品数:5 被引量:2H指数:1
供职机构:南昌大学更多>>
发文基金:国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电气工程电子电信一般工业技术更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电气工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 4篇电池
  • 3篇电极
  • 3篇太阳电池
  • 3篇前电极
  • 2篇异质结
  • 2篇异质结太阳电...
  • 2篇
  • 2篇串接
  • 1篇单晶
  • 1篇单晶硅
  • 1篇电荷
  • 1篇电极材料
  • 1篇电势
  • 1篇电阻
  • 1篇右边
  • 1篇直拉单晶硅
  • 1篇数值模拟
  • 1篇数值模拟分析
  • 1篇太阳能
  • 1篇太阳能电池

机构

  • 4篇南昌大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 5篇向昱任
  • 3篇黄海宾
  • 3篇周浪
  • 1篇崔冶青
  • 1篇张东华
  • 1篇王文静
  • 1篇周春兰
  • 1篇汪已琳
  • 1篇高江
  • 1篇龚洪勇

传媒

  • 1篇太阳能
  • 1篇太阳能学报

年份

  • 2篇2015
  • 2篇2013
  • 1篇2012
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
晶硅异质结太阳电池的前电极及电池片串接同步制作方法
一种晶硅异质结太阳电池的前电极及电池片串接同步制作方法,属于太阳电池器件制备领域;其步骤为:1)太阳电池背表面的导电金属层采用低温银浆烧结制备,样品架中有限位槽Ⅰ和限位槽Ⅱ,其中限位槽Ⅰ尺寸与太阳电池及其背表面金属板相匹...
R·弗里德里希沃尔夫冈法赫纳S·斯克韦尔特海姆周浪黄海宾向昱任
文献传递
晶硅异质结太阳电池的前电极及电池片串接同步制作方法
一种晶硅异质结太阳电池的前电极及电池片串接同步制作方法,属于太阳电池器件制备领域;其步骤为:1)太阳电池背表面的导电金属层采用低温银浆烧结制备,样品架中有限位槽Ⅰ和限位槽Ⅱ,其中限位槽Ⅰ尺寸与太阳电池及其背表面金属板相匹...
R·弗里德里希沃尔夫冈法赫纳S·斯克韦尔特海姆周浪黄海宾向昱任
文献传递
太阳电池PID现象的数值模拟分析被引量:1
2015年
针对传统晶硅太阳电池电势诱导衰减(PID)现象中可动电荷Na^+在硅表面积累的影响,对发生PID现象电池的非漏电区域和漏电区域分别采用扩展的肖克莱-里德-霍尔复合模型和双电荷层导致p-n结导通的假说进行分析讨论。根据分析结果推测,可动电荷Na^+对于组件效率的影响同被SiN_x的场钝化作用所屏蔽的隐性缺陷密切相关。提高界面钝化效果,阻止Na^+扩散至界面处同隐性缺陷结合有利于抗PID组件的制备。
向昱任周春兰王文静
关键词:表面电荷太阳电池
太阳能电池前电极银浆改性研究
能源与环境危机的压力,使市场对高效率、低成本的太阳能电池的需求越发迫切。本文着重对晶硅太阳能电池的前电极银浆进行了改性研究,包括添加低熔点金属Bi和Sn对普通银浆烧结电极导电率、接触电阻影响的研究;对电极烧结工艺影响的研...
向昱任
关键词:接触电阻太阳能电池电极材料
第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会优秀论文选登(十) PECVD法非晶硅薄膜对太阳能级n型直拉单晶硅片钝化效果的研究被引量:1
2013年
研究了优等化离子体化气相学沉积法(PECVD)在太阳能级n型直拉单晶(Cz)硅衬底上沉积i-a-Si:H薄膜工艺,得到较好的钝化效果。分析了气体流量和温度、气压等工艺参数对薄膜沉积和硅片钝化效果的影响。通过优化参数,钝化后在太阳能级n型Cz硅片(40×40mm)平均少子寿命值在800μs以上,局部在1500μs以上,得到了钝化后平均表面复合速率S<9.4cm/s的优良钝化效果;若硅片τbulk为2ms,则S<5.6cm/s。
龚洪勇周浪黄海宾向昱任汪已琳张东华高江崔冶青
关键词:氢化非晶硅
共1页<1>
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