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尹广超

作品数：17 被引量：1H指数：1
供职机构：吉林大学更多>>
相关领域：一般工业技术理学电气工程金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 16篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇一般工业技术
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电气工程
  • 1篇理学

主题

  • 8篇纳米
  • 8篇纳米材料
  • 7篇电解质
  • 6篇电解质材料
  • 6篇纳米材料制备
  • 4篇氮化
  • 4篇氮化铝
  • 4篇氧化锗
  • 4篇直流电弧等离...
  • 4篇金属
  • 4篇锗
  • 3篇氧化镧
  • 3篇粉体
  • 2篇氮化镓
  • 2篇导体
  • 2篇等离子体辅助
  • 2篇电池
  • 2篇电学
  • 2篇电学特性
  • 2篇氧化物

机构

  • 17篇吉林大学

作者

  • 17篇尹广超
  • 16篇崔啟良
  • 13篇丛日东
  • 10篇贾岩
  • 9篇谢晓君
  • 6篇仲林红
  • 6篇徐永生
  • 6篇石蕊
  • 6篇武晓鑫
  • 6篇高伟
  • 5篇孙美玲
  • 4篇祝洪洋
  • 4篇殷红
  • 4篇张健
  • 4篇马春丽
  • 3篇王婧姝
  • 3篇王静姝
  • 2篇黄大海
  • 2篇王秋实
  • 2篇梁桁楠

年份

  • 1篇2015
  • 3篇2014
  • 7篇2013
  • 5篇2012
  • 1篇2011
共 17 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种制备镁掺杂氮化铝纳米线的方法
本发明的一种制备镁掺杂氮化铝纳米线的方法属于纳米材料制备的技术领域。以金属镁、金属铝、氮气和氨气为原料，在直流电弧放电装置的反应室中制备，反应室中有中空的铜锅为阳极，钨棒为阴极；将金属镁和金属铝混合压块放入铜锅，通入氮气...
崔啟良徐永生丛日东马春丽王婧姝梁桁楠武晓鑫石蕊贾岩尹广超
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金属锌纳米线的制备方法
本发明的金属锌纳米线的制备方法属于纳米材料制备的技术领域。采用直流电弧放电装置，将ZnO粉、C粉混合均匀，压成混合粉压块；将压块置于石墨锅内，放入直流电弧放电装置的反应室内的铜锅阳极中；将反应室充入氩气，铜锅通入循环冷却...
崔啟良丛日东王秋实贾岩徐永生王静姝尹广超马春丽
一种氮化钪立方晶体的制备方法
本发明的一种氮化钪立方晶体的制备方法，属于稀土氮化物纳米材料制备的技术领域。所制备的氮化钪立方晶体由表面平整光滑、形貌尺寸均一的准立方体或长方体构成。制备方法采用直流电弧等离子体放电装置，在高温低气压系统条件以及等离子体...
崔啟良丛日东祝洪洋武晓鑫贾岩谢晓君尹广超张健石蕊
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一种氮化钪立方晶体的制备方法
本发明的一种氮化钪立方晶体的制备方法，属于稀土氮化物纳米材料制备的技术领域。所制备的氮化钪立方晶体由表面平整光滑、形貌尺寸均一的准立方体或长方体构成。制备方法采用直流电弧等离子体放电装置，在高温低气压系统条件以及等离子体...
崔啟良丛日东祝洪洋武晓鑫贾岩谢晓君尹广超张健石蕊
金属锌纳米线的制备方法
本发明的金属锌纳米线的制备方法属于纳米材料制备的技术领域。采用直流电弧放电装置，将ZnO粉、C粉混合均匀，压成混合粉压块；将压块置于石墨锅内，放入直流电弧放电装置的反应室内的铜锅阳极中；将反应室充入氩气，铜锅通入循环冷却...
崔啟良丛日东王秋实贾岩徐永生王婧姝尹广超马春丽
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致密的锗酸镧电解质片体的热高压制备法
本发明的致密的锗酸镧电解质片体的热高压制备法属于中温固体氧化物燃料电池电解质材料制备的技术领域。以熔盐法制备的La<Sub>9.33</Sub>Ge<Sub>6</Sub>O<Sub>26</Sub>电解质材料粉体为原料...
高伟尹广超殷红朱品文仲林红孙美玲丛日东陶强崔啟良
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钇掺杂氮化铝稀磁半导体准阵列微米管及其制备方法
本发明的钇掺杂氮化铝稀磁半导体准阵列微米管及其制备方法属于半导体自旋电子器件材料的技术领域。钇掺杂氮化铝稀磁半导体准阵列微米管呈六边形柱状结构，外表面光滑，内部有凹凸不平的褶皱，形成多孔结构。制备方法是以Al粉和Y粉为原...
崔啟良丛日东祝洪洋武晓鑫贾岩谢晓君尹广超张健石蕊
磷灰石结构锗酸镧电解质粉体及其低温熔盐制备方法
本发明的磷灰石结构锗酸镧电解质粉体及其低温熔盐制备方法属于中温固体氧化物燃料电池电解质材料的技术领域。以氧化镧和氧化锗为反应原料，以氯化钠为熔盐；将原料和熔盐混合并加入无水乙醇进行球磨；球磨后的原料和熔盐的混合物烘干后烧...
高伟尹广超殷红仲林红孙美玲丛日东谢晓君高秀华崔啟良
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一种制备锰掺杂氮化镓纳米材料的方法
本发明的一种制备锰掺杂氮化镓纳米材料的方法属于纳米材料制备的技术领域。以高纯金属锰为锰源，以氧化镓为镓源，以氮气和氨气的混合气体作氮源，在直流电弧放电装置中制备。充入混合气体，氨气在混合气体中的体积比例为20～50％。放...
崔啟良徐永生类伟巍王静姝从日东尹广超贾岩汤顺熙
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钇掺杂氮化铝稀磁半导体准阵列微米管及其制备方法
本发明的钇掺杂氮化铝稀磁半导体准阵列微米管及其制备方法属于半导体自旋电子器件材料的技术领域。钇掺杂氮化铝稀磁半导体准阵列微米管呈六边形柱状结构，外表面光滑，内部有凹凸不平的褶皱，形成多孔结构。制备方法是以Al粉和Y粉为原...
崔啟良丛日东祝洪洋武晓鑫贾岩谢晓君尹广超张健石蕊
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