方容川
- 作品数：77 被引量：218H指数：8
- 供职机构：中国科学技术大学物理学院物理系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划安徽省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术化学工程更多>>
- 脉冲激光制备类金刚石薄膜及原位激光等离子体发射光谱被引量：1
- 2000年
- 用 YAG脉冲激光轰击真空室内的石墨靶 ,可以形成包含碳素的激光等离子体 ,并在硅或石英衬底上淀积形成某种类型的碳膜。用光学多道分析仪原位测量了激光等离子体的发射光谱 ,给出反应空间可能存在的反应基团有碳原子、碳离子、碳分子等 ,用拉曼光谱研究了薄膜的结构 ,证明所形成的薄膜为类金刚石膜 ,并得出碳原子和碳离子与薄膜的类金刚石结构有关。制备过程中 ,氢的参与有利于薄膜中金刚石成分的形成。空间分辨的原位激光等离子体发射光谱表明 。
- 马玉蓉郭骅方容川
- 关键词：激光等离子体类金刚石薄膜
- 衬底温度和激光能量对激光制备类金刚石薄膜的影响
- 用脉冲激光沉积(PLD)方法制备出类金刚石薄膜。处用Raman谱研究了制备过程吉衬底温度和光功率密度变化对薄膜性质的影响。结果表明，在实验所用的衬底温度范围之内（室温－700℃）和激光功率密度变化范围之内，对Raman解...
- 马玉蓉沈维康陈刚王冠中方容川
- 关键词：衬底温度激光能量金刚石薄膜
- 文献传递
- 氢化非晶碳薄膜的光致发光线型及其激发能量依赖关系
- 1989年
- 本文报道了氢化非晶碳薄膜在2.9—4.5eV光激发下的发光谱。它的光致发光谱是无结构的不对称宽带,半宽度约为0.8eV。在低于3.56eV的光激发下,谱带的峰值能量随激发能量的降低明显红移。在安德森带结构和指数分布的带尾态密度的基础上,考虑了尾态中粒子的两种跃迁过程,实验的PL谱就可得到解释。并用这个简单模型计算了这种材料的光致发光谱特征。
- 阎珂柱方容川王和照
- 关键词：薄膜物理学光致发光谱
- CVD金刚石薄膜组分的Raman散射和光学吸收分析
- 1995年
- ＣＶＤ金刚石薄膜组分的Ｒａｍａｎ散射和光学吸收分析王冠中，方容川（中国科学技术大学物理系合肥２３００２６）左健，许存义（中国科学技术大学结构与成份分析中心合肥２３００２６）ＡｎａｌｙｓｉｓｏｆＴｈｅＣｏｍｐｏｓｉｔｅｓｉｎＤｉａｍｏｎｄＦｉｌｍｓｂｙ...
- 王冠中方容川左健许存义
- 关键词：CVD金刚石薄膜RAMAN散射化学气相沉积拉曼光谱
- 多孔硅银淀积表面RhB染料分子的表面增强Raman散射被引量：2
- 1999年
- 我们采用多孔硅和多孔硅银淀积表面作为衬底研究了ＲｈＢ染料分子的表面增强Ｒａｍａｎ散射。在多孔硅表面，ＲｈＢ染料分子的Ｒａｍａｎ散射有大约１０倍的表面增强效果；而在多孔硅的银淀积表面，表现出超过１０４表面增强。通过多孔硅表面银颗粒对ＲｈＢ染料分子荧光的抑制和对Ｒａｍａｎ散射的表面增强。
- 王冠中叶峰常超左键方容川
- 关键词：拉曼散射多孔硅
- 固定对组织光学性质的影响被引量：3
- 1993年
- 利用带有积分球的SHIMADZU UV—240分光光度计,测量了组织在固定前和后的反射率和透射率,分析了福尔马林固定对组织光学性质的影响。
- 张镇西马玉蓉方容川扬枫饶慧蓉王保泰
- 关键词：光学性质
- 热丝CVD生长SiCN薄膜的研究被引量：17
- 2004年
- 在HFCVD系统中采用SiH4/CH4/H2/N2混合气体成功的制备了SiCN薄膜.SEM照片显示制备的SiCN薄膜由棒状结构构成,而在HRTEM下发现这些棒状结构是由生长在无定型SiCN基体当中的纳米晶粒组成的.进一步的SAED和XRD分析说明SiCN纳米晶粒具有类似于α-Si3N4的结构.XPS和FTIR分析表明薄膜中含有Si、C、N和O几种元素以及C=N、Si-N和C-N等共价键,但是并没有观察到C-Si的存在.由实验得出结论,SiCN晶体的生长包括两个步骤:α-Si3N4团簇的生长和C取代其中Si的过程.
- 牛晓滨廖源常超余庆选方容川
- 关键词：HFCVD化学气相沉积纳米晶粒薄膜生长
- 金刚石膜内晶粒尺寸和取向对其热导率的影响
- 1997年
- 研究了金刚石膜内晶粒尺寸和取向程度对金刚石膜然导率的影响。通过对衬底表面进行不同研磨时间的处理和适当的工艺条件，采用灯丝热解化学气相沉积（HFCVD）的方法在单晶硅衬底上形成了具有不同晶粒尺寸和不同程度（100）晶面取向的金刚石膜，并研究了其热导率。结果表明，由大晶粒和较高程度（100）晶面取向的晶粒构成的金刚石膜具有高的热导率特性。
- 顾长志金曾孙吕宪义邹广田张纪法方容川
- 关键词：金刚石薄膜热导率晶粒尺寸超硬材料
- 衬底表面覆盖对薄膜成核和生长的影响被引量：3
- 1999年
- 在薄膜生长的成核阶段，稳定聚集体将逐渐覆盖衬底表面．同时，薄膜的生长将发生在被覆盖的衬底部分，而成核则发生在未被覆盖的部分．本文研究了衬底表面被覆盖的程度对薄膜成核和生长的影响，对广泛应用的薄膜理论，给出一些修正公式．结果表明，成核速率正比于衬底表面未被覆盖面积的平方．而薄膜理论认为成核速率是时间常量，似显得粗糙．
- 邵庆益方容川廖源韩祀瑾
- 关键词：薄膜生长成核
- 一种激光打孔装置及其二步打孔方法
- 本发明涉及激光应用装置及激光加工技术。其装置包括一台长脉冲的长波长激光器和一台短脉冲的短波长激光器，两束相互垂直的激光交汇处设有一个与两束光轴线均成45°的透射/反射平面镜。在该镜输出光路上设有能沿光路方向移动位置的聚焦...
- 常超马玉蓉方容川吴气虹陈向力
- 文献传递
