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张亮

作品数：2 被引量：2H指数：1
供职机构：山西师范大学物理与信息工程学院物理学系更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 1篇单晶
  • 1篇电导
  • 1篇电导率
  • 1篇外延片
  • 1篇硅外延
  • 1篇硅外延片
  • 1篇腐蚀坑
  • 1篇半导体
  • 1篇硅
  • 1篇层错

机构

  • 2篇山西师范大学

作者

  • 2篇刘明海
  • 2篇张亮

传媒

  • 2篇四川师范大学...

年份

  • 2篇1996
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
固体薄膜的电子传输特性被引量：1
1996年
霍尔系数和直流电导率是固体薄膜的主要电特性参数．我们测量了Ｐ－型Ｐｂ１－ｘＣｄｘＴｅ薄膜的霍尔系数和直流电导率，实验表明其禁带宽度和电子迁移率随镉组分ｘ的增大而增加．ｘ的增大在薄膜中增加了碲空位，该空位起施主杂质作用．在低温范围电离散射占优势。
刘明海张亮
关键词：电导率
全文增补中
硅外延片（111）面层错腐蚀坑显微图象分析被引量：1
1996年
本文就硅单晶外延片（１１１）面上层错腐蚀坑显微图象和所代表的腐蚀坑的形状作了分析研究，并对腐蚀坑的形成机理及其形成的规则性作了讨论。
刘明海张亮
关键词：层错硅腐蚀坑单晶半导体
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共1页<1>
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