您的位置： 专家智库 > >

李志伟

作品数：6 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇中文专利

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 4篇退火
  • 3篇有机化合物
  • 3篇金属
  • 3篇金属有机
  • 3篇金属有机化合...
  • 3篇化合物
  • 3篇高温退火
  • 3篇镓
  • 2篇氮化
  • 2篇氮化层
  • 2篇氮化镓
  • 2篇氮化镓薄膜
  • 2篇样区
  • 2篇笑气
  • 2篇锌源
  • 2篇蓝宝
  • 2篇蓝宝石
  • 2篇蓝宝石衬底
  • 2篇非极性
  • 2篇铟

机构

  • 6篇中国科学院

作者

  • 6篇刘祥林
  • 6篇王占国
  • 6篇朱勤生
  • 6篇李志伟
  • 6篇杨少延
  • 6篇魏鸿源
  • 4篇焦春美
  • 4篇桑玲
  • 4篇赵桂娟
  • 3篇刘长波
  • 2篇宋亚峰
  • 2篇王建霞
  • 2篇时凯
  • 2篇王俊
  • 1篇刘贵鹏

年份

  • 1篇2015
  • 4篇2012
  • 1篇2011
共 6 条 记 录，以下是 1-6
全选 清除 导出
排序方式：
一种生长富In组分非极性A面InGaN薄膜的方法
本发明公开了一种生长富In组分非极性A面InGaN薄膜的方法，包括：取一衬底，并在金属有机化学气相外延(MOCVD)设备的反应室中对该衬底进行高温氮化处理；利用MOCVD技术在衬底上生长非极性A面InGaN柔性层和低温G...
赵桂娟李志伟桑玲刘贵鹏刘长波谷承艳魏鸿源刘祥林朱勤生杨少延王占国
文献传递
一种在蓝宝石衬底上生长自剥离氮化镓薄膜的方法
本发明公开了一种在蓝宝石衬底上生长自剥离氮化镓薄膜的方法，利用MOCVD设备在r面蓝宝石衬底上以InGaN插入层和GaN低温缓冲层作为弱键合层生长a面氮化镓的自剥离薄膜，具体包括：取一蓝宝石衬底；在MOCVD设备中通入氨...
王建霞李志伟赵桂娟桑玲刘长波魏鸿源焦春美杨少延刘祥林朱勤生王占国
文献传递
利用温度周期调制生长氧化锌材料的方法
一种利用温度周期调制生长氧化锌材料的方法，该方法包括以下步骤：步骤1：选用一衬底，并在MOCVD设备的低温生长区中对衬底进行锌化处理；步骤2：用载气将含锌源的金属有机化合物和笑气分别通入MOCVD设备的低温生长区中，在低...
时凯刘祥林魏鸿源焦春美王俊李志伟宋亚峰杨少延朱勤生王占国
文献传递
制备非极性A面GaN薄膜的方法
本发明提供了一种制备非极性A面GaN薄膜的方法。该方法包括：在衬底上生长非极性A面InGaN柔性层；在非极性A面InGaN柔性层生长非极性A面GaN缓冲层；对非极性A面InGaN柔性层和非极性A面GaN缓冲层进行退火，形...
赵桂娟李志伟桑玲魏鸿源刘祥林朱勤生杨少延王占国
文献传递
利用温度周期调制生长氧化锌材料的方法
一种利用温度周期调制生长氧化锌材料的方法，该方法包括以下步骤：步骤1：选用一衬底，并在MOCVD设备的低温生长区中对衬底进行锌化处理；步骤2：用载气将含锌源的金属有机化合物和笑气分别通入MOCVD设备的低温生长区中，在低...
时凯刘祥林魏鸿源焦春美王俊李志伟宋亚峰杨少延朱勤生王占国
一种在蓝宝石衬底上生长自剥离氮化镓薄膜的方法
本发明公开了一种在蓝宝石衬底上生长自剥离氮化镓薄膜的方法，利用MOCVD设备在r面蓝宝石衬底上以InGaN插入层和GaN低温缓冲层作为弱键合层生长a面氮化镓的自剥离薄膜，具体包括：取一蓝宝石衬底；在MOCVD设备中通入氨...
王建霞李志伟赵桂娟桑玲刘长波魏鸿源焦春美杨少延刘祥林朱勤生王占国
文献传递
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0