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李立珺
作品数:
9
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供职机构:
华东师范大学
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发文基金:
国家自然科学基金
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相关领域:
电子电信
一般工业技术
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合作作者
朱自强
华东师范大学
郁可
华东师范大学
汪阳
华东师范大学
吴晋
华东师范大学
蒋雯陶
华东师范大学
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常压
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独创性
机构
9篇
华东师范大学
作者
9篇
李立珺
8篇
郁可
8篇
朱自强
5篇
汪阳
3篇
吴晋
2篇
倪娟
2篇
黄雁君
2篇
徐哲
2篇
蒋雯陶
1篇
许玉娥
1篇
胡大鹏
年份
1篇
2012
4篇
2011
2篇
2010
1篇
2009
1篇
2008
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9
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氧化铟纳米结构半导体材料及其制备方法
本发明提供了一种氧化铟纳米结构半导体材料及其制备方法,所述半导体材料为一种带节点的棱柱构成的具有宏观长结构的半导体材料,所述半导体材料为In<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>纳米结构晶体。本发明生产操作条...
汪阳
郁可
李立珺
朱自强
文献传递
一种宏观周期性变化的Z字形SnO<Sub>2</Sub>纳米带结构及其制备方法
本发明公开了一种宏观周期性变化的Z字形SnO<Sub>2</Sub>纳米带结构及其制备方法,这种纳米带其长度为3~5mm,直径为500nm~10μm,宏观形状为Z字型。本发明通过改变源材料的配比,合成了周期性的Z字形Sn...
李立珺
郁可
吴晋
朱自强
文献传递
在硅片上复合In<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>多角分层塔状纳米结构的半导体材料及其制备方法
本发明公开了一种在硅片上复合In<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>多角分层塔状纳米结构的半导体材料及其制备方法,其材料包括衬底,该衬底采用硅片,其衬底表面生长有In<Sub>2</Sub>O<Sub>3<...
黄雁君
郁可
李立珺
蒋雯陶
倪娟
徐哲
汪阳
朱自强
在硅片上复合ZnO锥状纳米结构的半导体材料及其制备方法
本发明公开了一种在硅片上复合ZnO锥状纳米结构的半导体材料及其制备方法,其材料包括衬底,该衬底采用硅片,衬底表面生长有ZnO晶体;所述的ZnO晶体沿垂直于硅衬底方向生长并呈六角纤锌矿尖锥型结构,长度为5~10μm,底端直...
汪阳
郁可
李立珺
朱自强
文献传递
一种宏观周期性变化的Z字形SnO<Sub>2</Sub>纳米带结构及其制备方法
本发明公开了一种宏观周期性变化的Z字形SnO<Sub>2</Sub>纳米带结构及其制备方法,这种纳米带其长度为3~5mm,直径为500nm~10μm,宏观形状为Z字型。本发明通过改变源材料的配比,合成了周期性的Z字形Sn...
李立珺
郁可
吴晋
朱自强
文献传递
一维氧化物纳米结构的制备与物性研究
低维纳米材料具有与体材料明显不同的物理、化学、生物特性,日益成为当今纳米科技领域的研究热点。氧化物半导体纳米材料具有制备工艺简单、成本低廉、稳定性好等优点,在锂电池、太阳能电池、光降解、光催化、传感器、场发射器件等各领域...
李立珺
关键词:
氧化物半导体
纳米材料
材料结构
文献传递
SnO<Sub>2</Sub>复杂三维纳米结构及其制备方法
本发明公开了SnO<Sub>2</Sub>复杂三维纳米结构,这种SnO<Sub>2</Sub>复杂三维纳米结构,是SnO<Sub>2</Sub>一维纳米棒沿不同的三维方向多次改变取向生长方向,扭转、弯折形成多个拐点,进而...
吴晋
朱自强
郁可
许玉娥
李立珺
胡大鹏
文献传递
在硅片上复合ZnO锥状纳米结构的半导体材料及其制备方法
本发明公开了一种在硅片上复合ZnO锥状纳米结构的半导体材料及其制备方法,其材料包括衬底,该衬底采用硅片,衬底表面生长有ZnO晶体;所述的ZnO晶体沿垂直于硅衬底方向生长并呈六角纤锌矿尖锥型结构,长度为5~10μm,底端直...
汪阳
郁可
李立珺
朱自强
文献传递
在硅片上复合In<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>多角分层塔状纳米结构的半导体材料及其制备方法
本发明公开了一种在硅片上复合In<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>多角分层塔状纳米结构的半导体材料及其制备方法,其材料包括衬底,该衬底采用硅片,其衬底表面生长有In<Sub>2</Sub>O<Sub>3<...
黄雁君
郁可
李立珺
蒋雯陶
倪娟
徐哲
汪阳
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