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施朝淑

作品数:109 被引量:753H指数:15
供职机构:中国科学技术大学物理学院物理系更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家高技术研究发展计划安徽省自然科学基金更多>>
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  • 7篇1992
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109 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
GdPO_4∶Eu^(3+)和GdBO_3∶Eu^(3+)中“Gd-Eu”间的能量传递被引量:15
2005年
利用同步辐射光源(德国HASYLAB实验室的SUPERLUMI实验站)对高温固相法制备的GdPO4∶Eu3+和GdBO3∶Eu3+的发射谱与激发谱进行了研究,并从量子剪裁的角度对“Gd3+-Eu3+”之间的能量传递作了讨论。在两种样品监测Eu3+红光发射的激发谱上,都显著观察到了对应Gd3+离子4f-4f跃迁的谱线,说明从基质中Gd3+离子向掺杂的Eu3+离子之间存在非常有效的能量传递,这有利于量子剪裁的发生。在激发谱上还观察到了对应Eu3+-O2-电荷迁移态的宽激发带(180~270nm),而对应Gd3+离子8S7/2→6GJ跃迁的谱线(196nm,203nm)叠加在这个宽带之上,微弱可辨,这不利于Gd3+-Eu3+间交叉弛豫的能量传递过程,从而不利于量子剪裁的发生。结合Eu3+-O2-电荷迁移态位置变化的规律,提出了如何避开其干扰以增强量子剪裁效应的材料设计方案。
陈永虎刘波施朝淑Zimmerer G
关键词:量子剪裁
同步辐射中X射线二维图像存储探测器的研究
<正> 一种新型的x射线二维图像存储探测器的问世,引起了人们的极大关注。被誉为是物理、生物、医学上二维x射线探测技术的"革命"性进展。此系统的核心部件是EaFBr:Eu光激励发光屏(即成像板)。x光激发后形成的色心分布就...
施朝淑董翊
文献传递
红色长余辉材料MgSiO3:Dy3+,Mn2+的制备及发光特性
林林施朝淑尹民张慰萍徐美
文献传递
Ce^(3+)∶YAG闪烁晶体的真空紫外激发光谱特性被引量:11
2002年
掺铈钇铝石榴石(Ce3+∶YAG)晶体是性能优良的闪烁材料。以同步辐射光源为激发光源研究了单晶Ce3+∶YAG的真空紫外 紫外(VUV UV)激发光谱和荧光谱。同时也测量和分析了该晶体的吸收光谱、紫外 可见(UV VIS)激发光谱和荧光谱。根据光谱测量的结果讨论了激发能在Ce3+∶YAG晶体中的传输过程和在Ce3+离子5d态的直接激发和YAG价带激发下Ce3+∶YAG单晶发光的差别。
黄朝红张庆礼周东方李运奎殷绍唐施朝淑
关键词:闪烁晶体激发光谱荧光光谱
用电子束热蒸发技术制备ZnO薄膜被引量:18
2001年
本文报道了用电子束热蒸发技术制备ZnO薄膜 ,薄膜具有 (0 0 2 )取向 ,通过电子扫描显微镜确认晶粒大小在 15 0nm左右 ,现有的薄膜在 5 2
张彬林碧霞傅竹西施朝淑
关键词:氧化锌薄膜光致发光光谱ZNO
PbWO_4晶体发光强度的温度依赖被引量:1
2000年
对 X射线激发下的 Pb WO4 晶体发光强度的温度依赖关系 (110~ 30 0 K)进行了研究 ,对其 I- T曲线中的结构结合热释光进行讨论 ,利用陷阱解释了 I- T曲线中‘反常’结构存在的原因。
魏亚光施朝淑施朝淑
关键词:温度依赖热释光钨酸铅晶体发光强度
纳米Y_2SiO_5: Ce^(3+)的制备及光致发光被引量:1
1997年
采用溶胶-凝胶法,以较传统方法低的温度合成了Y2SiO5Ce3+纳米微晶,用X射线衍射、透射电子显微镜测定它们的物相为单斜晶系的Y2SiO5,平均粒径为30-40nm左右.还通过激发光谱和发射光谱,研究了其光致发光特性,观察到样品的发射谱的峰值波长位于458nm附近,比以固相反应法制备的Y2SiO5Ce3+微晶粉及单晶Y2SiO5Ce3+红移40nm左右.
陆肖璞吴川张翼鹏叶晓玲施朝淑
关键词:纳米晶体光致发光
纳米ZnO和ZnO∶Eu^(3+)的表面效应及发光特性被引量:33
2002年
纳米ZnO ,ZnO :Eu3+ 及其添加覆盖层样品的光谱性质表明 ,表面有机物覆盖层具有改善发射光谱 ,增强基质与Eu3+ 间能量传递的良好效果 .通过比较不同温度 (6 0 ,80 0℃ )处理的ZnO :Eu3+ 发光强度 ,发现了小尺度 (纳米 )
杨秀健施朝淑许小亮
关键词:发光特性ZNOEU掺杂铕掺杂光谱性质
磁控溅射法制备的纳米金薄膜的工艺条件和结构分析被引量:4
2006年
通过直流溅射沉积法在玻璃衬底上制备了不同生长条件下的纳米金薄膜,利用X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)对其进行表面形貌分析。XRD图显示Au膜具有(111)面择优取向;AFM图显示,在不同的生长阶段Au膜具有不同的表面微结构。总结了不同的工艺条件对薄膜晶粒生长的影响,这项研究对实现金属薄膜的可控性生长有重要意义。
许小亮王烨赵亚丽牟威圩施朝淑
关键词:晶粒生长纳米金表面形貌磁控溅射
用射频磁控溅射法制备的Zn_(1-x)Mg_xO薄膜光致发光特性(英文)被引量:1
2006年
用射频磁控溅射法在Si(100)衬底上生长了一组Zn1-xMgxO(x=0~0.16)薄膜。并在不同温度下退火。对薄膜的光致发光研究表明,在薄膜的发射谱的紫外区域有分别对应自由激子(以及相应的声子伴线)和电子-空穴等离子体的发光机制,其中后者有5倍超线性的受激发射,其受激发射闾值与薄膜的退火温度相关,样品中最低受激阅值为40kW/cm^2。
许小亮王燎原王烨杨智超施朝淑
关键词:ZNMGO光致发光
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