李兴辉
- 作品数：89 被引量：102H指数：6
- 供职机构：中国电子科技集团公司第十二研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金全球变化研究国家重大科学研究计划国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术化学工程更多>>
- 微型化真空泵技术
- 2023年
- 微型化真空泵对于微机电系统和真空微电子器件的真空封装极具意义。本文从工作原理和工艺实现方面,分析了常见传统真空泵实现微型化的可行性,介绍了膜片泵、射流/扩散泵、努森泵和离子泵的微型化进展,并总结了当前存在的技术障碍。结果表明,目前热点研究的微型化真空泵已经可以构建从大气状态至高真空的真空系统。虽然真空泵微型化后,其性能和工作稳定性相对传统宏观真空泵有较大降低,但具有低功耗、可集成优势,对便携式系统和高真空微系统十分必要。
- 李兴辉杜婷韩攀阳陈海军蔡军冯进军
- 关键词：微机电系统真空微电子器件真空泵微封装微型化
- 一种基于深硅刻蚀制备通孔的方法
- 本发明提供一种基于深硅刻蚀制备通孔的方法。该方法选用STS LPX ASESR深硅刻蚀系统进行刻蚀，包括如下步骤：1)在硅基片的第一表面旋涂光刻胶，制备光刻胶掩膜，在光刻胶掩膜上形成所需图案，采用bosch工艺对硅基片进...
- 杜婷李兴辉姜琪谢云竹陈海军潘攀冯进军
- 场发射阵列阴极在行波管中的应用被引量：4
- 2003年
- 给出了场发射阵列阴极的发展概况和制造方法 ,讨论了采用场发射阵列阴极作为行波管电子源的可能性和电子枪设计的有关问题 。
- 杜英华杨崇峰廖复疆李炳炎李兴辉白国栋张甫权丁明清
- 关键词：行波管电子源电子枪
- 一种Spindt阴极电子源及其制备方法和应用
- 本发明公开一种Spindt阴极电子源及其制备方法和应用，该阴极电子源其结构中包含：从下到上依次设置的硅基底、绝缘层和栅极，所述硅基底、绝缘层和栅极透孔间形成绝缘层空腔；设置于硅基底上的位于绝缘层空腔中的发射尖锥，所述发射...
- 李兴辉韩攀阳姜琪杜婷蔡军冯进军
- 提高钼尖锥场致发射阵列阴极发射性能的研究被引量：7
- 2004年
- 在利用微细加工技术和双向薄膜沉积工艺制得的钼尖锥场致发射阵列阴极进行实用化的过程中,目前存在的两个主要障碍是,阴极发射电流密度低和工作不稳定。通过对阴极发射失效机理和失效阴极的SEM照片进行研究认为,导致电流密度较低的原因是由于尖锥阵列的不均匀性造成只有部分尖锥发射电子;引起发射不稳定的主要因素是由于尖锥表面的微凸起和毛刺以及它吸附的各种影响有效功函数的污染物。采用电阻限流技术提高了阵列发射的均匀性,同时通过阴极老炼技术增强了场发射的稳定性,使其电流发射密度有很大程度的提高,而且电流波动也大为减小。研究结果对于该阴极在射频功率和平板显示等器件上的应用有着重要的意义。
- 李兴辉冯进军白国栋丁明清张甫权廖复疆
- 关键词：限流电阻
- 一种太赫兹真空电子器件冷阴极栅网及其制备方法
- 本发明公开了一种太赫兹真空电子器件冷阴极栅网，其包括：栅网基片，在所述栅网基片中心区域包含栅极透孔阵列；栅网支撑环，位于所述栅网基片上，二者焊接一体。该栅网能够适用于太赫兹真空电子器件冷阴极，可实现器件良好的综合性能。本...
- 李兴辉韩攀阳杜婷姜琪杨金生蔡军冯进军
- 一种新型可重复利用荫罩掩膜技术
- 2011年
- 利用化学气相沉积、光刻和反应离子刻蚀等微细加工技术,可以制作柔性、低成本、结实耐用、生物科技和半导体技术兼容、可重复使用的聚对二甲苯-C荫罩掩膜。利用这种透明的惰性材料掩膜,可以制作出传统平面微加工技术难以实现的曲面微图形,同时在多次使用场合,可以实现其它柔性荫罩掩膜材料难以达到的微米级特征尺寸,并能保持很好的图形复制特性。
- 李兴辉Selvapraba SelvarasahMehmet R.Dokmeci
- 关键词：聚对二甲苯微细加工
- 集成栅极控制的碳纳米管场发射阵列阴极的制造技术
- 本文重点介绍一种带集成栅极的碳纳米管场发射阴极(CNT FEA)的制造工艺.研制了两种类型的栅控CNT FEA.一种是在微孔的底部生长CNT,另一种则是在孔底部预先沉积的M尖上制备CNT发射体.前者的CNT发射体由多根C...
- 丁明清李兴辉白国栋张甫权李含雁冯进军
- 关键词：碳纳米管
- 文献传递
- 一种新型可重复利用荫罩掩膜技术
- 利用化学气相沉积、光刻和反应离子刻蚀等微细加工技术，可以制作柔性、低成本、结实耐用、生物科技和半导体技术兼容、可重复使用的聚对二甲苯C荫罩掩膜。利用这种透明的惰性材料掩膜，可以制作出传统平面微加工技术难以实现的曲面微图形...
- 李兴辉Selvapraba SelvarasahMehmet R. Dokmeci
- 关键词：聚对二甲苯微细加工化学气相沉积离子刻蚀
- 利用UV曝光技术研制单根定向碳纳米管阵列冷阴极被引量：3
- 2010年
- 通过普通的紫外（UV）光刻工艺，结合“变倾角缩口”新技术，研制了不同发射单元尺寸的碳纳米管（CNTs）阵列阴极。扫瞄电镜分析表明，随着缩口尺寸的依次减小（从0．6μm到0．4μm，最后到0．2μm），发射单元内CNTs的根数也不断减少。当孔径缩至0．2μm时，发射单元仅由1根～3根CNTs组成，并且大部分单元顶端均有单根CNT伸出，使得整个发射体近似于单根CNT。场发射特性测试结果表明，0．2μm发射单元尺寸的阵列阴极，开启电场约2V·μm-1；当场强为20V·μm-1时，该阵列的电流密度达到0．35A·cm-2，比1μm尺寸的阵列阴极提高了近4倍，比连续生长的薄膜CNTs阴极则高1～2个数量级。
- 陈长青丁明清李兴辉白国栋张甫权冯进军
