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徐永强

作品数：4 被引量：8H指数：2
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 2篇单晶
  • 2篇汽相外延
  • 2篇位错
  • 2篇位错密度
  • 2篇硫
  • 2篇INP单晶
  • 1篇单晶材料
  • 1篇单晶生长
  • 1篇单片
  • 1篇英寸
  • 1篇熔体
  • 1篇砷化镓
  • 1篇汽相外延生长
  • 1篇微波单片
  • 1篇微波器件
  • 1篇磷化铟
  • 1篇晶体管
  • 1篇功率管
  • 1篇功率晶体管
  • 1篇半导体

机构

  • 4篇中国电子科技...
  • 1篇电子科技大学
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 4篇徐永强
  • 2篇孙聂枫
  • 2篇孙同年
  • 2篇杨光耀
  • 2篇周晓龙
  • 2篇刘二海
  • 2篇谢德良
  • 1篇董彦辉
  • 1篇严振斌
  • 1篇何梅芬
  • 1篇李光平
  • 1篇艾广勤
  • 1篇张藏珍
  • 1篇吕云安
  • 1篇安娜
  • 1篇周智慧

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇第四届全国固...

年份

  • 1篇2005
  • 2篇2004
  • 1篇1994
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
Φ100mm掺硫InP单晶生长研究被引量：6
2004年
InP以其众多的优越特性使之在许多高技术领域有广泛应用。掺硫n型InP材料用于激光器、LED、光放大器、光纤通信等光电领域。为了降低成本和适应新型器件制造的要求,本文进行了直径100mm掺硫InP单晶生长和性质研究。首先解决了大容量直接合成技术,其次解决了大直径单晶生长的关键技术,保证了一定的成晶率。采用降低温度梯度等措施,降低位错密度,提高晶体完整性。制备出100mm掺硫InP整锭<100>InP单晶和单晶片。经过测试其平均EPD小于5×104cm-2,载流子浓度大于3×1018cm-3。本文还对影响材料成晶的放肩角进行了研究,一般生长大直径单晶采用大于70°或平放肩技术都可以有效地避免孪晶的产生。
徐永强李贤臣孙聂枫杨光耀周晓龙谢德良刘二海孙同年
关键词：磷化铟单晶生长位错密度
用于微波单片和功率管的GaAs VPE材料
吕云安严振斌徐永强张藏珍何梅芬艾广勤刘玉兰等
一、成果内容简介：采用常用规的Ga/AsCl<,3>/H<,2>氯化物气相外延的方法，在Si-GaAs单晶衬底上生长出适用于CaAsMMIC和功率MESFET的2in与3inn+/n/n-/Si-GaAs多层外延材料并具...
关键词：
关键词：半导体工艺微波器件功率晶体管汽相外延
２英寸高均匀性ＧａＡｓ多层外延材料
徐永强吕玉安
关键词：砷化镓汽相外延生长
富磷熔体中生长的φ100 mm掺硫InP单晶研究被引量：5
2004年
采用原位磷注入合成法在高压单晶炉内合成富磷的磷化铟 (In P)熔体 ,并利用液封直拉法 (LEC)生长出了 1 0 0 mm In P掺硫单晶材料。对富磷单晶分别用快速扫描光荧光谱技术、腐蚀金相法和扫描电镜进行了研究。结果表明在富磷量足够大的情况下 ,晶片上会出现孔洞 ,并对孔洞周围位错的形成原因及分布进行了分析。 1 0 0 mm In P单晶的平均位错密度也没有明显的增加 ,为今后生长更大尺寸的完整 In
周晓龙安娜孙聂枫徐永强杨光耀谢德良刘二海李光平周智慧董彦辉孙同年
关键词：位错密度
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