夏宗仁
- 作品数：25 被引量：59H指数：5
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- 相关领域：理学电子电信一般工业技术更多>>
- Mg:Er:LiNbO3晶体波导基片抗光损伤的研究
- 2004年
- 以Czochralski技术生长Mg(2mol%):Er(1mol%):LN,Mg(4mol%):Er(1mol%):LN,Mg(6mol%):Er(1mol%):LN,Mg(8mol%):Er(1mol%):LN和Er(1mol%):LN晶体.测试了Mg:Er:LiNbO3晶体的红外光谱,Mg(2mol%):Er:LN,Mg(4mol%):Er:LN OH-吸收峰在3486cm-1附近,Mg(6mol%):Er:LN和Mg(8mol%):Er:LN晶体OH-吸收峰移动到3535cm-1附近,对Mg:Er:LN晶体OH-吸收峰移动机理进行研究.采用m线法测试Mg:Er:LN晶体光损伤阈值.Mg(6mol%):Er(1mol%):LN和Mg(8mol%):Er:LN晶体光损伤阈值比Er:LN晶体提高两个数量级以上.Mg(2mol%):Er:LN和Mg(4mol%):Er:LN晶体比Er(1mol%):LN晶体提高一个数量级.
- 夏宗仁徐朝鹏郑威徐玉恒
- 关键词：光损伤
- 黑色LiNbO3和LiTaO3晶片SAW器件研究
- 采用化学还原工艺成功地制备了 LN 和 LT 黑色晶片.在这些黑色晶片上制作了中心频率分别为36MHz 和 446MHz 的 SAW 器件.研究表明,黑片工艺显著降低了晶片表面的静电,增加了近紫外光吸收,而其他性能不受任...
- 夏宗仁贝伟斌崔坤秦晓勇吴剑波朱怀烈
- 关键词：铌酸锂钽酸锂晶片声表面波器件
- 文献传递
- 低静电钽酸锂晶片
- 1.省略其他视图。;2.请求保护的外观设计包含有色彩。
- 夏宗仁徐斌
- 表面还原处理对钽酸锂晶片电学性质的影响被引量：3
- 2009年
- 以Y36°钽酸锂(LiTaO3,LT)晶片为研究对象,通过对同成分LT晶片(CLT)和深度还原黑色LT晶片(BLT)的比较研究,探讨了表面还原处理对钽酸锂晶片电学性能的影响。X射线衍射研究显示,还原处理对晶体结构没有明显影响。BLT的电导率比CLT明显高4个数量级,达到7.7×10-12Ω-.1cm-1,其压电常数d33、居里温度和介电常数与CLT相差不大,介电损耗有所提高。研究结果表明,还原处理不改变晶体结构,但能提高晶片表面的电导率,从而改善和消除晶片在器件制备过程中因热释电效应引起的放电现象。
- 颜涛姚淑华刘宏王继扬左致远夏宗仁
- 关键词：钽酸锂电导率压电性能介电性能
- 弱热释电效应黑色铌酸锂、钽酸锂晶体研究被引量：12
- 2004年
- 采用化学还原工艺,在CO2与H2混合气氛下对LN和LT晶片分别进行700°C和450°C退火处理,成功地制备了LN和LT黑色晶片。静电位差、光透过率测量结果表明,还原处理后LN和LT晶片的热释电现象基本消失,其光透过率也显著降低。居里温度测试表明,还原处理对晶体的居里温度没有影响。
- 夏宗仁崔坤徐家跃
- 关键词：铌酸锂钽酸锂晶片
- 一种处理铌酸锂或钽酸锂晶片的方法
- 本发明公开了一种处理铌酸锂或钽酸锂晶片的方法，是将待处理的铌酸锂或钽酸锂晶片分别置于坩埚中，加入预先按质量比例混合均匀的铁粉和碳酸锂粉，完全覆盖晶片，然后将此刚玉坩埚置于热处理炉中，在流量为0.5～1L/min的氮气气氛...
- 夏宗仁吴剑波颜涛崔坤秦小勇王继杨刘宏张明凤朱怀烈
- 文献传递
- 成分均匀的球状掺杂钽酸锂多晶原料的合成方法
- 本发明公开了一种成分均匀的球状掺杂钽酸锂多晶原料的合成方法，是将钽源原料在含羧酸基的有机溶剂中均匀混合，形成含钽配合物，通过热重分析的方法计算出钽的准确量，再加入Li<Sup>+</Sup>，MgO或ZnO，磁力搅拌实现...
- 吴剑波夏宗仁郑斐斐秦晓勇朱怀列王继扬姚淑华颜涛刘宏
- 文献传递
- 一种晶体生长用热场装置
- 本实用新型公开了一种中频感应加热提拉法晶体生长炉上的热场装置。其关键是：热场装置的隔热层采用复合式固定结构，其外层(1)以硬质耐火材料制成薄壁直筒形，而内衬(3)以相同材料制成上口稍大、下底稍小的薄壁倒锥筒形，在外层(1...
- 夏宗仁贝伟斌吴剑波徐斌李春忠
- 文献传递
- 近化学计量比铌酸锂晶体生长的新方法(英文)被引量：1
- 2008年
- 在计算机温场模拟的基础上,探索设计了悬挂式双坩埚和均匀加料装置。在富锂(Li2O摩尔分数为58.5%)熔体中采用提拉法生长了φ50mm×50mm的近化学计量比铌酸锂晶体。测量结果表明:晶体的紫外吸收边发生了明显的蓝移,测得Li摩尔分数达到49.87%。利用干涉仪测量样品的光学均匀性,生长晶体均方根折射率不均匀性?n=7.250×10-5 cm-1。
- 吴剑波姚淑华夏宗仁秦小勇高磊刘宏王继扬
- 关键词：铌酸锂近化学计量比提拉法
- 声表面波器件用Y36°切LiTaO_3晶片表面加工研究被引量：16
- 2001年
- 采用双晶摆动曲线法测量了钽酸锂晶片的加工损伤层 ,其平均值在 2 6 .2～ 5 2 .8μm之间 ;根据工序要求 ,选取加工余量为 15 0 μm左右 ,采用天然石榴石研磨粉 ,适当的磨料浓度、添加悬浮剂、分散剂以避免产生缺陷 ,并采用化学机械抛光法 ,可获得较高加工质量的声表面波器件用Y36°切LiTaO3
- 夏宗仁李春忠崔坤
- 关键词：LITAO3晶体损伤层声表面波器件终端机
