唐新伟
- 作品数：5 被引量：39H指数：3
- 供职机构：电子科技大学IC设计中心更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程更多>>
- 低能量He离子注入局域寿命控制LIGBT的实验研究(英文)被引量：3
- 2004年
- 提出了一种采用低能量大剂量 He离子注入局域寿命控制的高速 L IGBT,并对其进行了实验研究 .粒子辐照实验结果显示与常规的 L IGBT相比较 ,该器件的关断时间和正向压降的折中关系得到了改善 .同时研究了当局域寿命控制区位于 p+ - n结附近 ,甚至在 p+阳极内时 ,该器件的正向压降和关断时间 .结果显示当局域寿命控制区在p+ 阳极内时 。
- 方健唐新伟李肇基张波
- 关键词：LIGBT局域寿命控制
- 一种恒流型白光LED驱动电路的设计
- 便携式电子产品的显示屏需要用白光LED来提供背光，由于白光LED的正向压降与单节锂电池供电电压相近，因此白光LED驱动器需要一个升压转换器来解决其正向电压问题。传统的解决方案是使用电感开关升压方式，其特点是效率高，但存在...
- 唐新伟
- 关键词：电荷泵升压转换器白光LED驱动电路设计
- 文献传递
- 屏蔽槽SOI高压器件新结构和耐压机理被引量：20
- 2005年
- 提出具有屏蔽槽的SOI高压器件新结构和自适应界面电荷耐压模型.该结构在屏蔽槽内产生跟随漏极电压变化的界面电荷,此电荷使埋层介质的纵向电场增加,同时使顶层硅的纵向电场降低,并对表面电场进行调制,因此屏蔽了高电场对顶层硅的影响.借助二维器件仿真研究器件耐压和电场分布与结构参数的关系.结果表明,该结构使埋氧层的电场从传统的3ESi升高到近600V/μm,突破了传统SOI器件埋氧层的耐压值,大大提高了SOI器件的击穿电压.
- 罗小蓉李肇基张波郭宇锋唐新伟
- 关键词：调制纵向电场击穿电压
- 一种带热滞回功能的过热保护电路被引量：15
- 2006年
- 由于功率集成电路功率耗散比较大,发热量也大,因此,过热保护电路对于功率集成电路是非常重要的。文章介绍了一种用于集成电路内部的带热滞回功能的过热保护电路。电路不使用齐纳二极管和迟滞比较器,通过简单的反馈,防止了热振荡现象的发生。
- 朱国军唐新伟李肇基
- 关键词：功率集成电路过热保护
- 部分局域电荷槽SOI高压器件新结构被引量：6
- 2006年
- 提出了部分局域电荷槽SOI(partial locating charge trench SOI,PTSOI)高压器件新结构.该结构在槽内产生随漏极电压变化的界面电荷,此电荷使埋氧层纵向电场从传统的3ESi,C升高到接近Si O2的临界击穿电场ESi O2,C;另外,硅窗口将耗尽层引入衬底,因而提高了器件的击穿电压.同时,硅窗口的存在大大缓解了自热效应.借助二维器件仿真研究了器件的击穿特性和热特性.结果表明,漂移区厚2μm,埋氧层厚1μm的PTSOI耐压可达700V以上;对埋氧层厚1μm和3μm的PTSOI,其器件的最高温度分别比TSOI低6K和25K.
- 罗小蓉张波李肇基唐新伟
- 关键词：界面电荷自热效应纵向电场击穿电压
