杨国文
- 作品数：30 被引量：48H指数：4
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划中国科学院重点实验室基金更多>>
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- 高质量InGaAs/AlGaAs应变量子阱激光器的研制
- InGaAs/AlGaAs应变量子阱激光器是近几年来国际上受到高度重视,具有广阔应用前景和发展十分迅速的一种新型半导体激光器.该论文针对高质量InGaAs/AlGaAs应变量子阱激光器的研制作了深入而细致的研究,在超薄层...
- 杨国文
- 关键词：INGAAS/ALGAAS量子阱激光器结构参数
- 低阈值级联双区脊形波导单量子阱激光器
- 1996年
- 报道了低阈值级联双区脊形波导单量子阱激光器的制备，介绍了它的直流输出特性、光双稳特性、光谱波长调谐和高频调制ｐｓ特性。该激光器激射波长约为８５０ｎｍ，调谐宽度为７ｎｍ。
- 张敬明徐遵图杨国文李世祖郑婉华何晓曦肖建伟徐俊英陈良惠
- 关键词：激光器放大器
- 在脊形波导级联双区量子阱激光器中皮秒光脉冲的产生被引量：1
- 1995年
- 本文讨论脊形波导级联双区增益（或Ｑ）开关ＭＢＥ生长量子阱皮秒激光器的工作原理和实验，测得的脉冲半峰竞ＦＷＨＭ＜６０ｐｓ，与理论值符合很好．
- 张敬明徐遵图杨国文郑婉华李世祖肖建伟徐俊英陈良惠
- 关键词：量子阱激光器激光器波导
- 低阈值掩埋异质结构AlGaAs激光器被引量：1
- 1993年
- 本文报道了GaAs/GaAlAs材料低阈值掩埋异质结(BH)半导体激光器的研究成果。利用液相外延技术对一次外延生长双异质结构激光器,二次外延生长掩埋异质结构激光器进行了十分系统的工艺实验。通过结构设计的优化和工艺技术的改进与完善,达到了预期的极低阈值的结果。一次外延的宽接触阈值电流密度一般均低于1000A/cm^2,最低达675A/cm^2,经过二次外延的掩埋制作,器件的阈值电流低于10mA,最低可达4mA。这是国内报道的同类激光器最好水平。
- 杨国文肖建伟徐遵图徐俊英张敬明陈良惠
- 关键词：半导体激光器
- 低阈值脊形波导单量子阱级联双区激光器
- 1994年
- 本文报道低阈值脊形波导单量子阶级联双区激光器的制备，直流输出特性，光双稳、光谱调谐和高频调制ｐｓ特性．激射波长～０．８５μω，调谐范围为７ｎｍ．
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- 关键词：脊形波导谐振腔
- InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器被引量：2
- 1999年
- 优化设计了既能实现较小垂直方向远场发散角，又能降低腔面光功率密度的ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ应变层量子阱激光器，并计算了该结构激光器实现基横模工作的脊形波导结构参数。利用分子束外延生长了ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ应变量子阱激光器材料并研制出基横模输出功率大于１４０ｍＷ，激射波长为９８０ｎｍ的脊形波导应变量子阱激光器，其微分量子效率为０．８Ｗ／Ａ，垂直和平行结平面方向远场发散角分别为２８°和６．
- 徐遵图徐俊英杨国文张敬明张敬明陈良惠陈昌华
- 关键词：基横模半导体激光器应变量子阱
- 掺铒光纤放大器泵浦源用980nm量子阱激光器
- 1996年
- 我们利用分子束外延（ＭＢＥ）方法研制出了高质量的ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ／ＡＩＧａＡｓ应变量子阱激光器外延材料，其最低的阈值电流密度可达到１４０Ａ／ｃｍ２，激发波长在９８０ｕｒｎ左右．通过脊型波导结构的制备，获得了高性能的适合于掺铒光纤放大器用的９８０ｕｒｎ量子阱激光器泵浦源，其典型的阈值电流和外微分量子效率分别为１５ｍＡ和０．８ｍＷ／ｍＡ，基横模的输出功率大于８０ｍＷ，器件在５０℃，８０ｍｗ的恒功率老化实验表明，器件具有较好的可靠性．通过与掺铒光纤的耦合，其组合件出纤功率可达６０ｍＷ以上．
- 杨国文徐俊英徐遵图张敬明肖建伟何晓曦陈良惠王启明
- 关键词：量子阱激光器掺铒光纤放大器泵浦源
- 窄发散角量子阱激光器的结构设计与分析被引量：7
- 1996年
- 本文对ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱结构激光器中重要的结构参数与远场垂直发散角的关系作了系统的理论计算与分析，提出了实现２０°～３０°垂直发散角的有效途径，并同时研究了对激光器的光功率限制因子、阈值电流密度等重要参数的影响．
- 杨国文徐俊英张敬明徐遵图陈良惠王启明
- 关键词：砷化镓ALGAAS量子阱激光器激光器
- 用于掺铒光纤放大器泵浦源的高性能980nm InGaAs应变量子阱激光器
- 1997年
- 利用分子束外延（MBE）方法研制出了高质量的InGaAs／AlGaAs应变量子阱激光器外延材料，其最低的阈值电流密度可达到120A／cm2，激发波长在980nm左右。获得了高性能的适合于掺饵光纤放大器用的980nm量子阱激光器泵浦源，其典型的阈值电流为15mA，外微分量子效率的典型值和最好值分别为0．8mW／mA和1．0mW／mA，线性输出功率大于120mW，在20℃一50℃的特征温度T0为125K。器件在59℃，80mW下的恒功率老化实验表明具有较好的可靠性，与掺铒单模光纤耦合的组合件出纤功率可达63mW。
- 杨国文徐俊英徐遵图张敬明何晓曦陈良惠
- 关键词：量子阱激光器掺铒光纤放大器分子束外延
- 低阈值InGaAs-GaAs应变层多量子阱激光器
- 1992年
- 采用分子束外延(MBE)和二次液相外延技术(LPE)研制出InGaAs-CaAs折射率缓变分别限制应变层多量子阱(GRINSCH-STL-MQW)掩埋异质结(BH)激光器.在宽接触阈值电流密度1 kA/cm^2的条件下,获得了很低的阈值电流,室温时,腔面未镀膜激光器的阈值电流为5.6mA.(L=120μm,CW.20℃)激射波长为9386A左右.外微分量子效率高达每面0.48mW/mA,最高输出功率大于30mW.
- 肖建伟徐俊英杨国文徐遵图张敬明陈良惠周小川蒋健钟战天
- 关键词：激光器应变层量子阱结构
