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张俊源

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：四川大学更多>>
发文基金：国际热核聚变实验堆计划贵州省优秀青年科技人才计划更多>>
相关领域：一般工业技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 1篇动力学
  • 1篇动力学模拟
  • 1篇离子
  • 1篇刻蚀
  • 1篇分子
  • 1篇分子动力学
  • 1篇分子动力学模...
  • 1篇Β-SIC
  • 1篇F

机构

  • 1篇贵州大学
  • 1篇四川大学

作者

  • 1篇陈峰
  • 1篇赵成利
  • 1篇孙伟中
  • 1篇刘华敏
  • 1篇贺平逆
  • 1篇苟富均
  • 1篇张俊源
  • 1篇吕晓丹

传媒

  • 1篇核技术

年份

  • 1篇2011
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
分子动力学模拟入射角度对F离子与β-SiC表面相互作用的影响
2011年
本文采用分子动力学方法模拟了不同入射角度对F离子与SiC表面相互作用的影响,模拟选择的入射能量为10 eV,入射角度分别为15?、30?、45?、60?和75?。模拟结果显示,F离子的沉积率随入射角度的增加而减小。当入射角度为45°时,Si原子和C原子的刻蚀率最大,且Si原子的刻蚀率大于C原子。在相互作用过程中,SiC表面形成一层Si-C-F反应层,反应层厚度随入射角度增加而减小,并且其主要成分是SiF和CF。
赵成利孙伟中吕晓丹陈峰贺平逆刘华敏张俊源苟富均
关键词：分子动力学刻蚀
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