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一台专用强流氧离子注入机的研制被引量：2: 2003年; 制备SOI材料的SIMOX技术因其工艺简单、易控制、重复性好、成本低、易向商业化过渡等优点而引起了SOI材料界更为广泛的关注。SIMOX技术所需要的最关键的设备就是大束流专用氧离子注入机。专用氧离子注入机与常规离子注入机有较大的区别:注氧时间长,注入剂量大,注入过程中要求晶片保持600℃左右的高温,金属污染非常低。本文着重介绍一台专用强流氧离子注入机主要结构单元的研制方法及工艺试验结果分析。; 唐景庭伍三忠贾京英郭健辉刘咸成; 关键词：离子源金属污染

适应现代集成电路制造的离子注入技术与装备: 本文简述了现代集成电路制造工艺的发展状况,并详细论述适应现代集成电路制造工艺的离子注入技术特点和发展趋势;以及简要介绍了国内外主流的离子注入装备及特点.; 唐景庭; 关键词：集成电路离子注入; 文献传递

变温量子阱生长技术对蓝光LED发光效率的影响: 2016年; 采用金属有机物化学气相沉积,在2英寸(1英寸=2.54 cm)蓝宝石图形衬底上通过引入变温量子阱生长技术,生长出了具有三角形量子阱(TQW)结构的发光二极管外延片。对比不同生长温度下的样品,得出了最优化的具有三角形量子阱结构外延片的生长条件。通过比较常规恒温量子阱结构和三角形量子阱结构外延片的光致发光光谱,发现TQW结构具有更窄的半峰宽和更高的发光强度。这主要是由于TQW改变了量子阱中的波函数分布,使电子空穴对的复合效率提高。外量子效率从传统的59.38%提高到60.75%,比传统的恒温量子阱提高了1.38%。; 袁凤坡王波潘鹏王静辉唐景庭; 关键词：氮化镓发光二极管(LED)

强流氧离子注入机注入均匀性分析及提高: 2005年; 对强流氧离子注入机的注入靶室进行分析探讨,对影响均匀性指标的靶盘结构、束的形状和束扫描注入方式进行研究,结合主体硬件,增加晶片自旋装置和采用新的扫描方式,来提高注入均匀性指标。; 刘咸成贾京英唐景庭; 关键词：注入机离子束均匀性 SOI

聚焦离子束用静电透镜特性的计算被引量：2: 1992年; 聚焦离子束技术是一项有前途的微细加工技术,聚焦光学系统的设计是该技术的关键之一。本文介绍用于聚焦离子光学系统的静电透镜特性计算程序,该程序可计算任何旋转轴对称静电透镜的特性,可用于寻求球差和色差系数较小的静电透镜的电极结构。; 唐景庭; 关键词：静电透镜聚焦离子束

4英寸硅衬底GaN发光二极管被引量：1: 2016年; 采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法,在4英寸(1英寸=2.54 cm)硅(111)衬底上,使用复合Al GaN插入层技术,成功生长出了厚度为4μm无裂纹的GaN基外延层,并在此基础上生长了全结构的发光二极管(LED)外延片。采用喇曼光谱测试和双晶衍射测试表征GaN外延层的应力以及外延层的晶体质量。GaN的喇曼谱峰为568.16 cm^(-1),表面受到的压应力为0.164 7 GPa,由于GaN外延层受到的压应力很小,说明插入Al GaN层之后外延层的应力已经释放。双晶衍射测试得出GaNω(002)的半高宽为320 arcsec。将此外延片制作成功率芯片,芯片尺寸为35 mil×35 mil(1 mil=2.54×10-3cm),封装为白光芯片后,在350 m A下流明效率达到161.1 lm/W,正向开启电压为3.095 V,显色指数为71。; 袁凤坡刘波尹甲运王波王静辉唐景庭; 关键词：氮化镓发光二极管(LED)喇曼光谱

关于SOI(SIMOX)材料在注入过程中粒子污染的研究: 2003年; 本文描述注氧机在制作SOI(SIM0X)材料时,注入过程对顶层硅中产生粒子污染的影响,结合SIMS测试结果,从光路结构、电器参数、靶室等方面阐述粒子污染的机理,并提出相应的解决措施。; 刘咸成唐景庭伍三忠贾京英郭建辉刘求益; 关键词：SOI SIMOX 溅射电离粒子污染半导体材料

LC-14型强流氧注入机注入均匀性的背散射分析报告: 2002年; 报道了应用双指数函数对大注量氧注入硅的背散射谱进行拟合 ,成功地分离出注入的氧峰 .数据处理结果表明 ,氧注量的均匀性以标准偏差表示为 7.8% ,基本上达到了设计要求 .计算了注氧层和表面硅层的厚度 ,并且还对注量进行了校正 .; 罗晏唐景庭李雪春卢志恒; 关键词：SOI材料

25MW太阳电池生产线建设技术分析与建议: 2008年; 详细介绍了晶体硅太阳电池生产线整线建设的各个关键环节,初步分析了行业的经营风险、投资经济性,并对产业今后的发展提出了建议。; 向小龙刘恺程远贵唐景庭; 关键词：晶体硅太阳电池生产线电池效率

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唐景庭