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向静静

作品数：3 被引量：1H指数：1
供职机构：华中科技大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 3篇雪崩
  • 3篇雪崩光电二极...
  • 3篇光电
  • 3篇光电二极管
  • 3篇二极管
  • 2篇晶格
  • 2篇晶格结构
  • 2篇INAS
  • 2篇超晶格
  • 2篇超晶格结构
  • 1篇低噪
  • 1篇低噪声
  • 1篇多量子阱
  • 1篇增层
  • 1篇增益
  • 1篇隧穿
  • 1篇频率响应
  • 1篇温度特性
  • 1篇灵敏度
  • 1篇敏度

机构

  • 3篇华中科技大学

作者

  • 3篇向静静
  • 2篇涂俊杰
  • 2篇高晶
  • 2篇张冀
  • 2篇文柯
  • 2篇赵彦立

年份

  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 1篇2013
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
一种InAs雪崩光电二极管及其制造方法
本发明涉及一种雪崩光电二极管及其制造方法，特别涉及一种InAs雪崩光电二极管；所述的二极管采用吸收电荷倍增分离结构，其中倍增层采用超晶格结构。本发明还涉及一种制造所述InAs雪崩光电二极管的方法，主要步骤为：S1.产生采...
赵彦立向静静张冀涂俊杰张诗伯高晶文柯
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一种InAs雪崩光电二极管及其制造方法
本发明涉及一种雪崩光电二极管及其制造方法，特别涉及一种InAs雪崩光电二极管；所述的二极管采用吸收电荷倍增分离结构，其中倍增层采用超晶格结构。本发明还涉及一种制造所述InAs雪崩光电二极管的方法，主要步骤为：S1.产生采...
赵彦立向静静张冀涂俊杰张诗伯高晶文柯
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高速高灵敏度InP/InGaAs雪崩光电二极管
雪崩光电二极管(APD)由于其具有内部增益，可以提供比PIN探测器（PD）高5~10dB的灵敏度，被广泛应用于光通信系统中。近年来，面向100Gbit/s、甚至400Gbit/s高速通信系统应用的高响应速率、高灵敏度的A...
向静静
关键词：雪崩光电二极管频率响应灵敏度击穿电压温度特性
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