商耀辉
- 作品数：24 被引量：9H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 发文基金：中国博士后科学基金国防科技重点实验室基金中国人民解放军总装备部预研基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术理学更多>>
- 隧穿型量子效应薄膜材料制备技术
- 2007年
- 探讨了隧穿型量子效应薄膜材料制备技术,并应用分子束外延方法制备了典型结构外延材料GaAs基共振隧穿二极管,经过器件验证,得到了较好的结果.重点讨论了关键制备技术,包括束流精细控制和间歇式生长方式,主要是为了生长出更接近完美的晶体结构和晶体表面,并分析了测试结果和器件验证结果,最终得出整套隧穿型量子效应薄膜材料制备技术.
- 商耀辉武一宾卜夏正牛晨亮王建峰李亚丽张雄文
- 关键词：分子束外延共振隧穿二极管
- 不对称势垒对共振隧穿二极管I-V特性的影响
- 2010年
- 利用Airy函数和传输矩阵方法计算了不对称势垒厚度的InP基AlAs/InGaAs/AlAs DBS结构在偏压情况下的共振透射系数,并通过材料生长和器件工艺制作得到了共振隧穿二极管的直流I-V特性。在峰值电流密度为132kA/cm2下,获得了17.84的电流峰谷比。测试结果还表明不对称势垒厚度的RTD在偏压情况下,当电子从较薄势垒向较厚势垒穿透时,更容易获得高的电流峰谷比,反之可获得较大的负微分电阻电压区域。
- 武一宾杨瑞霞商耀辉牛晨亮王健
- 电化学C-V法对载流子浓度纵向分布的精确测量
- 2007年
- 电化学C-V法是当前测量化合物半导体载流子浓度纵向分布的非常重要的方法。用电化学C-V测试仪对外高内低、有较大浓度梯度的外延样品进行载流子浓度纵向分布测量时发现,内层低载流子浓度区域测试结果误差较大,主要是由测试系统引起的,由此提出了一种对结果的修正算法。通过对MBE制作专用样品测量证实,用该方法可得到数据准确可靠的测试结果。
- 李若凡武一宾杨瑞霞马永强商耀辉牛晨亮
- 关键词：载流子浓度误差分析
- 隧穿型量子效应薄膜材料制备技术
- 本文介绍了用分子束外延(MBE)方法制备隧穿型量子效应薄膜材料的技术。随着半导体材料“能带工程”越来越广泛的应用到如无线通信、宽带网络、照明工程等各个领域,量子效应也越来越多的收到研发工程师的重视。隧穿型量子效应薄膜材料...
- 商耀辉武一宾卜夏正王建峰牛晨亮
- 文献传递
- InAs/GaAs系列量子点研究
- 2009年
- 为了获得波长长、均匀性好和发光效率高的量子点,采用分子束外延(MBE)技术和S-K应变自组装模式,在GaAs(100)衬底上研究生长了三种InAs量子点。采用MBE配备的RHEED确定了工艺参数:As压维持在1.33×10-5Pa;InAs量子点和In0.2Ga0.8As的生长温度为500℃;565℃生长50nmGaAs覆盖层。生长了垂直耦合量子点(InAs1.8ML/GaAs5nm/InAs1.8ML)、阱内量子点(In0.2Ga0.8As5nm/InAs2.4ML/In0.2Ga0.8As5nm)和柱状岛量子点(InAs分别生长1.9、1.7、1.5ML,停顿20s后,生长间隔层GaAs2nm)。测得对应的室温光致发光(PL)谱峰值波长分别为1.038、1.201、1.087μm,半峰宽为119.6、128.0、72.2nm、相对发光强度为0.034、0.153、0.29。根据PL谱的峰位、半峰宽和相对发光强与量子点波长、均匀性和发光效率的对应关系,可知量子点波长有不同程度的增加、均匀性越来越好、发光效率显著增强。
- 王建峰商耀辉武一宾牛晨亮卜夏正
- 关键词：自组装量子点分子束外延光致发光谱
- 砷化镓外延层的制备方法及结构
- 本发明提供一种砷化镓外延层的制备方法及结构。该方法包括：在As束流的保护下，将GaAs衬底的温度设置为第一预设温度，打开Ga束流，在GaAs衬底上生长GaAs缓冲层；打开P型掺杂源束流，在GaAs缓冲层上生长P型体掺杂G...
- 刘兴述商耀辉房玉龙牛晨亮陈宏泰
- 一种高性能InP基谐振隧穿二极管的研制
- 2007年
- 设计并用分子束外延技术生长了InP基InGaAs/AlAs体系RTD材料,采用传统湿法腐蚀、光学接触式光刻、金属剥离、台面隔离和空气桥互连工艺,研制出了具有优良负阻特性和较高阻性截止频率的InP基RTD单管.器件正向PVCR为17.5,反向PVCR为28,峰值电流密度为56kA/cm2,采用RNC电路模型进行数据拟合后得到阻性截止频率为82.8GHz.实验为今后更高性能RTD单管的研制,以及RTD与其他高速高频三端器件单片集成电路的设计与研制奠定了基础.
- 齐海涛冯震李亚丽张雄文商耀辉郭维廉
- 关键词：谐振隧穿二极管INP负阻
- 4H-SiC(004)面双晶衍射摇摆曲线的分析被引量：3
- 2007年
- 用X射线双晶衍射法(XRD)对4H-SiC衬底和在该衬底上外延生长的4H-SiC单晶样品(004)面进行测试,在所有样品的测试结果中发现,摇摆曲线主峰左侧160″附近均出现傍肩,并且主峰衍射强度也较低。依据X射线衍射理论对系统射线在测试样品(004)面的衍射峰位展宽进行计算,并对4H-SiC原子结构进行了分析。研究结果证实,摇摆曲线中傍肩的存在与射线源中的Ka2射线参与衍射有关,而相对较低的衍射强度受其(004)面的特殊双层原子结构的影响。
- 马永强武一宾杨瑞霞齐国虎李若凡商耀辉陈昊牛晨亮
- 关键词：X射线双晶衍射摇摆曲线4H-SIC
- AlGaAs/InGaAs/GaAs PHEMT分子束外延材料生长研究
- 本文着重探讨了单δ<,Si>平面掺杂Al<,0.30>Ga<,0.70>As/Ga<,0.8>In<,0.2>As/GaAs PHEMT材料的生长工艺及工艺优化.
- 陈昊商耀辉武一宾
- 关键词：化合物半导体材料分子束外延生长晶体管
- 文献传递
- MBE生长GaAs基Al<,0.68>In<,0.32>As/Ga<,0.67>In<,0.33>AsMHEMT外延材料
- 我们用分子束外延(MBE)方法在GaAs衬底上通过变质缓冲层生长了Al<,0.68>In<,0.32>As/Ga<,0.67>In<,0.33>As变质高电子迁移率晶体管(MHEMT)结构材料.详细讨论了变质缓冲层的生长...
- 苗振林武一宾陈昊齐国虎商耀辉
- 关键词：应力释放表面形貌分子束外延
- 文献传递
