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李聪: 作品数：128 被引量：41H指数：3; 供职机构：西安电子科技大学更多>>; 发文基金：国家自然科学基金国防科技技术预先研究基金中央高校基本科研业务费专项资金更多>>; 相关领域：电子电信自动化与计算机技术金属学及工艺电气工程更多>>

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基于隧穿场效应晶体管的半导体生物传感器及其制备方法: 本发明公开了一种基于隧穿场效应晶体管的半导体生物传感器，主要解决常规半导体生物传感器无法辨别中性生物分子，检测敏感精度低的问题，其包括：SOI衬底(1)和互连金属(9)；SOI衬底的两侧设有隔离槽(2)，SOI衬底的上表...; 李聪郭嘉敏庄奕琪闫志蕊刘伟峰李振荣汤华莲; 文献传递

用于动态比较器的失调电压校正电路: 本发明公开了一种用于动态比较器的失调电压校正电路，主要解决现有技术未能直接对比较器输入支路进行电流补偿的问题，其包括校正启动电路，相位探测器，计数器、多倍率开关电流源及比较器。比较器通过相位探测器与计数器连接，触发信号产...; 汤华莲尹文倩李聪张丽许蓓蕾; 文献传递

工艺偏差下PMOS器件的负偏置温度不稳定效应分布特性被引量：1: 2016年; 当器件特征尺寸进入纳米级，负偏置温度不稳定性（NBTI）效应和工艺偏差都会导致p 型金属氧化层半导体（PMOS）器件性能和可靠性的下降.基于反应-扩散（R-D）模型，本文分析了工艺偏差对NBTI效应的影响；在此基础上将氧化层厚度误差和初始阈值电压误差引入到R-D模型中，提出了在工艺偏差下PMOS器件的NBTI效应统计模型.基于65 nm工艺，首先蒙特卡罗仿真表明在工艺偏差和NBTI效应共同作用下， PMOS器件阈值电压虽然会随着应力时间增大而沿着负方向增加，但是阈值电压的匹配性却随着时间推移而变好；其次验证本文提出的统计模型准确性，以R-D模型为参考，在104 s应力时间内， PMOS器件阈值电压退化量平均值和均方差的最大相对误差分别为0.058%和0.91%；最后将此模型应用到电流舵型数模转换器中，仿真结果显示在工艺偏差和NBTI效应共同作用下，数模转换器的增益误差会随着应力时间的推移而增大，而线性误差会逐渐减小.; 汤华莲许蓓蕾庄奕琪张丽李聪; 关键词：阈值电压

一种基于级联机器学习的集成电路的参数映射方法及系统: 本发明公开了一种基于级联机器学习的集成电路的参数映射方法及系统，包括：步骤1、获取待映射电学参数；步骤2、将所述待映射电学参数输入至训练好的级联机器学习结构中，得到映射的模型参数；其中，所述训练好的级联机器学习结构通过相...; 游海龙郭广鑫王昱蘅李聪李欧文

半分布式无源可变衰减器: 本发明公开了一种半分布式无源可变衰减器，包括0～7dB分布式衰减模块、8dB衰减模块、16dB衰减模块、输入控制转换模块，采用体端与源极相连结构、带有沟道并联电阻结构，以及堆叠结构的三种开关场效应晶体管作为控制开关，由五...; 庄奕琪李振荣张岩龙靳刚汤华莲张丽李聪曾志斌; 文献传递

栅覆盖源漏区对TFET性能的影响: 场效应晶体管Tunnel field-Effect Transistorld(TFET)因电子在能带间发生隧穿而形成电流,其开关速度不受温度和掺杂浓度的影响,同时在低工作电压的时候,其Ion/Ioff之比金属场效应管高,...; 蒋智庄奕琪李聪王萍

一种低噪声放大器结构: 本发明公开了一种低噪声放大器结构，包括带隙基准电路(Bandgap)、数控增益电路(DCG)、信号放大电路(Amplifier)和镜像抑制频率可调的陷波滤波电路(IRnotchfilter)。通过天线接收，将工作频率信号...; 庄奕琪李振荣井凯李小明李聪刘伟峰曾志斌靳刚汤华莲; 文献传递

具有轻掺杂漏结构的Z型异质结隧穿场效应晶体管及其制备方法: 本发明公开了一种具有轻掺杂漏结构的Z型异质结隧穿场效应晶体管及其制备方法，主要解决现有器件开态电流低和双极效应严重的问题，其包括：SOI衬底(1)、隔离槽(2)、源区(3)、沟道区(4)、漏区(6)、栅区(5)及导电层(...; 李聪闫志蕊庄奕琪赵小龙郭嘉敏; 文献传递

基于神经网络的飞行器上升段轨迹优化方法: 本发明提出了一种基于神经网络的飞行器上升段轨迹优化方法，用于解决现有技术中存在的实时性和适应性较差的技术问题，包括以下步骤：步骤一：建立发射惯性系下飞行器上升段连续最优控制问题；步骤二：获取发射惯性坐标系下飞行器真空飞行...; 崔家山张立华常晶仲秦戴沛李聪刘云昭冯冬竹

基于改进SIFT-Delaunay的异源图像配准方法: 本发明涉及图像配准技术领域，公开了一种基于改进SIFT‑Delaunay的异源图像配准方法，首先对SAR图像进行PPB滤波，这是一种空域滤波的算法，可以在去除SAR图像所产的相干斑噪声的同时还能有效保持边缘特性。然后在提...; 梁毅刘倩向聪李聪